引导磁场下磁性药物靶向治疗的理论分析

应用电磁场理论，对引导磁场下铁磁性“药物”颗粒在靶向治疗中的受力和运动轨迹进行了分析和研究.得到了磁场、血流和血管壁对铁磁性“药物”颗粒的作用及运动规律.给出了铁磁性“药物”在靶向治疗中可采用的一种新方法——利用体外磁激励装置产生的变化磁场来实现铁磁性“药物”靶向治疗，还给出了采用这种方法实现靶向治疗的条件. 关键词： 磁性药物 靶向治疗 血流动力学 引导磁场     

不连续不可逆二维映象的动力学特性

总结两个保守映象不可逆地分段连续链接(称为类耗散系统)以及一个保守映象与一个耗散映象不可逆地分段连续链接(称为半耗散系统)情况下得到的五项共同动力学特征：不连续边界象集构成的随机网成为唯一的混沌轨道；由于某些相点具有两个逆象而导致的相空间塌缩(类耗散)；由于系统的不连续不可逆性质而出现的胖分形禁区网；在具有吸引子共存时占据不连续边界象集随机网和胖分形禁区网区域的点滴状吸引域以及由此导致的吸引子不可预言性；即使在传统强耗散存在的情况下点滴状吸引域仍由类耗散机制主宰.以一个累积-触发电路为例，说明这五项系统动 关键词： 随机网 禁区网 点滴状吸引域     

〈111〉晶向冲击加载下单晶铜中纳米孔洞增长的早期动力学行为

利用分子动力学方法模拟计算了单晶铜中纳米孔洞在沿〈111〉晶向冲击加载下增长的早期过程.测量发现不同加载强度下等效孔洞半径随时间近似成线性变化.观测到单孔洞增长的两种位错生长机理：加载强度较低时，只在沿着冲击加载方向的孔洞顶点附近区域有位错的成核和运动；而随着加载强度超过一定阈值，在沿冲击加载和其垂直方向的孔洞顶点区域都观察到位错的成核和运动.在前一种机理作用下，孔洞只沿加载方向增长；在后一种机理作用下，孔洞同时沿加载和垂直于加载方向增长.分析孔洞表面原子的位移历史，发现沿加载及与其垂直方向的孔洞顶点沿径向的速度基本恒定，由此提出了一个孔洞生长模型，可以解释孔洞增长的线性生长规律. 关键词： 纳米孔洞 分子动力学 冲击加载 位错     

含有五边形—七边形缺陷的单壁纳米碳管的输运性质研究

运用第一性原理的密度泛函理论结合非平衡格林函数研究了含有五边形—七边形拓扑缺陷的纳米碳管异质结的输运性质.结果发现：拓扑缺陷对碳管的输运性质有很大影响；另外，不同类型的碳管形成的异质结的输运性质也有明显的差异. 关键词： 纳米碳管 输运性质 异质结 透射系数     

具有非均匀渐变界面DBR的光学特性分析

应用特征矩阵法研究了非均匀渐变界面Al_0.9Ga_0.1As/Al_yGa_1-yAs/GaAs/Al_xGa_1-xAs DBR的光学特性.建立了非均匀渐变界面Al_yGa_1-yAs的折射率模型，并得到了渐变界面特征矩阵的解析解，通过特征矩阵法分别计算了突变GaAs/Al_0.9Ga_0.1As DBR和渐变DBR的反射谱和反射相移，分析了非均匀渐变层对DBR光学特性的影响，对渐变DBR，需要在DBR前面再增加一定厚度的非均匀渐变相位匹配层才能使整个DBR满足中心波长相位匹配条件，并通过光学厚度近似方法求出相位匹配层厚度. 关键词： DBR 反射谱 反射相移 特征矩阵法     

In-beam spectroscopy of 253, 254No

In-beam conversion electron spectroscopy experiments have been performed on the transfermium nuclei ^{253, 254}No using the conversion electron spectrometer SACRED in nearly collinear geometry in conjunction with the gas-filled separator RITU at the University of Jyv?skyl?. The experimental setup is discussed and the spectra are compared to Monte Carlo simulations. The implications for the ground-state configuration of ²⁵³No are discussed. Received: 21 March 2002 / Accepted: 16 May 2002 / Published online: 31 October 2002 RID="a" ID="a"e-mail: rdh@ns.ph.liv.ac.uk RID="b" ID="b"Present address: GANIL, F-14021 Caen, France. RID="c" ID="c"Permanent address: IReS Strasbourg, IN2P3-CNRS, F-67037-Strasbourg, France. RID="d" ID="d"Present address: CEA/DIF DCRE/SDE/LDN F-91680 Bruyeres-le-Chatel. RID="e" ID="e"Present address: Daresbury Laboratory, Daresbury WA4 4AD, UK. RID="f" ID="f"Permanent address: IPN Lyon, IN2P3-CNRS, F-69037 Lyon, France.     

Fabrication of bamboo-shaped GaN nanorods

Bamboo-shaped GaN nanorods were formed through a simple sublimation method. They were characterized by means of X-ray powder diffraction (XRD), transmission electron microscopy (TEM), high-resolution transmission electron microscopy (HRTEM) and selected-area electron diffraction (SAED). The TEM image showed that the nanorods were bamboo-like. XRD, HRTEM and SAED patterns indicated that the nanorods were single-crystal wurtzite GaN. Received: 8 January 2001 / Accepted: 28 April 2001 / Published online: 20 December 2001     

狭缝法测量X射线斑点大小

 应用狭缝光阑成像法测量X射线斑点大小,通过狭缝成像获得光源的线扩展函数和调制传递函数MTF,而后从MTF为0.5所对应的空间频率之值确定出光源的光斑大小。应用该方法测量得到12 MeV 直线感应加速器(LIA)X射线斑点大小为3.2 mm,及磁透镜在不同焦距下的X射线斑点大小。该项测量为12 MeV LIA电子束聚焦调试实验提供有效判据。     

SiGe HBT大信号等效电路模型

基于SiGe HBT(异质结双极晶体管)的物理模型，建立了描述SiGe HBT的大信号等效电路模型.该等效电路模型考虑了准饱和效应和自热效应等，模型分为本征和非本征两部分，物理意义清晰，拓扑结构相对简单.该模型嵌入了PSPICE软件的DEVEO(器件方程开发包)中.在PSPICE软件资源的支持下，利用该模型对SiGe HBT器件进行了交直流特性模拟分析，模拟结果与理论分析结果相一致，并且与文献报道的结果符合较好. 关键词： SiGe HBT 等效电路模型 PSPICE     

氯原子光诱导能级移动和增宽

应用半经典的微扰论方法计算出了氯原子光诱导能级移动和增宽，其大小与光强成正比。光频率为41018cm^-1时，氯原子初态3p^52P3/2^0和3p^52P1/2^0在非共振情况下，光移动分别为67．6和26．9MHz/Wμm^-2。当激光频率V接近3P^52P3／2^0→4s^2P3/2的跃迁频率时，氯原子基态3p^52P3/2^0的|MJ,MI>=|-1/2,3/2>→|1/2,3/2>超精细ESR谱线发生近共振频率光移动，大小量级为0．1MHz/Wμm^-2，能级增宽一般远小于光移动。