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841.
张浩  赵建林  张晓娟 《物理学报》2009,58(5):3532-3537
利用频域有限差分方法分析了多种带缺陷结构二维磁性光子晶体(二重对称,四重对称和六重对称结构)的法拉第旋转角与椭圆率的变化特性.结果表明:在这些结构中,光波均被局域在中心缺陷处;同时,对于具有四重对称轴结构的材料,在其法拉第旋转角增加的同时,出射光波的椭圆率没有明显的增加;但对于不具有四重对称轴结构的材料,其法拉第旋转角增加的同时,出射光波的椭圆率也在增加.因此,只有在具有四重对称轴结构的二维磁性光子晶体中引入缺陷,才能很好地抑制光波偏振态的变化.这种带缺陷的二维磁性光子晶体结构有可能用于制作磁性光子晶体光 关键词: 磁光效应 二维磁性光子晶体 缺陷 频域有限差分法  相似文献   
842.
高场应力及栅应力下AlGaN/GaN HEMT器件退化研究   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
采用不同的高场应力和栅应力对AlGaN/GaN HEMT器件进行直流应力测试,实验发现:应力后器件主要参数如饱和漏电流,跨导峰值和阈值电压等均发生了明显退化,而且这些退化还是可以完全恢复的;高场应力下,器件特性的退化随高场应力偏置电压的增加和应力时间的累积而增大;对于不同的栅应力,相对来说,脉冲栅应力和开态栅应力下器件特性的退化比关态栅应力下的退化大.对不同应力前后器件饱和漏电流,跨导峰值和阈值电压的分析表明,AlGaN势垒层陷阱俘获沟道热电子以及栅极电子在栅漏间电场的作用下填充虚栅中的表面态是这些不同应 关键词: AlGaN/GaN HEMT器件 表面态(虚栅) 势垒层陷阱 应力  相似文献   
843.
Co–Al2O3 granular films with a narrow distribution in cluster size of Co clusters embedded in Al2O3 matrix were prepared by sequential deposition based on self-organized growth. Resistivity dependence of giant magnetoresistance (GMR) was studied. The GMR takes a maximum of 5.2% at room temperature and 9.4% at 13 K and 5700 Gs when the resistivity of the sample is 4×105–7×105 μΩ cm. The temperature dependence of resistivities and GMR were discussed especially. A temperature dependence of conductance ρ∼exp[T1/(T+T0)] was found, which indicates the dominant conduction mechanism is fluctuation-induced tunneling. A linear relationship of GMR versus T was observed, GMR=akT, in applied magnetic field 5700 Gs. The remarkable character of temperature dependence of GMR should be due to the special microstructure that the clusters are monodispersed in the films.  相似文献   
844.
In this note, we propose a new model of agegraphic dark energy based on the Károlyházy relation, where the time scale is chosen to be the conformal time η   of the Friedmann–Robertson–Walker (FRW) universe. We find that in the radiation-dominated epoch, the equation-of-state parameter of the new agegraphic dark energy wq=−1/3wq=1/3 whereas Ωq=n2a2Ωq=n2a2; in the matter-dominated epoch, wq=−2/3wq=2/3 whereas Ωq=n2a2/4Ωq=n2a2/4; eventually, the new agegraphic dark energy dominates; in the late time wq→−1wq1 when a→∞a, and the new agegraphic dark energy mimics a cosmological constant. In every stage, all things are consistent. The confusion in the original agegraphic dark energy model proposed in [R.G. Cai, Phys. Lett. B 657 (2007) 228, arXiv: 0707.4049 [hep-th]] disappears in this new model. Furthermore, Ωq?1Ωq?1 is naturally satisfied in both radiation-dominated and matter-dominated epochs where a?1a?1. In addition, we further extend the new agegraphic dark energy model by including the interaction between the new agegraphic dark energy and background matter. In this case, we find that wqwq can cross the phantom divide.  相似文献   
845.
