一种由自由电子能带模型计算费米能级的方法

对面心立方（fcc)、体心立方（bcc)和六角密堆积（hcp)三种不同结构的晶体,在假设它们的原胞中包含8个价电子并将价电子近似为自由电子的情况下,采用“自由电子气理论”和“自由电子能带模型”,研究其根据费米球确定的费米能级EF与根据自由电子能带模型计算的平均键能Em。研究结果表明,由自由电子能带模型计算所得3种不同结构晶体（因而电子密度也不一样）的平均键能Em等于各自自由电子系统的费米能级EF。平均键能Em是我们在异质结带阶理论计算中建议的一种参考能级,研究结果在深化对平均键能Em物理实质认识的同时,提供了一种借助于自由电子能带模型计算自由电子系统费米能级EF的新方法。     

多晶硅薄膜低温生长中的表面反应控制

报道用SiF₄和H₂的间接微波等离子体化学气相沉积方法低温生长多晶硅(poly-Si)薄膜.实验发现,等离子体中的离子、荷电集团对薄膜生长表面的轰击是影响薄膜结晶质量的重要因素之一.通过外加偏压抑制这些荷电粒子的动能是控制表面生长反应、制备高质量ploy-Si薄膜的有效方法.在合适的外加偏压下制备的poly-Si薄膜,氢含量仅约为0.9at%,中心位于520cm^-1的Raman特征峰半高宽约为4.4cm^-1. 关键词： 多晶硅薄膜 低温生长 表面生长反应 外加偏压     

电子初始能量对双向流二极管空间电荷限制流密度的影响

 从理论上研究了阴极发射电子初始能量对一维平面非相对论性双向流二极管内空间电荷限制电子、离子流密度的影响,并与阴极发射电子初始能量为0情况下的空间电荷限制电子、离子流密度进行了比较。     

高能π–p碰撞J/ψ+γ硬衍射产生

用I–S模型与夸克偶素的色八重态产生机制,对πp碰撞J/ψ+γ协同产生的单衍射过程的微分截面及总截面进行计算,结果表明,把J/ψ+γ协同产生的单衍射过程和单举过程相结合,可以探测Pomeron中的胶子成分并对硬衍射因子化进行检验.     

活体声荧光成像研究

声荧光应用于生物组织成像研究是最近二年发展起来的新兴领域,本文报道利用高灵敏度的致冷CCD探测系统获取了活体声荧光图像,同时利用一种能在活体内增强声荧光的化学发光试剂FCLA（Fluoresceinyl Cypridina Luminescent Analog,海荧荧光素类似物）,成功地实现了在动物在体成像,这种方法可望在医学影像诊断中得到广泛的实际应用。     

正电子湮没寿命谱的傅里叶变换分析法

本文提出了一种通过傅里叶变换在频域内进行正电子湮没寿命谱分析的方法。文中对正电子湮没寿命谱的傅里叶变换谱的基本特性和该方法的潜在优点进行了若干讨论。 关键词：     

HL-1装置杂质控制与补充送气初步实验

将部分真空室内壁蒸钛,使Z_(eff)降低到2左右,电流坪区拉长到近400ms。用多个窄脉冲补充送气,获得了密度较高的等离子体,最大达到3. 7×10~(13)cm。实验结果表明,当前改善HL-1装置放电品质的关键在于控制杂质。     

形变非晶合金的力学和电学性能

用特制装置测量了Pd基、Cu基、Ni基和Fe基的十五种非晶合金在弹性和范性形变过程中的电阻相对变化ΔR/R。同时测定了某些非晶合金丝的密度D,电阻率ρ和比例极限强度σ_p。随面缩率ψ的变化。实验结果表明,在p—ε和ΔR/R-ε曲线上存在弹性、滞弹性和范性形变三个阶段。在第一、二阶段应力p和ΔR/R随应变ε线性增加。密度、电阻率和比例极限强度随ψ的变化是显著的,当ψ>3％后它们的变化很小。最后,讨论了非晶合金的范性流变机制。 关键词：     

纳米硅薄膜光吸收谱的研究

用恒定光电导法测量了纳米硅(其晶粒尺寸为3-5nm,晶态成分比X_c为45％—50％)薄膜在0.9—2.5eV范围的光吸收谱。分析了在不同光子能量范围可能存在的对光电导作主要贡献的几种光跃迁过程,以及随着X_c的增加,材料由非晶、微晶转变为纳米硅薄膜时光吸收谱的变化。发现纳米硅晶粒之间的界面区(平均厚度约为1nm)中载流子的跃迁及传输过程对整个范围的光吸收谱起主导作用。联系纳米硅的这种特殊结构解释了有关实验结果。 关键词：     

121Sb穆斯堡尔同质异能移研究

本文从理论上研究¹²¹Sb的穆斯堡尔同质异能移,从能带理论的观点研究固体电子结构,提出压缩原子模型,考虑固体中原子体积的有限性,并在此基础上计算核内电子电荷密度和¹²¹Sb的穆斯堡尔定标常数。 关键词：