含氟碳菁染料聚集行为的研究

本文对五种不同结构的含氟碳菁染料的甲醇溶液及吸附在碘溴化银T 颗粒表面的聚集行为进行了研究 ,测定了照相性能 ,计算了增感倍率。Dye1 ,Dye2 ,Dye3在甲醇溶液中测得的单分子态吸收曲线 ,当取代基从C2 H5→CH3→无取代基时 ,最大吸收峰对应的波长向短波方向移动 ;乙基取代基的增感染料 (Dye1 )吸附在碘溴化银表面形成的J 聚集态峰值较高 ,对应的增感倍率也高。没有取代基的增感染料 (Dye3)不形成J 聚集 ,增感倍率低 ,有减感作用。Dye4与Dye5相比 ,Dye4具有尖而窄的J 聚集反射光谱 ,增感倍率高。结果表明 :不同结构的增感染料吸附在卤化银颗粒上形成的J 聚集态不同 ,吸收谱带窄的J 聚集态增感染料具有较高的增感倍率。     

InCl3·4H2O Promoted Green Preparation of Xanthenedione Derivatives in Ionic Liquids

Xanthenediones derivatives have attracted considerable interests in recent times because they constitute a structural unit in a number of natural products1 and have been used as versatile synthons due to the inherent reactivity of the inbuilt pyran ring2. The conventional syntheses of xanthenediones were acid or base catalyzed condensation of appropriate active methylene carbonyl compounds with aldehydes3. However, many of these procedures involved longer reaction times,low yields and side reactions of aldehydes. In recent years, room temperature ionic liquids (RTILs) have been used as novel green reaction media4. Considering that InCl3 is an efficient Lewis acid catalyst used in promoting many organic reactions, especially in several condensation processes, we herein wish to report a very simple and green method for the preparation of poly-hydrogenated xanthenediones through InCl3·4H2O promoted cascade reaction of aldehydes and 5,5-dimethyl-l,3-cyclohexanedione in ionic liquid,1-butyl-3-methylimidazolium tetrafluoroborate ([bmim][BF4]). The preparative process presented here is operationally simple, environmentally benign and has the advantage of enhanced atom utilization. Furthermore, the solvent and the catalyst used can be recovered easily and reused efficiently.     

Synthesis and Photochemical Properties of a New Substituted Phenol Covalently Linked to Ruthenium （Ⅱ） Tris-bipyridine Containing Four Ester Groups as Sensitizer

As photosensitizer for solar cell, a new ruthenium (Ⅱ) complex with four ester groups had been synthesized, in which a phenol substituted by {[(2-hydroxy-5-tert-butylbenzyl)(pyridyl-2-methyl)amino]methyl} is covalently linked to ruthenium (Ⅱ) tris-bipyridine. The structures of the new compounds were confirmed by NMR and ESI-MS spectra. The electrochemical and photochemical properties were also studied.     

用Josephson结电子模拟器测量磁通量子2e/h

介绍用Josephson结电子模拟器在政党温度下，模拟测量磁通量子2e/h，用模拟器来研究Josephosn结的特性。该实验可作为普通物理实验中课题设计实验的一个内容。     

由考试作弊引发的教育思考

近年来，考试作弊的现象在地方高校有所增加。究其原因，一是学生成分复杂，学风不浓；二是课程设置、授课方式及考试形式教条、不合理；三是一些教师对考试认识片面，监考不严。考试是教学的重要环节，是展示教学成果、体现完整教学思想不可分割的一部分。现阶段，地方高校应审时度势，改革教育，整顿教学，使教书育人并重，真正实现教育的目标。     

Low-Temperature Magnetic Properties of Co Antidot Array

Cobalt antidot arrays with different thicknesses are fabricated by rf magnetron sputtering onto porous alumina substrates. Scanning electron microscopy and grazing incidence x-ray diffraction are employed to characterize the morphology and crystal structure of the antidot array, respectively. The temperature dependence of magnetic properties shows that in the temperature range 5K--300K, coercivity and squareness increase firstly, reach their maximum values, then decrease. The anomalous temperature dependences of coercivity and squareness are discussed by considering the pinning effect of the antidot and the magnetocrystalline anisotropy.     

第一讲中子散射与散裂中子源

中子散射是研究物质微观结构和动态的理想工具之一,广泛地应用于凝聚态物质研究和应用的众多学科领域.散裂中子源能是新一代的加速器基脉冲中子源,能为中子散射提供高通量的脉冲中子.文章简明地介绍了中子散射的特点和它作为物质结构和动态探针的优越性,以及散裂中子源的基本原理、发展状况和多学科的应用优势.我国计划建设的散裂中子源CSNS中,靶站将由多片钨靶、铍/铁反射体和铁/重混凝土生物屏蔽体组成.质子束功率100kW下,脉冲中子通量约为2.4×1016n/cm2/s.第一期将设计建造高通量粉末衍射仪、高分辨粉末衍射仪、小角散射仪、多功能反射仪和直接几何非弹性散射仪等五台典型的中子散射谱仪,以覆盖大部分的中子散射研究领域.     

PCI总线接口卡的设计与实现

介绍了基于CH365芯片的PCI总线接口卡的设计与制作,利用该技术可以对传统ISA总线接口卡进行低成本技术改造,以及设计工业现场控制PCI接口卡,具有较强的实用性和较高的市场推广价值。     

Si衬底上ZnSe外延膜的低压MOCVD生长

以硒化氢（H2Se）和二甲基锌为源材料，生长温度是300℃时，用低压金属有机化学气相沉积（LP－MOCVD）系统在Si(111)衬底上外延生长了ZnSe薄膜。通过X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜的能量色散（EDS）以及光致发光（PL）实验验证ZnSe外延膜的质量，在X射线衍射谱中只有一个强的ZnSe(111)面衍射峰，这说明外延膜是（111）取向的单晶薄膜，在能量色散谱中除了Si,Zn和Se原子外，没有观测到其他原子，说明ZnSe外延膜中杂质含量较少。ZnSe外延膜中Zn/Se原子比接近1，有较好的化学配比。在ZnSe外延膜的77K光致发光谱中没有观测到与深中心发射相关的发光峰，表明ZnSe外延膜的晶格缺陷密度较小。77K时的近带边发射峰447nm在室温时移至465nm附近。     

宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体及其低维结构的生长和光学性质研究进展

本文系自1979年以来，宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体研究组取得的主要研究成果的简要介绍。取得的主要研究成果可分为如下六个方面：第一，系统地研究了宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体在电场激发下的自由激子发射；第二，创造性地提出并实 利用宽带Ⅱ-Ⅵ族超晶格的室温激子效应来实现在蓝绿区快响应的光学双稳的物理思想；第三，深入研究了宽带Ⅱ-Ⅵ族超晶格中的激子行为以及激子与元激发态的相互作用，为利用激子获得有效蓝色自发和受激发射提供物理基础和实验途径；第四，研究了ZnSe基非对称双量子阱和组合超晶格中激子的隧穿以及激子的自发和受激发射；第五，CdSe和ZnSeS自组装量子点的生长及其形成机理；第六，ZnO薄膜的生长及其紫外发射特性。