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Weidong Gao Meiqiong Zhan Shuhai Fan Janda Shao Zheng-Xiu Fan 《Applied Surface Science》2005,250(1-4):195-202
The laser-induced damage (LID) behavior of narrow-band interference filters was investigated with a Nd:YAG laser at 1064 nm under single-pulse mode and free-running mode. The absorption measurement of such coatings was performed with surface thermal lensing (STL) technique. The damage morphologies under the two different laser modes were also studied in detail. It was found that all the filters exhibited a pass-band-center-dependent absorption and laser-induced damage threshold (LIDT) behavior, but the damage morphologies were diverse. The explanation was given with the analysis of the electric field distribution and the operational behavior of the irradiation laser. 相似文献
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Hong-Wen Gao 《Journal of Analytical Chemistry》2003,58(4):328-332
The reactions between Cu(II) and picramine CA (PCA) and Al(III) and PCA were both sensitive at pH 7. The competition coordination between Cu and the Al–PCA complex was applied to the selective determination of Cu (CCSD) by the spectral correction technique. Results have shown that the complexes formed at pH 7 are Al2(PCA) and Cu(PCA)3, their cumulative stability constants are 4.43 × 105 and 2.08 × 1015, respectively, and their real molar absorptivities are 5.78 × 103 at 650 nm and 3.19 × 104at 530 nm. At the analysis of the samples, the relative standard deviation (RSD) was 5.0% and the recovery rate of Cu was between 94 and 108%. 相似文献
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Deposition of Hydrogen-Free Silicon Nitride Thin Films by Microwave ECR plasma Enhanced Magnetron Sputtering at Room Temperature 下载免费PDF全文
Hydrogen-free silicon nitride (SiNx) films were deposited at room temperature by microwave electron cyclotron resonance (MW-ECR) plasma enhanced unbalance magnetron sputtering system. Both Fourier-transform infrared spectroscopy and x-ray photoelectron spectroscopy are used to study the bonding type and the change of bonding structures of the silicon nitride films. The results indicate that the chemical structure and composition of SiNx films deposited by this technique depend strongly on the N2 flow rates, the stoichiometric SiNx film, which has the highest hardness of 22.9 GPa, could be obtained at lower N2 flow rate of 4 sccm. 相似文献
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在程序升温条件下 ,用DSC研究了标题化合物的放热分解反应动力学 .用线性最小二乘法、迭代法以及二分法与最小二乘法相结合的方法 ,以积分方程、微分方程和放热速率方程拟合DSC数据 .在逻辑选择建立了微分和积分机理函数的最可几一般表达式后 ,用放热速率方程得到相应的表观活化能 (Ea)、指前因子 (A)和反应级数 (n)的值 .结果表明 :该反应的微分形式的经验动力学模式函数、Ea 和A值分别为 (1-α) 0 .44、2 30 .4kJ/mol和 10 18.16s-1.借助加热速率和所得动力学参数值 ,提出了标题化合物放热分解反应的动力学方程 .该化合物的热爆炸临界温度为 30 2 .6℃ .上述动力学参数对分析、评价标题化合物的稳定性和热变化规律十分有用 . 相似文献
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使用结构简单的单温炉设备,通过三步升温热解二茂铁、三聚氰氨混合物方法,在二氧化硅、多晶陶瓷基底上分别合成了碳纳米管阵列、碳纳米管捆束.使用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、电子能量损失谱和x射线光电子能谱对合成样品进行了结构和成分分析.结果显示:两种基底上合成的纳米管均为多壁纯碳管;生长于光滑二氧化硅表面的碳纳米管具有高度取向性和一致的外径,长度为10—40μm.碳纳米管采取催化剂顶端生长模式并展示出类杯状形貌;生长于粗糙多晶陶瓷表面的碳纳米管捆束随机取向,碳纳米管直径为15—80nm,长度在几百微米,展示
关键词:
碳纳米管
热解法
三步升温工艺 相似文献
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