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61.
本工作改进了对辻野喜夫用气相色谱分析碳氢化合物的方法,提出了一种无分流方式进样,对大气中的碳氢化合物从低到高一次分离完毕的方法,其特点是省时、灵敏度高,测量准确。用此法从燕山生活区半年采集的大气分析,分离出100多个色谱峰。结果表明,化合物中浓度最高的是正庚烷,平均值达1.93ppm,上午碳氢化合物的总平均浓度最高。 相似文献
62.
复阻尼模型的时域计算结果不能稳定收敛. 迟滞阻尼模型存在能量耗散与实际不符以及非线性的缺陷. 针对复阻尼模型和迟滞阻尼模型的缺陷,本文依据频域转化原则得到了频率相关黏性阻尼模型. 为实现结构体系的时程计算,基于加速度与位移的关系假定,进一步得到了改进频率相关黏性阻尼模型.改进频率相关黏性模型保留了结构每周期耗散能量与外激励频率无关的优点,同时克服了迟滞阻尼模型中能量耗散与实际不符的缺陷,还保证了单一振动频率下单自由度结构的线性特征.假定时间步长内结构处于单一频率的简谐振动,引入常平均加速度法,提出了单自由度体系的时程计算方法. 在此基础上,结合模态叠加法,推导了多自由度体系的时程计算公式. 算例结果表明,改进频率相关黏性阻尼模型可克服复阻尼模型频域法的缺陷,同时有效避免复阻尼模型时域法计算结果的发散现象. 相似文献
63.
在模糊-PID控制算法的基础上设计一种工业染布机温度控制系统,系统采用双CPU的方法代替传统的单CPU加PLC的模式,降低了生产成本,提高了系统性能,系统的温度控制范围在10~140°C,精度<±1°C,满足了实际需要,具有较好的应用前景. 相似文献
64.
运用文献资料法,全面分析总结了校园庆典团体操的特性及文化价值。分析发现校园庆典团体操具有不可复制性、传承性、教育性、宣传性、创新性,同时具有导向、凝聚、调适价值,旨在为以后校园庆典团体操的开展提供一定的理论基础与参考价值。 相似文献
65.
针对负载变化时旁路节流调速回路存在的进油腔压力冲击的问题,采用理论分析与试验研究相结合的方法,研究了节流阀式旁路节流调速系统参数变化对系统动态特性的影响.建立以负载作为输入,液压缸无杆腔压力作为输出的系统动态特性的理论模型,对理论推导和分析进行了试验验证,并利用压力超调量修正了液压元件的主参数额定压力的选取公式,为此类型回路系统设计以及元件参数选择提供参考依据. 相似文献
66.
Effects of charge and dipole on flatband voltage in an MOS device with a Gd-doped HfO_2 dielectric 下载免费PDF全文
Gd-doped HfO2 has drawn worldwide interest for its interesting features.It is considered to be a suitable material for N-type metal-oxide-semiconductor(MOS)devices due to a negative flatband voltage(Vfb)shift caused by the Gd doping.In this work,an anomalous positive shift was observed when Gd was doped into HfO2.The cause for such a phenomenon was systematically investigated by distinguishing the effects of different factors,such as Fermi level pinning(FLP),a dipole at the dielectric/SiO2interface,fixed interfacial charge,and bulk charge,on Vfb.It was found that the FLP and interfacial dipole could make Vfbnegatively shifted,which is in agreement with the conventional dipole theory.The increase in interfacial fixed charge resulting from Gd doping plays a major role in positive Vfbshift. 相似文献
67.
本试验借助金属过渡塑性相理论,在Al2O3-C系耐火材料中引入中金属铝粉和SiO2粉,研究空气气氛埋碳条件,不同烧成温度下Al、SiO2的高温反应行为及产物的变化.对烧成后的试样进行XRD物相检测及SEM显微结构分析,发现不添加SiO2的试样中单质Al已经不存在,在材料的气孔中生成大量A1N纤维;添加SiO2的试样中单质A1和SiO2都已经不存在,且形成了大量纤维及六方片状晶体,经XRD及EDS检测,确定该物相为SiAl5O2N5. 相似文献
68.
Stress-induced leakage current characteristics of PMOS fabricated by a new multi-deposition multi-annealing technique with full gate last process 下载免费PDF全文
In the process of high-k films fabrication, a novel multi deposition multi annealing(MDMA) technique is introduced to replace simple post deposition annealing. The leakage current decreases with the increase of the post deposition annealing(PDA) times. The equivalent oxide thickness(EOT) decreases when the annealing time(s) change from 1 to 2. Furthermore,the characteristics of SILC(stress-induced leakage current) for an ultra-thin SiO_2/HfO_2 gate dielectric stack are studied systematically. The increase of the PDA time(s) from 1 to 2 can decrease the defect and defect generation rate in the HK layer. However, increasing the PDA times to 4 and 7 may introduce too much oxygen, therefore the type of oxygen vacancy changes. 相似文献
69.
70.
指出了国内几篇提出的文献增长模型所存在的问题.根据乘法原理提出文献科研关系的假说,提出了“研究领域大小”概念,进而修正指数增长模型得到逻辑增长曲线模型. 相似文献