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71.
对目前西南地区脱毒马铃薯种薯生产四级体系进行分析,总结存在的问题,对南方马铃薯研究中心近几研究成功的二级体系作了概述性的介绍,对操作技术要点系统的进行说明,描述和展望了该体系巨大的经济前景和社会效益,得出“马铃薯种苗二级体系替代四级体系是21世纪马铃薯产业发展重要趋势”的初步结论。 相似文献
72.
系统研究了Nd0.5Ca0.5Mn1-xAlxO3(x=0,0.03)单相多晶样品在低温下的电磁性质和超声特性.电阻和磁化率测量表明,Nd0.5Ca0.5O3体系在TCO-257 K处发生了电荷有序相变.超声声速从室温开始随着温度的降低逐渐减小,并在TCO附近达到最小,之后,随着温度的进一步降低,声速急刷增加,同时伴随着一个尖锐的超声衰减峰出现.TCO附近的超声异常表明体系中存在着强烈的电-声子相互作用,该电-声子耦合来源于Mn3 的Jahn-Teller效应.在低温下,出现了另一个超声衰减峰,它的出现归结为反铁磁相与顺磁相之间的相分离现象.随着Al在Mn位的掺入,超声声速的最低点和衰减峰向低温移动,表明体系中的电荷有序态和反铁磁相均被部分抑制, 相似文献
73.
74.
75.
非线性奇异边值问题的正解 总被引:1,自引:0,他引:1
路慧芹 《应用泛函分析学报》2002,4(3):217-221
利用锥映射的不动点指数定量,研究了一类非线性奇异边值问题多个正解的存在性问题。在构造的解的存在条件之下,证明了奇异边值问题至少有两个正解的存在性定理。 相似文献
76.
用提拉法生长了Lu2Si2O7:Ce晶体,对该晶体的闪烁性能进行了研究。透射光谱表明,Lu2Si2O7:Ce晶体的吸收边比Lu2SiO5:Ce晶体向短波方向移动了25nm,使透光范围进一步拓宽。X射线发射光谱和UV激发发射光谱均具有典型的双峰特征,主峰在378nm。UV激发发射谱具有温度效应,即375K以上时,发光效率迅速降低;425K以上时,发光主峰位明显红移。衰减曲线符合单指数式衰减规律,常温下经UV激发后的衰减时间约为34ns。从曲线形态看,375K以下的衰减谱与室温下的几乎完全相同,拟合的结果在32.8~34ns之间;衰减时间的温度效应从375K开始显现,即随温度的升高,衰减时间有加速变短的趋势,到500K时缩短为6.72ns。热释光谱在488,553K处有两个热释光峰,但室温附近几乎观察不到热释光峰。 相似文献
77.
78.
1引言设A是n阶非负方阵.设矩阵方程(1)AXA=A,(2)XAX=X,(3)(AX)~T= AX,(4)(XA)~T=XA,(5)AX=XA.A具有非负广义逆是指存在非负方阵X满足方程(1)~(4),并记为A~(?).A具有非负群逆是指存在非负方阵X满足方程(1),(2),(5),并记为A~#.在A~(?)存在的前提下,两者相同的充分必要条件有(a)AA~(?)=A~(?)A;(b)A~(?)=p(A),其 相似文献
79.
On Dirichlet Characters of Polynomials 总被引:1,自引:0,他引:1
The main purpose of this paper is to use the properties of Gaussiansums and the analytic method to study the problem of calculatingone kind of character sums modulo q, and to give an interestingidentity. 2000 Mathematics Subject Classification 11L10, 11L40. 相似文献
80.
Hongbo Zhang Rui Wang Kaixin Chen Han Yang Daming Zhang Maobin Yi Guoquan Wang Zhenchang Ma 《Optics & Laser Technology》2002,34(4):283-286
A new method, based on zero point of longitudinal electric field, was used to determine the spatial resolution of external electro-optic (EO) probing equipment. Considering the diffraction of Gauss beam, the result of external EO probing was simulated which was in accordance with the experiment. A spatial resolution <1 μm was demonstrated initially in our equipment using 650 nm laser diode as probe beam and semi-insulating GaP as probe tip. 相似文献