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电弧-AES法测定金属硅中12个杂质元素 总被引:2,自引:0,他引:2
用直流电弧粉末法在氩气气氛中摄谱,消除硅带干扰,采用铍为内标,直接测定金属硅中12个杂质元素,此法较化学光谱法具有操作简便、快速,试剂耗量少;较化学法和分光光度法更加优越,能同时测定12个元素,更能反映金属硅的真实含量。 相似文献
824.
冷气喷射对直叶栅型面压力及气动损失分布影响的实验研究 总被引:3,自引:0,他引:3
提高燃气涡轮比功率,降低比油耗要通过升高涡轮入口温度和压气机压比实现,但必须对涡轮叶片实施诸如气膜冷却等保护措施。Ito和Goldstein[1],Yamamoto[2]等分别研究了冷气喷射对在叶栅气动性能的影响。本文通过实验研究了冷气喷射对叶型型面压力和叶栅流道内气动损失的影响,并得出了一些有意义的结论。1实验装置实验在哈尔滨工业大学发动机气体动力研究中心低速风洞实验台[3]上进行。图1及表1给出了实验用叶片型线(取自一典型涡轮导向器叶型),冷气喷射孔位置及静压孔分布。叶片表面前缘、吸力面后部和压力面后部开了三列孔,每列孔… 相似文献
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本文求出了Eliashberg方程在T=Tc时的解,得到了下面的临界温度级数表示式: 其中α0(μ*),α1(μ*)等系数是μ*的函数.此式表明,Tc不仅依赖于λ,〈ω2〉和μ*,而且依赖于有效声子谱α2F(ω)的各级矩〈ω2n〉.这是区别于前人的Tc公式最重要的一点。这说明像McMillan以及Allen和Dynes的Tc公式不仅是近似的,而主要是他们没有能正确地概括出α2F(ω)对Tc的影响. 相似文献
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本文定出超导临界温度Tc级数公式(1)的前几项系数。对于形式为α2F(ω)=(λω)/2[a1δ(ω-ω1)+(1-a1)δ(ω-ω2)]的双δ型有效声子谱及若干具体材料的谱,将级数公式计算的Tc与Allen-Dynes公式(以下简称A-D公式)及Eliashberg方程的数值解作了比较。计算表明,当级数(1)收敛时,级数公式计算的结果较A-D公式更接近于数值解。此外,本文还给出了一个近似的Tc级数公式,得到了估计该Tc级数收敛半径的方法,并计算了若干材料的收敛半径值。因此,可估计级数公式(1)的适用范围。
关键词: 相似文献
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SYNTHESISOFLINEARPOLYSILOXANEWITHPENDANT BENZO-15-C-5MOIETIESANDITSTRANPORTPROPERTIESINBULKLIQUIDMEMBRANESYSTEMCHENYuanyin;Lu... 相似文献
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