针对大口径望远镜拼接式主镜,提出一种基于迈克尔逊干涉原理的低相干光谱干涉检测系统.应用该系统对拼接子镜间相位失调误差进行实时检测,进而对失调子镜进行相应校正,以实现拼接子镜的共面排布.子镜间相位误差通过干涉图形间的不匹配性进行提取.给出了该低相干光谱干涉检测系统的具体结构,叙述了该干涉检测系统的检测原理.针对该系统的干涉条纹对比度V及系统的最低信噪比SNRdBmin进行了分析,论证了通过该低相干光谱干涉检测系统进行子镜间相位误差检测的可行性.  相似文献   
846.
郑小平  张佩峰  李发伸  郝远 《物理学报》2009,58(8):5768-5772
系统研究了室温下Tb0.3Dy0.6Pr0.1(Fe1-xAlx1.95x=0.05,0.1,0.15,0.2,0.25,0.3)合金中元素Al替代Fe对结构、磁性、磁致伸缩性能和自旋重取向的影响.测量结果发现,x<0.2时Tb0.3Dy0.6Pr0.1(Fe1-xAlx1.95合金基本上是纯的单相,x=0.2时出现其他杂相,杂相随Al替代量的增加不断增多.随Al替代量x的增加,点阵常数a接近于线性增大,Curie温度TC逐渐下降,而矫顽力Hc急剧下降.振动样品磁强计(VSM)测量发现,磁化强度M随Al替代量x的变化较为复杂.VSM计和磁致伸缩效应测量共同表明,少量Al的替代有利于降低磁晶各向异性,而且随着Al替代量x的增多磁致伸缩系数快速减小,x>0.15时巨磁致伸缩效应消失.穆斯堡尔效应研究发现,随Al含量的增加Tb0.3Dy0.6Pr0.1(Fe1-xAlx1.95合金中易磁化轴可能在{110}面逐渐偏离了立方晶体的主对称轴,发生自旋重取向,从而引起合金宏观磁性、磁致伸缩性能的变化. 关键词: 磁致伸缩 立方Laves相 自旋重取向 穆斯堡尔谱  相似文献   
847.
研发了一套太阳能全天候监控系统设计性实验。该实验通过对太阳能电池板基本物理性能的测定,了解其工作原理,然后选择合适的控制器件与负载,设计电路,最后形成一套由太阳能电池板提供能量,实现全天候监控的应用系统。该实验不仅能够作为设计性实验用于大学物理实验,而且可以应用于许多工程领域。  相似文献   
848.
基于直波导和环形谐振腔的耦合特性,设计了一种新型、高效的二维光子晶体异质结构光分束器.时域有限差分法模拟表明,该设计仅仅通过改变介质柱的折射率,使光场发生重新分布,便可实现输出能量的均分或自由分配.在通信波长范围,该设计结构尺寸小、分束角度大、分束率高,这些特性使其在光通信领域具有重要的应用前景.  相似文献   
849.
针对强电磁脉冲孔耦合瞬态响应的极点参数提取问题,将传统的矩阵束算法进行改进。通过对含有噪声的瞬态响应数据进行互相关处理,能有效提高低信噪比时极点的提取精度。再将数据经离散化后构造Hankle矩阵,结合奇异值分解,求解其广义特征值,即可提取信号的极点参数信息。最后通过仿真分析以及对波形的重构,验证改进算法具有抗噪能力强、拟合度高的特点。  相似文献   
850.
针对相对论磁控管中自磁场的产生与分布、自磁场对电子运动的影响以及自磁场对互作用的影响进行了深入分析。分析认为,由于自磁场分布的不对称,自磁场对不同区域电子束的作用不同。加速器一侧的电子束受到更明显的自磁场作用,促使此区域的电子束角向速度增加,直接激化模式竞争。同时,如果阴极比较靠近加速器一侧的1/4区域(距磁控管对称中心大约1/4高度),模式竞争将进一步被激化。  相似文献   
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