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131.
第一讲中子散射与散裂中子源 总被引:1,自引:0,他引:1
中子散射是研究物质微观结构和动态的理想工具之一,广泛地应用于凝聚态物质研究和应用的众多学科领域.散裂中子源能是新一代的加速器基脉冲中子源,能为中子散射提供高通量的脉冲中子.文章简明地介绍了中子散射的特点和它作为物质结构和动态探针的优越性,以及散裂中子源的基本原理、发展状况和多学科的应用优势.我国计划建设的散裂中子源CSNS中,靶站将由多片钨靶、铍/铁反射体和铁/重混凝土生物屏蔽体组成.质子束功率100kW下,脉冲中子通量约为2.4×1016n/cm2/s.第一期将设计建造高通量粉末衍射仪、高分辨粉末衍射仪、小角散射仪、多功能反射仪和直接几何非弹性散射仪等五台典型的中子散射谱仪,以覆盖大部分的中子散射研究领域. 相似文献
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The new phenylpropanoid diglycoside ligusinenoside A ( 1 ), and the two new 8,4′‐oxyneolignan(‘8‐O‐4′‐neolignan’) diglycosides ligusinenosides B ( 2 ) and C ( 3 ), together with nine known compounds, were isolated from the rhizomes of Ligusticum sinensis Oliv. The structures of 1 – 3 were elucidated on the basis of spectroscopic analyses. 相似文献
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J. MALINEN O. NEVANLINNA V. TURUNEN Z. YUAN 《数学学报(英文版)》2007,23(4):745-748
Let T be a bounded linear operator in a Banach space, with σ(T)={1}. In 1983, Esterle-Berkani' s conjecture was proposed for the decay of differences (I - T) T^n as follows: Eitheror lim inf (n→∞(n+1)||(I-T)T^n||≥1/e or T = I. We prove this claim and discuss some of its consequences. 相似文献
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135.
136.
在时序数据库中,有许多成熟的技术和方法用来对布尔型属性之间的关系进行挖掘,但对于数值型属性变化趋势关联关系的研究却不是很多.本文提出了一种数值型属性变化趋势的研究模型QMP(QuantityMovementPattern),依据该模型可利用数据挖掘算法发现不同数值型属性之间变化趋势之间的关系.文中分析了该模型的几种实现算法,并给出了一种快速实现算法及实验数据. 相似文献
137.
基础房价的相关指标及其走势一直是大众关心的热门话题.本文通过对上海基础房价相关指标的分析,建立了市场房价走势的两个数学模型.模型一:在相关性分析的基础上利用主成分分析消除指标间的共线性,再用回归拟合房价模型并进行预测;模型二:在相关性分析的基础上利用核估计方法预测出房价.继呵对2005年下半年的房价走势进行了预测,得出的结果与实际情况相吻合. 相似文献
138.
Baowei Qiao Jie Feng Yun Ling Ting’ao Tang Bomy Chen 《Applied Surface Science》2006,252(24):8404-8409
The effects of Si doping on the structural and electrical properties of Ge2Sb2Te5 film are studied in detail. Electrical properties and thermal stability can be improved by doping small amount of Si in the Ge2Sb2Te5 film. The addition of Si in the Ge2Sb2Te5 film results in the increase of both crystallization temperature and phase-transition temperature from face-centered cubic (fcc) phase to hexagonal (hex) phase, however, decreases the melting point slightly. The crystallization activation energy reaches a maximum at 4.1 at.% and then decreases with increasing dopant concentration. The electrical conduction activation energy increases with the dopant concentration, which may be attributed to the increase of strong covalent bonds in the film. The resistivity of Ge2Sb2Te5 film shows a significant increase with Si doping. When doping 11.8 at.% of Si in the film, the resistivity after 460 °C annealing increases from 1 to 11 mΩ cm compared to the undoped Ge2Sb2Te5 film. Current-voltage (I-V) characteristics show Si doping may increase the dynamic resistance, which is helpful to writing current reduction of phase-change random access memory. 相似文献
139.
Jie Xue Liang Chen Li Zhou Zhifeng Jia Yanping Wang Xinyuan Zhu Deyue Yan 《Journal of Polymer Science.Polymer Physics》2006,44(15):2050-2057
α‐Cyclodextrin (α‐CD) has been complexed with various poly(ethylene glycol) (PEG) derivatives in aqueous solution. It has been found that the end groups of PEG derivatives affect the complexation kinetics greatly, but have only a little influence on the thermodynamic behavior. By increasing the hydrophobicity of end groups, the complexation speeds up rapidly. On the other hand, the bulky end groups slow down the threading of polymeric guests into the cavity of CD. By changing the hydrophobicity and the size of end groups, the complexation rate can be adjusted in the range of several orders of magnitudes, which should be quite useful in the design of new supramolecular systems. © 2006 Wiley Periodicals, Inc. J Polym Sci Part B: Polym Phys 44: 2050–2057, 2006 相似文献
140.