全文获取类型
收费全文 | 160224篇 |
免费 | 14598篇 |
国内免费 | 24978篇 |
专业分类
化学 | 42358篇 |
晶体学 | 2206篇 |
力学 | 4160篇 |
综合类 | 1908篇 |
数学 | 8583篇 |
物理学 | 27189篇 |
综合类 | 113396篇 |
出版年
2024年 | 515篇 |
2023年 | 1395篇 |
2022年 | 3754篇 |
2021年 | 4154篇 |
2020年 | 3999篇 |
2019年 | 3490篇 |
2018年 | 3287篇 |
2017年 | 4343篇 |
2016年 | 4284篇 |
2015年 | 6497篇 |
2014年 | 8707篇 |
2013年 | 10552篇 |
2012年 | 11362篇 |
2011年 | 12514篇 |
2010年 | 12252篇 |
2009年 | 12813篇 |
2008年 | 14353篇 |
2007年 | 13704篇 |
2006年 | 12531篇 |
2005年 | 10740篇 |
2004年 | 8541篇 |
2003年 | 6005篇 |
2002年 | 6544篇 |
2001年 | 6270篇 |
2000年 | 5782篇 |
1999年 | 2923篇 |
1998年 | 1072篇 |
1997年 | 816篇 |
1996年 | 756篇 |
1995年 | 737篇 |
1994年 | 684篇 |
1993年 | 648篇 |
1992年 | 583篇 |
1991年 | 462篇 |
1990年 | 463篇 |
1989年 | 390篇 |
1988年 | 309篇 |
1987年 | 272篇 |
1986年 | 203篇 |
1985年 | 160篇 |
1984年 | 163篇 |
1983年 | 100篇 |
1982年 | 104篇 |
1981年 | 107篇 |
1980年 | 97篇 |
1979年 | 89篇 |
1978年 | 36篇 |
1977年 | 29篇 |
1976年 | 24篇 |
1955年 | 25篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
991.
在入射电子能量 2 5 0 0eV下测量了He的 11S→ 2 1S ,2 1P ,31S和 31P的微分散射截面和广义振子强度 ,并与前人的实验和理论结果进行了比较 ,认为在此入射电子能量下一阶Born近似对此 4个跃迁成立. With electron impact energy of 2 500 eV and energy resolution of 85 meV, the differential cross sections and the generalized oscillator strengths of the excitations of 1 1S→2 1S, 2 1P, 3 1S and 3 1P of helium has been measured by electron energy loss spectroscopy . Comparing with previous experimental and theoretical results, it seems that the first Born approximation is valid for these excitations under such an electron impact energy. 相似文献
992.
光阴极微波电子枪中发射度补偿及模拟计算 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍了上海深紫外自由电子激光用光阴极微波电子枪采用发射度补偿技术的结果 .详细分析了线性空间电荷力的特点及对束流发射度的影响 ,从束流动力学和相空间两方面讨论了发射度补偿原理 .给出了补偿线圈的设计结构及其轴向场分布 .利用PARMELA程序对补偿效果作了模拟计算 .结果表明 ,设计的腔体对单圈 1 .5nC束团 ,在枪出口后 1 .2m处 ,电子能量为 5 .7MeV ,横向归一化发射度εn ,RMS=1 .61 2πmm·mrad. The emittance compensation technology will be used on the photo cathode RF gun for Shanghai SDUV FEL. In this paper, the space charge force and its effect on electron beam transverse emittance in RF gunis is studied, the principle of emittance compensation in phase space is discussed. We have designed a compensation solenoid and calulated its magnetic field distribution. Its performance has been studied by the code PARMELA. A simulation result indicates that the normalized transverse RMS emi... 相似文献
993.
建立了紧束缚近似下的二嵌段共聚物-(A)x-(B)y-的物理模型,研究了组成共聚物的均聚物间界面相互作用-界面耦合的强弱对共聚体系的能带结构、键结构性质等的影响.共聚物的带隙也可通过改变均聚物之间的界面相互作用来加以调制,进一步发现可用界面势阱或能垒(energy barrier)来表征界面耦合的强弱. 相似文献
994.
995.
报道了8-羟基喹啉铝和聚乙烯基咔唑薄膜及其混合体系膜的荧光衰减特性。聚乙烯基咔唑/8-羟基喹啉铝重量比100:4的混合膜在波长540nm和460nm处的荧光衰减时间分别为6.47ns和8.5ns。重量比100:10混合膜在波长540nm和460nm处的荧光衰减时间分别为5.5ns和7.9ns。上述两波长对应8-羟基喹啉铝和聚乙烯基咔唑分子荧光发射。混合体系的荧光寿命仅为8-羟基喹啉铝分子荧光的40%,同时也低于聚乙烯基咔唑14ns的荧光寿命。荧光寿命的减少反映出两种分子之间存在较强的相互作用或形成了分子复合体。 相似文献
996.
采用热处理方法提高MEH-PPV单层聚合物有机发光二极管发光性能的研究 总被引:1,自引:1,他引:1
对以MEH-PPV为发光层的单层聚合物有机发光二极管(OLED)器件在最佳条件下进行真空热处理,并用金相显微镜观察施加电压后器件的阴极表面形貌。发现处理后的器件阴极表面的气泡及黑斑明显减少。器件的发光性能显著提高。与未经处理的器件相比,最大相对发光强度提高了一个数量级、启亮电压降低了2.0V,半寿命提高了12.7倍。初步分析表明热处理方法提高器件发光性能的主要原因在于有效地减少了器件在工作过程中由于焦耳热产生的某些气体,从而减少阴极表面气泡及黑斑的出现,另一方面,热处理方法也增强了有机发光层与阴极接触界面的结合力,提高电子注入水平。 相似文献
997.
998.
999.
利用转移反应11B(d,p)12B和12C(d,p)13C抽取12B<—>11B+n和13C<—>12C+n重叠函数的核渐近归一化常数,计算了12B和13C核中价中子密度分布的均方根半径及其在核外的几率.实验结果表明,12B的第二(Jπ=2-),第三(Jπ=1-)激发态和13C的第一(Jπ=1/2+)激发态为中子晕态,而13C的第三(Jπ=5/2+)激发态是中子皮态.考察了库仑势和角动量对晕形成的阻碍效应.提出了均方根半径对于有效核子分离能的统一的标度定律. 相似文献
1000.