3维Maxwell方程局部1维多辛格式的能量恒等式

在理想导体边界条件下,对3维Maxwell方程的局部1维多辛Preissman格式的能量守恒性质进行研究.运用能量分析法推导了2个能量恒等式,这些恒等式说明了给出的格式在所定义的离散范数下是能量守恒和无条件稳定的,数值算例验证了结论的正确性.     

氧化还原介体催化强化污染物厌氧降解研究进展

 由于厌氧生物处理技术具有产生剩余污泥少、可回收能源等优点而被广泛用于处理各种有机污染物，尤其在有毒、有害、难降解污染物的去除方面取得了良好的效果。然而，厌氧生物法的处理速率通常比较低，而氧化还原介体可通过自身不断的氧化和还原来传递电子，提高电子在氧化还原反应过程中的传递速率，从而促进污染物高效厌氧降解。醌类物质和腐殖酸是应用较多的氧化还原介体，在催化难降解污染物降解方面取得了一定效果。讨论了氧化还原介体的特点、作用机制，并总结了其对偶氮染料厌氧脱色、反硝化和多氯联苯厌氧降解的强化作用，提出了氧化还原介体未来的研究方向。     

乡村振兴绩效评价:意义、维度与路径

2018年,中共中央、国务院印发《中国乡村振兴战略规划(2018-2022年)》,全面部署和布局乡村振兴战略.文章基于政府绩效评价的理念和方法,构建乡村振兴绩效评价指标体系,明确评价维度,为实现乡村振兴、城乡融合发展提供价值导向、度量体系和动力工具.该评价维度包涵资源投入、过程监管、目标实现情况和社会满意度四个方面.文章指出,相关单位以绩效评价推进乡村振兴时应注重顶层设计,强化部门协同,构建评价体系,引入第三方评价主体,凸显农民获得感.     

A new molecular rectifier device and some research in its processing

Organic materials of D-π-A type MR-X (MR-1: p-dimethylaminophenylethenetrica-rbonitrile and MR-2: p-diphenylaminophenylethene tricarbonitrile) were designed and synthesized. The device with a sandwich structure shows good rectificative phenomena. The highest rectification ratio 10000 was achieved in device Cu/MR-1/Ag, and about 100 in other device M/MR-X/M (M: Cu, Ag). It has been found that rectificative phenomena exist only in the atmosphere-liquid interface region by means of liquid adsorption, and electric field could help form the oriented molecular film. __________ Translated from Journal of Fudan University (Natural Science), 2005, 44(4) (in Chinese)     

高师院校书刊阅览服务的优化与高素质人才培育

论述了高师图书馆实施综合素质教育的意义和挑战,提出了共建具有专业特色的教育基地、优化整合教育资源、全面推进素质教育等培养高素质人才,落实人才强国战略的新举措。     

集成系统中工艺卡片填写与工序图绘制的研究

利用VBA实现CAD和CAPP系统集成，讨论了基于Word平台进行工艺卡填写，并在此基础上进行工艺卡填写和工序图并行输出的一般问题。工艺文件的填写是在CAPP数据库的支持下，直接读取CAD所提供的CAPP工艺数据文件，经推理机推理自动生产工艺过程；工序图绘制是在特征图表级和参数化绘图原理的基础上进行的。     

定性演算的扩充

在已有定性演算的类的划分上进行了扩充并定义了新的定性演算,而且进一步讨论了定性运算的性质.     

钢纤维增强混凝土的钢纤维分类和强度等级研究

论述了钢纤维增强混凝土应用中关于钢纤维分类和强度等级的关键技术问题     

ZnS∶Zn,Pb蓝粉在低压阴极射线激发下的应用

通过对ZnS∶Zn,Pb蓝色荧光粉进行表面包覆SiO2以改善其稳定性;In2O3材料的适量混合,提高了荧光粉的导电性,降低了它的起辉电压。采用沉淀法制备荧光屏,考察了阳极电压和阳极电流对亮度以及衰减过程的影响,实验结果表明ZnS∶Zn,Pb的性能优于ZnS∶Ag,Cl和ZnS∶Zn,可适用于FED等低压显示器。     

ZnSe及ZnSe/GaAs异质结构中压力导致的直接禁带向间接禁带的转变

用经验赝势方法计算了体ZnSe以及ZnSe/GaAs单异质结系统中ZnSe外延层г、X、L等特殊对称点导带底能量随压力的变化。结果表明，同Si、Ge、GaAs等半导体材料不同，ZnSe的X点导带底具有正的压力系数，但比г点的压力系数小，这是ZnSe材料以及ZnSe基异质结构材料发生直接禁带向间接禁带的转变时所需转变压力较大的根本原因。研究了ZnSe/GaAs异质结构中晶格失配造成的应变对外延层г、X、L对称点压力系数的影响，表明这种晶格失配造成的应变可以极大地减小ZnSe外延层材料由直接禁带向间接禁带的转变压力。