全文获取类型
收费全文 | 49934篇 |
免费 | 5706篇 |
国内免费 | 6474篇 |
专业分类
化学 | 18933篇 |
晶体学 | 692篇 |
力学 | 1427篇 |
综合类 | 441篇 |
数学 | 3065篇 |
物理学 | 10212篇 |
综合类 | 27344篇 |
出版年
2024年 | 124篇 |
2023年 | 502篇 |
2022年 | 1001篇 |
2021年 | 1221篇 |
2020年 | 1296篇 |
2019年 | 1338篇 |
2018年 | 1162篇 |
2017年 | 1306篇 |
2016年 | 1524篇 |
2015年 | 2103篇 |
2014年 | 2625篇 |
2013年 | 3206篇 |
2012年 | 3714篇 |
2011年 | 3935篇 |
2010年 | 3537篇 |
2009年 | 3702篇 |
2008年 | 4144篇 |
2007年 | 3876篇 |
2006年 | 3604篇 |
2005年 | 3177篇 |
2004年 | 2612篇 |
2003年 | 1957篇 |
2002年 | 2150篇 |
2001年 | 1943篇 |
2000年 | 1596篇 |
1999年 | 1103篇 |
1998年 | 582篇 |
1997年 | 489篇 |
1996年 | 424篇 |
1995年 | 349篇 |
1994年 | 340篇 |
1993年 | 284篇 |
1992年 | 201篇 |
1991年 | 219篇 |
1990年 | 139篇 |
1989年 | 132篇 |
1988年 | 107篇 |
1987年 | 64篇 |
1986年 | 63篇 |
1985年 | 54篇 |
1984年 | 32篇 |
1983年 | 28篇 |
1982年 | 20篇 |
1981年 | 33篇 |
1980年 | 19篇 |
1979年 | 15篇 |
1978年 | 9篇 |
1977年 | 7篇 |
1959年 | 5篇 |
1955年 | 6篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 31 毫秒
61.
62.
采用石墨电阻加热的温梯法生长了V:YAG晶体,晶体的不同部位呈现两种不同的颜色:浅绿色和黄褐色.通过对比分析不同颜色V:YAG晶体的室温吸收光谱,推断出石墨发热体高温下扩散出来的C可以起到还原作用,提高晶体中V3+tetra离子的浓度,同时诱导了F心的形成.在1300℃下,对不同颜色的V:YAG晶体进行真空退火处理,发现处于八面体格位中的V3+离子在热激发作用下与近邻的四面体格位Al3+离子存在置换反应,由此产生一定浓度的四面体格位V3+离子.同时,F心在退火过程中被完全消除,释放出来的自由电子被高价态的V离子俘获,可以进一步提高晶体中四面体格位V3+离子的浓度. 相似文献
63.
64.
65.
66.
资本市场是市场经济的产物。我国的信贷资本市场是整个资本市场的重要组成部分,它运作的好坏,机制是否健全、灵活、高效,不仅决定着信贷资本的供求双方资本的质量和数量,而又在某种意义上也对国家的金融风险和经济安全产生巨大影响。 相似文献
67.
根据栅控恒压电晕充电组合反极性电晕补偿充电法的实验结果计算出铁电驻极体的极化强度.结果说明,伴随着薄膜内孔洞气体的Paschen击穿,该铁电体的极化强度随栅压增加而显著上升.利用上述充电方法和热刺激放电(TSD)谱的分析讨论了这类空间电荷型宏观电偶极子,及与其补偿的空间电荷热退极化的电荷动态特性;阐明了这两类俘获电荷的能阱分布,即构成宏观电偶极子的位于孔洞上下介质层内的等值异号空间电荷分别被俘获在深、浅两种能值陷阱内,而位于薄膜表面层的注入空间电荷则被俘获在中等能值陷阱中.
关键词:
反极性电晕补偿充电法
铁电驻极体
充电电流
热刺激放电 相似文献
68.
This paper reports that the m-plane GaN layer is grown on (200)-plane LiAlO2 substrate by metal-organic chemical wpour deposition (MOCVD) method. Tetragonal-shaped crystallites appear at the smooth surface. Raman measurement illuminates the compressive stress in the layer which is released with increasing the layer's thickness. The high transmittance (80%), sharp band edge and excitonic absorption peak show that the GaN layer has good optical quality. The donor acceptor pair emission peak located at -3.41 eV with full-width at half maximum of 120 meV and no yellow peaks in the photoluminescence spectra partially show that no Li incorporated into GaN layer from the LiAlO2 substrate. 相似文献
69.
70.