Kerberos认证系统的分析和改进

首先介绍Kerberos的认证过程，特别是分析Kerberos认证协议的局性性，然后采用RSA加密算法的一种Yaksha改进算法，给出一种公钥认证协议，这种协议由用户验证自己产生的时间戳，这样就解决了时间同步的问题，并且克服了Kerberos的某些局限性。     

人的全面发展观与学生党支部建设

“人的全面发展”观是马克思主义人学理论中的一个基本观点。全面发展的人是社会现代化的构成和目标，促进人的全面发展是社会主义现代化事业的目标和任务。高校学生党支部要按照人的全面发展的观点，调整党支部的工作思路，改进党支部的内部管理，形成充满活力的运行机制，使学生党支部真正成为高校学生中党的工作的主阵地。     

基于DirectX的视频编程

介绍了采用DirectX技术的微机上进行视频编程的原理，并给出了视频叠加的应用例子。     

Si衬底上ZnSe外延膜的低压MOCVD生长

以硒化氢（H2Se）和二甲基锌为源材料，生长温度是300℃时，用低压金属有机化学气相沉积（LP－MOCVD）系统在Si(111)衬底上外延生长了ZnSe薄膜。通过X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜的能量色散（EDS）以及光致发光（PL）实验验证ZnSe外延膜的质量，在X射线衍射谱中只有一个强的ZnSe(111)面衍射峰，这说明外延膜是（111）取向的单晶薄膜，在能量色散谱中除了Si,Zn和Se原子外，没有观测到其他原子，说明ZnSe外延膜中杂质含量较少。ZnSe外延膜中Zn/Se原子比接近1，有较好的化学配比。在ZnSe外延膜的77K光致发光谱中没有观测到与深中心发射相关的发光峰，表明ZnSe外延膜的晶格缺陷密度较小。77K时的近带边发射峰447nm在室温时移至465nm附近。     

NO-2-I-体系双波长紫外分光光度法测定痕量亚硝酸根

在稀盐酸介质中,亚硝酸根氧化碘化钾的反应产物I-3在288nm和352nm处有两个强吸收峰.基于此建立了双波长紫外分光光度法测定痕量NO-2的新方法.该法简便、快速、选择性好,线性范围为0-0.4μg/mL,检出限为3.4×10-9g/mL.用于河水、井水、矿泉水中亚硝酸根的测定,结果令人满意.     

我国医疗费用增长与医疗设备投入的相关性研究

近年来我国卫生总费用占GDP的比例增长很快,而在卫生费用结构上则发生政府投入下降和个人支出的上升。本文采集了大量的统计数据,采用统计相关性研究的方法,论证了医疗设备规模的不断扩大是导致医疗费用上升的主要因素之一;医疗设备的快速增长与医院维修费用投入的增长直接相关,而引起医疗设备维修大量投入的主要原因则是故障期内医疗设备的非正常闲置。本文通过对个人卫生费用的上升、医疗设备规模的扩大及其医疗设备维修投入费用增加相关性的分析,说明了在这种关系下,十分有必要研究医院医疗设备维修体系,以在卫生投入和患者权益上达到平衡。     

进口畸变条件下改善压气机性能的数值研究

依据"非定常两代流型"理论,验证了二维叶栅在均匀进气条件下,施加激励对其性能所起的改善作用,尔后重点研究了进口具有总压的周向畸变时,施加激励对其气动性能的影响。计算结果表明,在有无进口畸变时,施加一定的激励都会改善流场结构,气动参数有积极变化,压升和效率增加,特别是在流量比较小时,变化尤为明显.对于进口畸变和施加激励影响压气机性能的内在原因,从流场结构的变化方面进行了初步分析。     

19F+27Al耗散反应中双核系统的转动与形变

测量了¹⁹F+²⁷Al耗散反应产物B,C,N,O,F和Ne的激发函数,入射束流的能量从110.25MeV到118.75MeV, 能量步长为250keV. 从产物的 能量自关联函数中提取了反应中所形成的中间双核系统的转动惯量, 与相粘模型计算的刚体转动惯量相比较, 结果表明形成的双核系统有大的形变.     

我国封闭式投资基金业绩评价实证研究

随着我国基金行业超常发展,恰当的分析和评价基金业绩已越来越重要。本文根据CAPM的基本原理,利用国外先进的基金业绩评价方法对我国封闭式基金的综合业绩进行实证研究。研究结果表明:总体来看,基金获得的市场超额收益显著为负。基金经理不具有证券选择能力,但具有一定的市场择时能力,但这两种能力均不显著。同时,我们还发现不同投资风格的基金经理具有不同的证券选择能力和市场择时能力。     

Formation of Interfacial Layers in LaAlO3/Silicon during Film Deposition

We have studied the interracial reactions between amorphous LaAlO3 thin films and Si substrates, using high- resolution transmission electron microscopy and x-ray photoelectron spectroscopy. It has been shown that the interracial layer between LaAlO3 film and Si substrate chemical states show that the ratio of La 4d3/2 to Al 2p is SiLaxAlyOz. The depth distributions of La, Si and Al of the interfacial layer remains unchanged with the depth compared to that of the LaAlO3 film. Moreover, the Si content, in the interracial layer gradually decreases with increasing thickness of the interracial layer. These results strongly suggest that the Al element is not deficient in the interracial layer, as previously believed, and the formation of a SiLaxAlyOz interracial layer is mainly due to the diffusion of Si from the substrate during the LaAlO3 film deposition. With the understanding of the interracial layer formation, ones can control the interface characteristics to ensure the desired performances of devices using high-k oxides as gate dielectrics.