夸克胶子等离子体中的次带头阶得拜屏蔽质量

采用实时有限温度下的QCD,考虑到胶子的衰减率计算了QGP中次领头阶得拜屏蔽质量的贡献,克服了通常计算中的红外发散的困难,且不必引入非微扰的磁屏蔽质量作红外截断.指出了所得结果的正定性和规范无关性并与格点模拟的结果进行了比较.     

1313nm脉冲泵浦下掺Er3+光纤中多波长可见光的产生

本文报道了以1313nmNd:YLF激光脉冲泵浦掺饵(Er³⁺)单模GeO₂/SiO₂光纤而产生多波长可见光的实验,在该光纤中观察到(463～510)nm间的多波长放大自发辐射过程,此过程对应于Er³⁺离子的²G_7/2等几个激发态到⁴I_13/2亚稳态的跃迁.其激发过程是分步的四光子吸收过程,同时,掺饵光纤的红外发射峰1530nm(⁴I_13/2-⁴I_15/2)与1313nm泵浦光之间的三波混频过程也对这一区间的连续多峰的光谱结构有贡献.实验中还观察到540nm附近的绿光辐射.     

关于迭代Tikhonov正则化的最优正则参数选取

本文讨论了算子和右端都近似给定的第一类算子方程的迭代Ｔｉｋｈｏｎｏｖ正则化，给出了不依赖于准确解的任何信息但能得到最优收敛阶的正则参数选取法。     

制备XS(X=Ca,Sr)的一种优化工艺

本文利用一种新的制备工艺进行了XS(X=Ca,Sr)基质发光材料的合成;利用X-射线衍射等手段进行了反应效率、产物纯度、化学稳定性和材料的结晶学参数等研究实验结果表明,该方法比目前广泛采用的工艺具备更多优点。     

多模虚共轭相干态与多模真空态组成的叠加态光场的等阶N次方H压缩

构造了由多模虚共轭相干态|{iZ_j^*}〉_q与多模真空态|{0_j}〉_q两者的线性叠加所组成的两态叠加多模叠加态光场|{Ψ_q⁽²⁾}〉_q.利用多模压缩态理论,首次对该态的等阶N次方H压缩特性进行了详细研究.结果发现:态|{Ψ_q⁽²⁾}〉_q是一种典型的多模非经典光场,它可呈现出周期性变化的、任意阶的等阶N次方H压缩效应.     

Zn Belavin模型的反射矩阵

本文得到了Zⁿ Belavin模型反射矩阵的矩阵元表达式,在退化到三角极限后,得到了非对角的三角统计模型的反射矩阵.     

Melting behavior of lamellae of isotactic polypropylene studied using hot-stage atomic force microscopy

The α- and β-form lamellae of isotactic polypropylene were developed at different temperatures. The melting behaviors of the lamellae were observed in real time at elevated temperatures using a hot-stage atomic force microscopy. The melting behavior of the α-form lamellae was determined by the lamellar defects. For the α-form lamellae developed at different undercoolings, the larger the undercoolings, the relatively higher amount of defect in the lamellae was observed. The lamellae with defects were melted into lamellar segments, and recrystallization took place during the heating process. The β-form lamellae had lower thermal stability, and they melted firstly and separately from that of α-form.     

厚度对光聚物高密度全息存储记录参量的影响

本文用实验方法研究了光致聚合物的曝光时间常量、曝光能量常量、动态范围、曝光灵敏度和折射率调制度等高密度全息存储参量随样品厚度的变化规律,结果表明随着样品厚度的增加,曝光能量常量、曝光时间常量及材料的动态范围也增加,但材料的曝光灵敏度却减小,而折射率调制度却没有明显的变化规律.     

GaAs光电阴极片原子级表面清洁方法的研究及评价

本文对GaAs光电阴极片UHV系统中原子级表面清洁方法做了研究,它们是:光加热法、直接加热法、离子轰击加退火法、热子加热法,表面清洁效果用装于UHV系统中间在线俄歇检测,表面质量用Aa/GaAuger峰高进行比较,指出两种用于第三代象增强器光电阴极的表面清洁方法:CS-离子轰击加退火法和热子背加热法。     

相变域硅薄膜材料的光稳定性

采用RF-PECVD技术，通过改变反应气体的硅烷浓度制备了一系列不同晶化率不掺杂的硅薄膜材料，研究了工艺变化对材料结构的影响及材料光电特性同微结构的关系.随后进行了光衰退试验，在分析光照前后光电特性变化规律的基础上，认为材料中的非晶成分是导致材料光电特性衰退的主要原因.在靠近过渡区非晶一侧的硅材料比普通非晶硅稳定，衰退率较少；高晶化率微晶硅材料性能稳定，基本不存在光衰退；在靠近过渡区微晶一侧的硅材料虽然不是完全不衰退，但相比高晶化率硅材料来说更适合制备高效微晶硅电池. 关键词： 射频等离子体增强化学气相沉积 硅薄膜 Staebler-Wronski(SW)效应 稳定性