CsI(Tl)晶体中反冲Cs和I核Quenching?Factor的测量

许多实验对用CsI(Tl)闪烁晶体作为探测器来寻找和探测暗物质的可行性进行了研究.本工作利用8MeV单能中子轰击CsI(Tl)晶体探测器来研究Cs核和I核的QuenchingFactor.在数据处理中,运用脉冲形状甄别(PSD)方法来分辨反冲核信号和本底信号.实验结果表明,在7keV到132keV的能区中,Quench ingFactor随着反冲核能量的减少而增加.在探测暗物质的实验中,这一性质对于CsI(Tl)晶体探测器获得较低的能量阈值是很有利的.     

2,7-二氯荧光素与蛋白质相互作用的分光光度法研究

首次采用分光光度法研究了模拟生理条件(pH 7.4 Tris-HCl缓冲溶液,离子强度I=0.1)下2,7-二氯荧光素与牛血清白蛋白(BSA)相互作用的情况.研究结果表明:两者相互作用形成稳定的复合物,最大吸收波长为509nm,与2,7-二氯荧光素的最大吸收波长502nm比较,红移了7nm;两者之间主要通过静电引力结合,但并不排除疏水作用力和氢键;两者之间的结合数为32.     

填充式方钴矿化合物CeOs4Sb12近藤相互作用的非弹性中子散射研究

CeOs₄Sb₁₂晶体中由于导电电子与Ce³⁺ 4f¹电子之间存在c-f杂化作用导致费米面附近存在能量间隙.这种c-f近藤相互作用和能量间隙是理解CeOs₄Sb₁₂物理性质，如近藤绝缘体行为、Ce³⁺磁矩在低温下猝灭以及重费米性等电、磁性质的关键.当用LAM-D中子谱仪对粉末CeOs₄Sb₁₂进行测量时，可以得到不同温度下CeOs₄Sb₁₂的非弹性中子散射谱.结果表明CeOs₄Sb₁₂中存在近藤相互作用，其作用强度为3.1 meV，证实了CeOs₄Sb₁₂为近藤绝缘体.中子测量得出CeOs₄Sb₁₂德拜温度为317 K. 关键词： 非弹性中子散射 填充式方钴矿 近藤绝缘体     

毛泽东探索中国社会主义建设道路的启迪

毛泽东探索中国社会主义建设道路给我们许多深刻的启迪：正确对待国情是社会主义革命和建设取得胜利的关键；在探索社会主义建设道路的过程中必须坚持以经济建设为中心不动摇；在探索社会主义建设道路的过程中，都要警惕右，但主要防止“左”。     

WTO与编辑

面对入世，编辑要加强WTO基本知识的培训。     

熔融LiCl及其急冷非晶键取向序的分子动力学模拟研究

本文进一步讨论了我们新近提出的等近邻数键球谐函数方法,并通过分子动力学模拟研究了熔融LiCl及其急冷过程。对计算机模拟各时间步产生的瞬态构型进行平均,计算了不同温度下键序Q_l谱.将模拟Q_l谱与线性组合模型Q_l谱比较,观察到模拟Q_l谱与含90％局部正四面体结构的组合模型十分相似,表明熔融Licl及其急冷非晶中局部键取向序明显倾向于正四面体序。急冷过程中不同温度下局部键取向序可用同一线性组合模型描述,但模型方差随模拟温度明显变化。方差随温度而降低,且在发生玻璃态转变时有一显著下降。不同温度下的键角分布也作了计算,观察到键角分布在109°(正四面体局部结构键角)附近且分布峰随温度升高而展宽,与键序Q_l得到的结论一致。     

金属薄膜制备及物性测量系列实验

介绍了由模拟真空实验和“金属薄膜的制备”、“金属薄膜厚度的测量”、“金属薄膜电阻率的测量”,以及“金属薄膜生长过程的动态监测”等4个实验组成的金属薄膜制备与物性测量系列实验.这组实验与现代科学技术发展联系紧密,仪器设备可靠,操作简单,适合于普通物理实验阶段的研究性教学.     

Ar?NO团簇的同步辐射光电离研究

利用国家同步辐射实验室合肥光源的真空紫外同步辐射，使NO分子和Ar原子混合物的超声分子束发生光电离，测量了Ar，NO和异类团簇Ar·NO的光电离效率谱. 在谱中，在与Ar原子的共振线对应的能量区域(11.5—12.0 eV)观察到一个强的类共振结构. 这个结果表明，在异类团簇Ar·NO的内部，稀有气体Ar原子的激发能转移到与它接触的分子NO上，使分子NO发生电离. 关键词： Ar·NO团簇 同步辐射 光电离 能量转移     

防止和遏制西部大开发中的腐败现象

警惕和防止西部大开发中的腐败现象是一个十分重要的问题，针对我国西部开发中滋生腐败现象的原因，进而探讨了和遏制西部开发中腐败现象的对策。     

21世纪中国跨国公司发展战略

随着改革开放的深入发展，利用外资逐年增多，国际跨国公司的触角日益伸到我国，我国企业也逐步国际化，中国经济与世界经济的相互依存度越来越高，中国企业的跨国经营从无到有日益发展，在国民经济中发挥着越来越重要的作用。本文将对我国跨国公司的产生、发展进行研究，重点探讨在21世纪中国作为WTO成员，如何面对发展中的困难和问题以及发展中的途径。