含气率对PTS时压力容器内流动与传热的影响

本文对反应堆压力容器紧急安注时的流动与传热特性在1/10的模型上进行了流动可视化、局部传热系数以及混合函数的试验研究。针对三个热冲击敏感区域的部分测点,比较了环腔流速为0.5m/s、安注流速为1～30 m/s时不同含气率对下降环腔内流动与传热特性的影响,得出并分析了不同测点传热系数、混合函数的变化规律。研究结果表明:随着含气率增大,安注流体与环腔流体的混合增强;下降环腔内的含气率对小安注流速时的流动与传热影响显著,而对大安注流速时影响较小。     

多元有序地质数据的最优分割法在工程中的应用

采用数学地质理论中的多元有序地质数据的最优分割方法对工程场地松散岩土层亚层进行了划分。实践证明 ,在土样物理力学性能评价指标选取合理的前提下 ,该方法简单方便 ,行之有效 ,可作为一种辅助手段帮助地质人员开展对土层的详细研究     

浅谈思想政治工作是社会主义精神文明建设的根本保证

思想政治工作作为党的工作的一条重要战线，在现代化建设事业中占极基重要地位。本文从思想政治工作在社会主义精神文明建设中的重要作用入手，试图从其基本内涵上阐述前者之于后者的根本保证作用。     

镧系金属一氢化物有效芯势研究

采用Cundari和Stevens等推导的有效芯势对镧系金属一氢化物进行了理论计算，以探讨镧系金属元素与氢的相互作用。结果表明所有镧系金属一氢化物基态时理论上是稳定的，最稳定的是SmH,最不稳定的是DyH;键长计算结果显示，基态时镧系金属一招兵买马花物有独立王国 收缩现象发生；红外振动频率理论计算值与实验结果一致；成键轨道中，金属原子轨道的贡献主要是s轨道和d轨道：从CeH至ErH(GdH)例外）随着外层电子的增加s轨道成分逐渐增大d轨道成分逐渐减小；从TmH和LuH（包括GdH)，成键轨道中金属原子轨道的贡献主要是d轨道，约为90％；约大多数镧系金属一氧化物的成键轨道中金属原子轨道f成分小于1％。     

天然橡胶胶乳常压氢化的研究

用N2H4／H2O2／Cu^2 体系对天然橡胶胶乳进行了常压氢化试验。红外光谱表明，氢化过程中对应的双键的伸缩振动谱带的峰面积减少．天然橡胶产生了氢化．由红外光谱峰面积推算得到产物的最高氢化度为38％．产物的凝肢合量为1％。分析结果表明：高分子链双键被饱和后．形成聚乙烯链段而结晶，结晶起到了物理交联作用。     

磁存储的研究现状及发展方向

磁性存储是最常用的大容量存储技术。其记录密度越来越高，发展也越来越快。通过对信息记录、读出和存储3个过程的分析，对硬磁盘记录、垂直磁记录和磁光记录的优缺点作了对比。指出了采用垂直记录模式、非晶结构合金薄膜或铁氧体薄膜介质是实现超高密度记录的方向，光辅助磁记录是很有希望的记录技术。还指出量子磁盘技术是未来极高密度记录的方向。     

Lorenz混沌系统的输入—输出性质分析

研究了Lorenz混沌系统的一类输入—输出性质，采用Lyapunov直接方法和数值仿真等研究方法，对Lorenz混沌系统的解的范数分别与输入信号的振幅、角频率之间的关系进行了分析，得出了诸多有意义而在线性系统中没有的结论，这对进一步研究Lorenz系统有重要的参考意义。     

试论专业化进程中的我国教师教育

专业化是世界教师教育改革的主要趋势，师范教育改革的核心就是要促进教师专业化。分析我国教师教育和专业化进程中存在的问题，探讨教师教育改革。将有助于提高我国教师的专业化水平。进而全面提高我国教育质量。     

2,7-二氯荧光素与蛋白质相互作用的分光光度法研究

首次采用分光光度法研究了模拟生理条件(pH 7.4 Tris-HCl缓冲溶液,离子强度I=0.1)下2,7-二氯荧光素与牛血清白蛋白(BSA)相互作用的情况.研究结果表明:两者相互作用形成稳定的复合物,最大吸收波长为509nm,与2,7-二氯荧光素的最大吸收波长502nm比较,红移了7nm;两者之间主要通过静电引力结合,但并不排除疏水作用力和氢键;两者之间的结合数为32.     

Oxidation process of SiGe on SOI substrates

The oxidation of SiGe film epitaxial grown on top of SOI wafers has been studied. These SiGe/SOI samples were oxidized at 700, 900, 1100 °C. Germanium atoms were rejected from SiGe film to SOI layer. A new Si_1−xGe_x (x is minimal) layer formed at SiGe/Si interface. As the germanium atoms diffused, the new Si_1−xGe_x (x is minimal) layer moved to Si/SiO₂ interface. Propagation of threading dislocation in SiGe film to SOI substrate was hindered by the new SiGe/Si interface. Strain in SOI substrate transferred from SiGe film was released through dislocation nucleation and propagation inner. The relaxation of SiGe film could be described as: strain relaxed through strain equalization and transfer process between SiGe film and SOI substrates. Raman spectroscopy was used to characterize the strain of SiGe film. Microstructure of SiGe/SOI was observed by transmission electron microscope (TEM).