全文获取类型
收费全文 | 23396篇 |
免费 | 2823篇 |
国内免费 | 3063篇 |
专业分类
化学 | 9786篇 |
晶体学 | 244篇 |
力学 | 679篇 |
综合类 | 204篇 |
数学 | 1313篇 |
物理学 | 4869篇 |
综合类 | 12187篇 |
出版年
2024年 | 99篇 |
2023年 | 383篇 |
2022年 | 728篇 |
2021年 | 831篇 |
2020年 | 804篇 |
2019年 | 739篇 |
2018年 | 659篇 |
2017年 | 708篇 |
2016年 | 910篇 |
2015年 | 1139篇 |
2014年 | 1510篇 |
2013年 | 1692篇 |
2012年 | 1873篇 |
2011年 | 1919篇 |
2010年 | 1672篇 |
2009年 | 1677篇 |
2008年 | 1815篇 |
2007年 | 1709篇 |
2006年 | 1482篇 |
2005年 | 1274篇 |
2004年 | 928篇 |
2003年 | 688篇 |
2002年 | 742篇 |
2001年 | 637篇 |
2000年 | 504篇 |
1999年 | 413篇 |
1998年 | 306篇 |
1997年 | 237篇 |
1996年 | 226篇 |
1995年 | 186篇 |
1994年 | 144篇 |
1993年 | 129篇 |
1992年 | 123篇 |
1991年 | 95篇 |
1990年 | 85篇 |
1989年 | 68篇 |
1988年 | 54篇 |
1987年 | 21篇 |
1986年 | 22篇 |
1985年 | 19篇 |
1984年 | 4篇 |
1983年 | 6篇 |
1982年 | 4篇 |
1981年 | 2篇 |
1980年 | 2篇 |
1979年 | 3篇 |
1975年 | 2篇 |
1959年 | 2篇 |
1955年 | 2篇 |
1936年 | 1篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 31 毫秒
51.
当s∈ R,0,〈q, p〈∈∞,0,〈β≤∞且 max{-n/q,-nδ2/qδ1}〈a时,定义了加权Herz—type Triebel-Lizorkin空间kq^q,pF^s β(R^n,ω1,ω2)和Kq^a,pF^sβ(R^n,ω1,ω2),并给出这些空间的一些特征及在这些空间上的Hard—Littlewood极大算子不等式. 相似文献
52.
第一讲中子散射与散裂中子源 总被引:1,自引:0,他引:1
中子散射是研究物质微观结构和动态的理想工具之一,广泛地应用于凝聚态物质研究和应用的众多学科领域.散裂中子源能是新一代的加速器基脉冲中子源,能为中子散射提供高通量的脉冲中子.文章简明地介绍了中子散射的特点和它作为物质结构和动态探针的优越性,以及散裂中子源的基本原理、发展状况和多学科的应用优势.我国计划建设的散裂中子源CSNS中,靶站将由多片钨靶、铍/铁反射体和铁/重混凝土生物屏蔽体组成.质子束功率100kW下,脉冲中子通量约为2.4×1016n/cm2/s.第一期将设计建造高通量粉末衍射仪、高分辨粉末衍射仪、小角散射仪、多功能反射仪和直接几何非弹性散射仪等五台典型的中子散射谱仪,以覆盖大部分的中子散射研究领域. 相似文献
53.
54.
55.
Baowei Qiao Jie Feng Yun Ling Ting’ao Tang Bomy Chen 《Applied Surface Science》2006,252(24):8404-8409
The effects of Si doping on the structural and electrical properties of Ge2Sb2Te5 film are studied in detail. Electrical properties and thermal stability can be improved by doping small amount of Si in the Ge2Sb2Te5 film. The addition of Si in the Ge2Sb2Te5 film results in the increase of both crystallization temperature and phase-transition temperature from face-centered cubic (fcc) phase to hexagonal (hex) phase, however, decreases the melting point slightly. The crystallization activation energy reaches a maximum at 4.1 at.% and then decreases with increasing dopant concentration. The electrical conduction activation energy increases with the dopant concentration, which may be attributed to the increase of strong covalent bonds in the film. The resistivity of Ge2Sb2Te5 film shows a significant increase with Si doping. When doping 11.8 at.% of Si in the film, the resistivity after 460 °C annealing increases from 1 to 11 mΩ cm compared to the undoped Ge2Sb2Te5 film. Current-voltage (I-V) characteristics show Si doping may increase the dynamic resistance, which is helpful to writing current reduction of phase-change random access memory. 相似文献
56.
Jie Xue Liang Chen Li Zhou Zhifeng Jia Yanping Wang Xinyuan Zhu Deyue Yan 《Journal of Polymer Science.Polymer Physics》2006,44(15):2050-2057
α‐Cyclodextrin (α‐CD) has been complexed with various poly(ethylene glycol) (PEG) derivatives in aqueous solution. It has been found that the end groups of PEG derivatives affect the complexation kinetics greatly, but have only a little influence on the thermodynamic behavior. By increasing the hydrophobicity of end groups, the complexation speeds up rapidly. On the other hand, the bulky end groups slow down the threading of polymeric guests into the cavity of CD. By changing the hydrophobicity and the size of end groups, the complexation rate can be adjusted in the range of several orders of magnitudes, which should be quite useful in the design of new supramolecular systems. © 2006 Wiley Periodicals, Inc. J Polym Sci Part B: Polym Phys 44: 2050–2057, 2006 相似文献
57.
58.
59.
60.
利用关于乘积分布密度的相对熵和相对熵率的概念,建立了相依连续型随机变量序列关于参考微分熵的一类强偏差定理,证明中给出了将Laplace变换应用于微分熵强偏差定理的研究的一种途径. 相似文献