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41.
将三阶微扰理论应用于单晶GaAs半导体,结合与实际相接近的能带结构,得到了GaAs中三光子吸收系数的解析式表达式,在考虑了激发电子的逃逸过程的情况下,进而推导了负电子亲和势GaAs光电阴极中三光子光电发射的发射系数的解析表达式.两表达式得到的理论数值分别与用ns量级脉宽、2.06μm波长的激光测得的GaAs中三光子吸收系数和GaAs(Cs,O)光电阴极中三光子发射系数的实验值相比较,吻合较好. 相似文献
42.
全纯函数族的正规定则 总被引:2,自引:0,他引:2
Let f be a holomorphic function on a domain D Lontaiu in C, and let a be a finite complex number. We denote by -↑Ef/(a) = {z ∈ D : f(z) = a, ignoring multiplicity} the set of all distinct α-points of f. Let F be a family of holomorphic functions on D. If there exist three finite values a, b(≠ O,α) and c(≠ O) such that for every f ∈F, -↑Ef′/(0) Lontain in -↑Ef(α) and -↑Ef′ (b) Lontain in -↑Ef(c), then F is a normal family on D. 相似文献
43.
对带有一般实参数第三类Painlevé方程,已有γ<0,δ>0时,解的有界性以及振荡渐近解的表达形式的结论.在本文中,我们给出当δ=0或γ=0时其振荡渐近解的表达形式. 相似文献
44.
45.
46.
本文研究了由目标函数扰动的集值优化问题的有效点集所定义的集值映射的半连续性.讨论了目标函数扰动的集值优化问题在上半连续意义下的稳定性.特别地,在广义适定性条件下,证明了集值优化问题在上半连续意义下的稳定性. 相似文献
47.
48.
二阶系统性能参数的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
系统地总结了二阶系统动力学方程、传递函数、状态方程、时间响应及各种性能指标,并对其进行了详细的讨论,同时揭示了各种方法之间的内在联系及应用中注意的问题。 相似文献
49.
本文使用详细的化学反应机理模拟了C2H6/O2/N2/AR层流对冲扩散火焰中多环芳烃的生成动力学过程。反应机理包括96种组分的502个基元反应。通过数值计算分析了层流对冲火焰的结构和主要反应物、中间物质和反应产物的浓度变化,并与相关文献的实验结果进行了比较。结果表明,数值模拟在燃烧过程和PAH生成规律上与实验结果是一致的,但在某些组分的定量预报上存在一定的差别。 相似文献
50.
水热法合成了YL iF4∶Er3 ,Tm3 ,Yb3 ,其中Er3 、Yb3 和Tm3 的摩尔分数分别为1%、1.5%和2%。当用355 nm光激发时,其发光为蓝色,峰值位于450 nm,对应于Tm3 的1D2→3F4跃迁。用378 nm激发时,发光为绿色,主要发光峰位于552 nm。980 nm光激发时,发光为白色,发光峰分别位于665(651),552(543),484,450 nm处,并在648 nm处还观察到了一个发光峰,其中最强的发射为红光。YL iF4∶Er3 ,Tm3 ,Yb3 的蓝光来源于Tm3 的激发态1G4到基态3H6的跃迁,绿光来源于Er3 的4S3/2和2H11/2到基态4I15/2的跃迁,红光既来源于Tm3 的1G4→3F4的跃迁,也来源于Er3 的4F9/2→4I15/2的跃迁。在上转换发光中,还探测到了紫外光359 nm的发射。监测665 nm得到的激发光谱不同于监测552 nm的激发光谱,在665 nm的激发光谱中出现了对应Tm3 的1G4能级的峰。在双对数曲线中,蓝光484 nm、绿光552 nm和红光665 nm的斜率分别为2.25、2.28和2.21,紫外光359 nm的斜率为2.85。因此在980 nm激发下,蓝光484 nm、绿光552 nm和红光665 nm都是双光子过程,紫外光359 nm的发射是三光子过程。 相似文献