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91.
92.
平原农田防护林杨树生长模型及应用研究 总被引:1,自引:0,他引:1
应用MATLAB6.5软件,采用经典理论生长方程Logistic方程、Richards方程、单分子式(Mitscherlich)方程对苏北平原建湖县农田防护林I-72杨的平均高、优势高、平均胸径、平均材积生长数据进行曲线拟合.结果表明,Logistic方程拟合胸径、平均高生长效果最好,而Richards方程拟合优势高、材积生长效果最好,并运用拟合模型结果进行立地质量评价和成熟龄确定. 相似文献
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分析了宜宾热源公司热电厂锅炉给水处理工艺的问题,指出因为原采用二级钠离子软化工艺水质不达标,造成频繁爆管,严重影响生产的不良后果.介绍了技术改造措施及效果:在原工艺基础上引入复床,将给水硬度控制在2.0μmol/L以下,碱度、氯根及电导率电得到控制,系统运行将近一年,水质稳定,锅炉运行正常安全,不仅消除了以前的生产隐患,而且节约了大量运行成本. 相似文献
94.
缩合型硅橡胶与金属的粘接研究 总被引:1,自引:0,他引:1
在以南大α系列硅烷偶联剂为基础的交联增粘体系中,引入某些γ系列硅烷偶联剂及增粘助剂,制成单组分室温硫化型粘合剂,并测定了其与铝、铜及不锈钢的粘接性能关系.研究表明:在既定的体系中加入KH-550、KH-792、WD-30以及KH-550与KH570的反应物可有效提高粘合剂对铝合金、黄铜及不锈钢的内聚破坏率,而且KH-550、KH-792还有助于改善粘合剂的贮存稳定性. 相似文献
95.
对于高温高压下氩等离子体的电离度和物态方程,本文给出了一种基于Thomas-Feimi(TF)统计模型的简化计算新方法:首先将TF模型电离势的数值结果进行函数逼近,给出一个便于数值求解的计算电离度的近似计算方法,并由此计算了局部热动平衡下的氩等离子体在10~1000 eV高温范围内的物态方程.计算结果与国外报道的其他几种理论模型的计算结果均符合很好,与实验值也吻合较好.本文所提出的简单模型也适用于计算混合物物态方程,可以在电磁发射技术领域中的强电离等离子体中有更为广阔的应用前景. 相似文献
96.
97.
复变函数论教学内容与教学方法的新探 总被引:1,自引:0,他引:1
随着高中数学教材内容的不断更新,高师院校复变函数论课程内容和教学方法的调整势在必行。本文在分析现状的前提下,就复变函数论课程内容和教学方法进行了一些有益的探索。 相似文献
98.
GPS/SINS组合导航系统在运载火箭中的应用 总被引:1,自引:1,他引:0
针对运载火箭特点,着重研究在发射惯性坐标系下,位置、速度组合模式的GPS/SINS组合导航算法,推导了该坐标系下的惯导一阶误差传播方程,建立了该坐标系下GPS/SINS组合导航系统的状态方程和观测方程,并进行了相关数学仿真验证。仿真结果表明,在该坐标系中,GPS/SINS组合导航算法能较准确地给出运载火箭的位置、速度和姿态信息,提高运载火箭制导精度。 相似文献
99.
Moessbauer studies on the effect of substitution with 3% Al, Co, Mn atoms in the intermetallic compound of Hf0.8Ta0.2Fe2 are reported. The Al substitution leads to increase of the FM-AFM transition temperature and to decrease of the AFM-PM transition temperature. The Co substitution leads to disappearance of the FM state, only showing some FM impurity component, while Mn substituted compound indicates coexistence of FM and AFM states at low temperature. The phenomena imply complex itinerant electron properties in these magnetic systems. 相似文献
100.
Reduction of Dislocations in GaN Epilayer Grown on Si (111) Substrates using a GaN Intermedial Layer 下载免费PDF全文
GaN intermedial layers grown under different pressures are inserted between GaN epilayers and AIN/Si(111) substrates. In situ optical reflectivity measurements show that a transition from the three-dimensional (3D) mode to the 2I) one occurs during the GaN epilayer growth when a higher growth pressure is used during the preceding GaN intermedial layer growth, and an improvement of the crystalline quality of GaN epilayer will be made. Combining the in situ reflectivity and transmission electron microscopy (TEM) measurements, it is suggested that the lateral growth at the transition of growth mode is favourable for bending of dislocation lines, thus reducing the density of threading dislocations in the epilayer. 相似文献