110kV冷绝缘高温超导电缆在故障电流下的温度计算与分析

研究了110kV冷绝缘高温超导电缆失超时,故障电流的分流情况,并以此为依据,建立了电缆在故障电流下失超时,温升与时间关系的计算模型;通过MATLAB对计算模型进行了求解,并对求解结果进行了分析;计算出了电缆在不同故障电流下,温度上升到不同值所需要的时间,进一步明确了故障电流的大小对电缆温升的影响。     

直流稳压电源波形演示器制作说明

直流稳压电源可以将交流电压变换为直流电压,并使之稳定,在我们现实生活中应用很广泛,在实验中我们利用的电学知识,设计制造了一种直流稳压电源。本文简要介绍了这种直流稳压电源波形演示器的设计目的和电路原理,重点阐述了它的制作流程、滤波和稳压原理以及性能测试输出波形。     

激光靶耦合中的部分角量子数平均原子模型

在一维平面非平衡多群辐射输运激光靶耦合总体程序RDMG角量子数平均原子模型的基础上,针对程序在计算如Au等高Z元素时,所需计算能级太多,计算量大的问题,合理的提出了只在部分能级考虑角量子数,其它能级考虑主量子数的部分角量子数平均原子模型.对比了新旧模型的数值模拟结果,结果显示,新模型得到了与原模型符合的很好的物理图像,同时计算时间由于计算能级数的减少而大大降低.     

V型三能级原子与非经典光场作用中光场特性的变化

研究了V型三能级原子BEC与双模压缩光场相互作用系统中,忽略原子间相互作用和考虑原子间相互作用时光场的正交压缩和光子数压缩。结果表明,光场的正交压缩依赖于压缩参数,而光子数压缩与压缩参数、光场信号强度有关,在一定条件下,两种压缩可同时存在。原子间相互作用影响两种压缩的涨落随时间变化的周期,以及正交分量涨落随时间变化的幅度,而对光子数压缩涨落随时间变化的幅度几乎无影响。     

The Ansatz Method for Analyzing Schrödinger’s Equation with Three Anharmonic Potentials in D Dimensions

In this letter, by applying a suitable ansatz to the wave functions, the solutions of the D-dimensional radial Schrödinger equation with some anharmonic potentials are obtained.     

高功率速调管聚焦磁场设计研究

 国产45 MW速调管是在原国产30 MW HK-1型速调管的基础上改进和发展起来的,其聚焦磁场设计也是参照30 MW速调管聚焦磁场设计并在其基础上加工改造完成。为此必须对旧聚焦系统进行改造,设计出符合需要的磁场分布,以满足45 MW速调管工作的需要。首先从理论上找出速调管工作时的理想磁场值,根据该磁场分布设计出相应的线圈结构;其次根据45 MW速调管的结构尺寸,对30 MW速调管的线圈支架进行改造,利用旧线圈和新支架组成新的聚焦系统;最后,根据理论模拟和测试结果,调整和优化各组线圈的电流值,给出速调管工作时的各组聚焦电源运行参考值。叙述了新聚焦线圈的理论设计和测试分析,包括新线圈支架的设计、水冷系统与线圈的结构安排和整体的测试结果,最后根据速调管高功率测试运行状态给出速调管工作时的聚焦线圈电流的参考值。     

MOSFET调制器的实验研究

 介绍了MOSFET调制器的基本原理,并对其并联分流和感应叠加两种开关结构进行了实验研究。基于可编辑逻辑器件设计了其触发电路,驱动电路采用高速MOSFET对管组成的推挽输出形式,加快了MOSFET的开关速度。利用Pspice软件对开关上有无剩余电流电路(RCD)两种情况进行仿真,结果表明,加装RCD电路可以有效吸收MOSFET在关断瞬间产生的反峰电压。实验中,电流波形用Pearson线圈测量,用3个MOSFET并联作开关,当电容充电电压为450 V,负载为30 Ω时,脉冲电流13 A,前沿20 ns,平顶约80 ns;用3个单元调制器感应叠加,当电容充电电压为450 A,负载为30 Ω时,脉冲电流强度为40 A,前沿25 ns,平顶约70 ns。     

高温超导薄膜微波非线性研究的进展

文章介绍了高温超导薄膜微波非线性的主要特征，阐述了高温超导薄膜微波非线性产生的原因和相关的研究现状，指出了高温超导薄膜非线性研究中遇到的困难和尚未解决的问题．     

类氦离子的KLL双电子复合过程的相对论理论研究

在相对论多组态Dirac-Fock理论基础上，发展了计算双电子复合截面的程序.并以类锂C³⁺，Ar¹⁵⁺，Kr³³⁺和U⁸⁹⁺等离子为例，详细计算了共振双激发态1s2l2l′的辐射衰变率、Auger衰变率及相应的双电子复合截面.对于C⁴⁺，Ar^l6+和Kr³⁴⁺离子的结果与已有的计算和实验结果都能很好地符合；对于U⁹⁰⁺离子，则重点 关键词： 双电子复合 截面 MCDF     

Cr,Nd:YAG self-Q-switched laser with high efficiency output

The high efficient laser performance of self-Q-switched laser in the co-doped Cr⁴⁺,Nd³⁺:YAG microchip with 1.8 mm thickness was demonstrated. The slope efficiency is varied with the reflectivity of output coupler at 1064 nm, and the highest slope efficiency of 26% was obtained for 95% reflectivity of output coupler at 1064 nm. The pulse width, the single pulse energy and the pulse repetition rate for different reflectivity of the output couplers were measured, and the experimental results agree with the numerical calculations of the passively Q-switched rate equations. This can lead to develop the diode laser pumped monolithic self-Q-switched solid-state microchip lasers, especially for the intracavity frequency-doubled solid-state microchip lasers.