全文获取类型
收费全文 | 9570篇 |
免费 | 1183篇 |
国内免费 | 1858篇 |
专业分类
化学 | 2647篇 |
晶体学 | 173篇 |
力学 | 277篇 |
综合类 | 219篇 |
数学 | 677篇 |
物理学 | 1862篇 |
综合类 | 6756篇 |
出版年
2024年 | 19篇 |
2023年 | 70篇 |
2022年 | 215篇 |
2021年 | 216篇 |
2020年 | 249篇 |
2019年 | 198篇 |
2018年 | 215篇 |
2017年 | 311篇 |
2016年 | 242篇 |
2015年 | 395篇 |
2014年 | 485篇 |
2013年 | 639篇 |
2012年 | 647篇 |
2011年 | 763篇 |
2010年 | 709篇 |
2009年 | 826篇 |
2008年 | 959篇 |
2007年 | 929篇 |
2006年 | 828篇 |
2005年 | 742篇 |
2004年 | 599篇 |
2003年 | 402篇 |
2002年 | 368篇 |
2001年 | 381篇 |
2000年 | 403篇 |
1999年 | 236篇 |
1998年 | 58篇 |
1997年 | 50篇 |
1996年 | 47篇 |
1995年 | 51篇 |
1994年 | 49篇 |
1993年 | 43篇 |
1992年 | 36篇 |
1991年 | 31篇 |
1990年 | 28篇 |
1989年 | 25篇 |
1988年 | 29篇 |
1987年 | 25篇 |
1986年 | 17篇 |
1985年 | 7篇 |
1984年 | 8篇 |
1983年 | 12篇 |
1982年 | 11篇 |
1980年 | 6篇 |
1979年 | 6篇 |
1978年 | 6篇 |
1976年 | 2篇 |
1965年 | 5篇 |
1964年 | 4篇 |
1963年 | 2篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
61.
芳环羟基化HPLC分离荧光法检测Cu(Ⅱ)-H2O2体系中产生的·OH 总被引:4,自引:3,他引:1
采用L-苯丙氨酸为探针,使用液相色谱分离荧光检测(FLD)和荧光分光光度分析(FS)两种方法平行检测Cu(Ⅱ)-H2O2 体系中产生的·OH.试验采用的激发波长277 nm,发射波长306 nm.体系在反应前后的荧光变化,可反映·OH产生量.对FLD与FS所得数据进行了比较分析,结果显示两种方法具有较高一致性.FS使用混合体系检测,易对荧光的产生造成干扰,而FLD法没有干扰. 相似文献
62.
在误差序列为Lqmixingale情形下,给出了半参数回归模型中β和g(t)估计,研究了估计量的q阶平均相合性在较一般的条件下,得到了理想的结果 相似文献
63.
64.
本文在Q-正则Loewner空间中用环模不等式刻划了拟对称映射.另外,在 Q-维Ahlfors-David正则空间中建立了拟对称映射作用下的Grotzsch-Teichmuller型 模不等式,它是通过伸张系数的积分平均来表示. 相似文献
65.
电子离子碰撞激发速率系数在超组态碰撞辐射模型中真实模拟非局域热动力学平衡Au激光等离子体M带谱 5f 3d跃迁中各种复杂电荷态离子的电离态特性 (譬如离子的平均电离度 ,相对丰度和能级布居数 )是必不可少的。基于准相对论多组态Hartree Fock方法和扭曲波玻恩交换近似 ,采用自编的扭曲波程序ACDW (9)和Fit(9) ,从头计算了Au等离子体M带 5f 3d电子离子碰撞激发速率系数。结果表明 :在“神光II”实验装置诊断的电子温度约 2keV ,电子密度约 6× 10 2 1cm-3 范围内 ,这些电子离子碰撞激发参数有利于采用超组态碰撞辐射模型模拟Au的激光等离子体M带 5f~ 3d细致谱的平均电离度和电荷态分布。 相似文献
66.
67.
根据模糊数学理论,运用模糊意见集中评价和模糊综合评价方法,计算机性能评价和销售预测进行研究,为评价差别不是很明显和含有多种因素的事物,提供了科学有效的方法. 相似文献
68.
方企勤 《北京大学学报(自然科学版)》1992,28(3):257-261
Q表示四边形,■为Q内与四边相接触的闭曲线族,本文求出■的极值长度λ■。又Ω表示Jordan域,z_1,z_2∈Ω,(?)表示Ω内包围z_1,z_2且与αΩ相接触的曲线族,本文也求出(?)的极值长度λ(?)。 相似文献
69.
通过实例介绍了VB+SQL数据库快速参数查询及报表功能的实现,研究了参数查询。给出了如何使用ADO Command对象创建快速参数查询的方法;研究了参数报表,给出了快速参数报表的实现方法。 相似文献
70.
本文报道在国内首次采用离子束铣技术研制自集成透镜InGaAsP/InP DH LED的实验结果。采用烘烤正性光致抗蚀剂来形成球状掩膜适合于离子束铣,且重复性很好。为了获得光洁的刻蚀表面,刻蚀条件均已最优化。 相似文献