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81.
头孢拉宗的合成   总被引:2,自引:0,他引:2  
以D-苏氨酸为起始原料合成头孢拉宗.D-苏氨酸为起始原料,经甲硅烷化后与4-乙基-2,3-二氧-1-哌嗪甲酰氯缩合制得侧链酸,再与7-TMCA缩合、C7位引入甲氧基得到头孢拉宗.目标化合物经核磁共振氢谱确证其化学结构.该合成方法工艺简单,反应效率提高.  相似文献   
82.
基于均匀设计的冷却进度表参数设定   总被引:1,自引:0,他引:1  
冷却进度表参数设置通常是依据经验和试验确定,造成试验工作量大且难以得到最优的参数组合,影响了模拟退火算法的使用.通过将冷却进度表参数设定问题描述成均匀设计中多因素多水平的试验设计,从而能够用较少的试验很快设定算法参数的取值.仿真试验表明该方法的可行性和有效性.  相似文献   
83.
载Ag二氧化钛纳米线的制备及其光催化性能   总被引:2,自引:0,他引:2       下载免费PDF全文
利用水热合成法,制备出了二氧化钛纳米线,通过葡萄糖还原Ag(NH3)+2,在制备出的二氧化钛纳米线表面负载了 Ag纳米颗粒.利用透射电镜(TEM)、高分辨透射电镜(HRTEM)、X射线光电子能谱(XPS)和紫外-可见光谱(UV-Vis)对产物进行了表征.结果表明:该Ag/TiO2纳米线在可见光区域表现出较强的吸收性能.测试了样品降解酸性红3R溶液的活性.结果表明,TiO2纳米线表面负载Ag纳米颗粒对提高其光催化性能具有积极的作用.  相似文献   
84.
以AgNO3和 NH4VO3为原料,采用水热法,通过调控反应体系pH值,制备了β-AgVO3纳米线、亚微米线及微米棒.采用X射线衍射(XRD)和场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)对样品的组成和表面形貌进行了表征.紫外-可见光吸收测试表明所制得的不同尺寸的β-AgVO3一维材料均具有较宽的紫外-可见光吸收范围,通过计算得出β-AgVO3纳米线、亚微米线及微米棒的光学带隙分别为2.21 eV,2.17 eV和2.12 eV.  相似文献   
85.
研究了邻硝基苯酚在黄河沉积物和水相间的分配行为,计算出中性分子和离子形态的分配系数Kd,Kdi以及总分配系数Kdo,结果表明,分配行为与体系的pH值有关,中性分子的分配系数Kd随pH增大而增大,中性分子和离子形态的总分配系数Kdo在pH大于6.12时减小,当pH大于5.08时,吸附态分数在0.85以上。  相似文献   
86.
运用独立原子模型,在入射电子能量200-1000eV范围内,我们第一次计算了电子与SO2分子碰撞的弹性微分散射截面。目前结构与可行的实验数据进行了比较,并得到了较好一致,原子的弹性散射振幅及微分散射截面的光学势模型得到。  相似文献   
87.
Rough集理论与KDD中属性约简算法   总被引:4,自引:0,他引:4  
针对数据库中知识发现(KDD)的信息处理问题,给出了信息系统中的Rough集理论基本概念的形式化描述,并且提出了一种KDD中属性约简算法(AR),实例表明该算法十分有效。  相似文献   
88.
哺乳动物细胞光电行为的机理研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
研究了阿霉素、寡霉素和秋水仙素对细胞光电流的影响,发现细胞光电流的变化可适时表征药物对细胞的作用,且药物对细胞光电流的抑制率具有剂量和时间依赖性.据此提出了“光激励酶促反应加速模型”,并对哺乳动物细胞光电行为的机理进行了探讨.  相似文献   
89.
基于光谱波段自相关的水稻信息提取波段选择   总被引:2,自引:0,他引:2  
通过大田试验,使用ASD光谱仪测量水稻不同生育期的冠层光谱,将光谱以10 nm为步长进行合并,再将不同日期光谱的所有波段组合计算相关系数平方(R2),生成R2矩阵,并绘制R2分布图。根据R2越大,光谱波段之间冗余信息越多,R2越小,水稻光谱波段信息含量越多的原则,在所有测量日期中选择出前100个R2最小值对应的波段,将这些波段进行统计分析。结果表明,可见光区域各个波段之间和红外(近红外和短波红外)区域各个波段之间都含有大量冗余信息。水稻信息量丰富的波段主要集中在可见光的长波波段,红边波段,近红外第一和第二峰值波段,以及短波近红外第一峰前区(1 530 nm附近)和第二峰值区(2 215 nm附近)。比较水稻与其他植被对于最优波段的选择,400~410,630~650和1 520~1 540 nm三个波段区间表现为水稻信息提取较为独特的波段。  相似文献   
90.
硅锆复合包覆BiVO4晶体的表征及其机理研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
利用正硅酸乙酯(TEOS)和氧氯化锆(ZrOCl2·8H2O)的水解反应并经高温煅烧后,在BiVO4晶体表面形成SiO2·ZrSiO4膜,以提高BiVO4的耐高温性.采用红外光谱仪、X射线衍射仪、差热分析仪对产品进行了表征,并得出结论:包覆SiO2·ZrSiO4膜后的BiVO4晶体,其耐热温度由680℃提高到1000℃,并对包覆机理进行了探讨.  相似文献   
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