稻田垄作免耕对根际土壤有机碳及颗粒态有机碳的影响

以稻田免耕长期定位试验站为平台,分析不同耕作制度对稻田根际土壤有机碳(SOC)和颗粒态有机碳(POC)的影响,并与非根际土壤进行对比分析.结果表明,长期实行垄作免耕(水稻—油菜)的方式下,根际SOC和POC含量显著高于其他耕作方式,而实行水旱轮作(水稻—油菜)方式下二者含量均最低.垄作免耕(水稻—油菜)根际SOC含量高于非根际土壤,而其他耕作处理均为根际低于非根际土壤.另外,垄作免耕(水稻—油菜)根际土壤POC含量高于非根际土壤,差异达极显著水平(p＜0.01);常规平作(水稻—冬水田)也为根际大于非根际土壤,但差异不显著;其余耕作处理根际土壤POC含量均表现为非根际大于根际土壤,且差异均不显著(p＞0.05).垄作免耕(水稻—冬水田)和垄作免耕(水稻—油菜)SOC和POC含量间存在显著相关性,表明免耕方式有利于土壤有机碳和颗粒有机碳的保护和稳定.     

拟南芥抗旱突变体的筛选和鉴定

文章采用不同浓度的甘露醇模拟干旱胁迫,以发芽率为筛选指标在拟南芥突变体库中筛选抗旱突变体,筛选出2株候选突变体,最终得到1株稳定突变体vem1,通过表型和生理生化鉴定,确定为抗旱突变体。该研究为抗旱基因克隆及功能分析奠定基础,对于揭示植物抗旱的分子机理具有重要的理论意义。     

种子注入高重复频率Q开关激光器

分析了自发辐射与注入种子信号在激光建立过程中的竞争对种子注入的影响. 利用单块非平面环形腔单频激光器作为种子振荡信号,注入到高重复频率Q开关构成的从动激光器,获得单脉冲能量大于5mJ、脉冲宽度40ns的单纵模振荡脉冲激光输出. 测试了种子激光器在不同频率、功率及在从动激光器不同抽运能量下种子注入现象发生的几率实验. 结果表明,频率匹配和从动激光器的抽运能量是影响种子注入发生几率的重要因素.     

基于单边傅里叶变换的非马尔科夫自发辐射研究

基于单边傅里叶变换,本文提出一种研究辐射子的自发衰减动力学演化的普适方法.利用该方法研究了辐射子处于均匀介质、理想微腔和泄露微腔中的自发辐射动力学演化问题,最后并把这种方法用于处理光子带隙材料中的辐射动力学演化问题.结果表明:辐射子的自发辐射动力学特性由局域态密度决定,可以通过调控辐射子周围的局域态密度来调控辐射子的自发辐射特性,为实现新型的光电子器件提供了理论基础.该方法不仅适用于马尔科夫热库的情况也适用于非马尔科夫热库的情况.     

基于尾迹特征的SAR图像舰船长度估计

通过研究尾迹波谱的周期特性与舰船外形特征之间的关系,建立基于波谱函数的舰船长度估计模型.基于瘦船体假设条件,从数学上论述利用波高谱信息估算舰船长度的可行性,提出由图像谱计算波高谱,再计算波幅函数周期,最后得到舰船长度的三步法.以小船和大型舰船为目标,通过该方法和常用方法做对比实验.结果表明,三步法提取的舰船长度相对误差小于5%,提取结果受方位影响小,效果比传统的直接像素点灰度统计方法好,有利于进一步的舰船识别和分类.     

Verschiedene Lebensmittel-Untersuchungsmethoden

Ohne Zusammenfassung     

多元络合物显色反应的研究——Ⅰ.稀土-铬天青S-1, 10-邻菲啰啉-溴化十六烷基三甲铵体系

近年来在分析化学中广泛使用多元络合物,它的优越性在于提高了反应的灵敏度和选择性.在三元络合物中,一般说来,混合配位体络合物(混配络合物)的选择性较好,而胶束增溶络合物(胶溶络合物)的灵敏度较高,这在稀土多元络合物的显色反应中也表现得很明显.为了提高多元络合物显色反应的灵敏度和改善选择性,我们设想把混配络合物和胶溶络合物统一在一个多元络合物体系中.胶溶络合物中以三苯甲烷染料研究最多,其中应用较广的是铬天青S和铬菁R,因此,我们对稀土-铬天青S-1,10-邻菲啰啉-溴化十六烷基三甲铵四元络合物的显色反应进行系统的研究.     

斜齿圆柱齿轮的测绘

本文着重介绍了斜齿轮主要参数的测量与计算过程．     

薄钢板拼接一次压平电容储能焊工艺

提出了用于薄钢板拼接的一次压平电容储能焊工艺,并根据被焊板材的物理性能、尺寸及一次压平焊的接头形式,设计了相应的电容储能焊机功率。通过实焊试验证明了该焊接工艺及设备对于薄钢板或镀锌钢板拼接的可行性。     

Cd对纤锌矿ZnO极化特性的影响以及Zn0.75Cd0.25O/ZnO界面能带偏差的第一性原理研究

基于第一性原理GGA+U方法研究了Zn1-xCdxO合金的品格常数以及自发极化随Cd组分x的变化关系,其中极化特性的计算采用Berry-phase方法,同时计算了禁带宽度随Cd组分x的变化关系,并得到了能隙弯曲参数0.69.此外,通过计算宏观平均静电势的方法得到了(5 +3)Cd0.25Cd0.750/ZnO超晶格界面处的价带偏差为0.13 eV,导带偏差与价带偏差的比值为4/13,并且Zn1-xCdxO/ZnO界面两侧能带呈现Ⅰ型排列,这些研究结果将对Zn1-xCdxO/ZnO界面二维电子气的设计与优化起到重要作用.