激发极化法在漳平市永福铅锌矿区勘探中的应用

本文主要论述了在漳平市永福铅锌矿区采用激发极化勘探资料进行综合整理和研究，结合地质条件、矿体结构、硐探资料，取得较好的找矿效果。激发极化法是以低阻高极化为特征的一种物探方法，在非煤矿产资源、工程检测、水文地质等方面的勘探非常有效。     

网络环境下高校院系资料室纳入图书馆系统的必要性

文章在分析当前高校图书馆和院系资料室所处的地位以及现状的基础上，阐明了馆与院系资料室之间实现文献资源共建共享的必要性，提出了实现图书馆与资料室统一管理的途径。     

直拉式冷轧实验机自动控制系统

为了满足钢铁企业加强冷轧生产技术研究能力的需要,轧制技术及连轧自动化国家重点实验室(RAL)自主设计开发了垂直方向采用液压自动厚度控制(HAGC),水平方向两侧通过液压缸和夹头产生张力进行自动张力控制(ATC)的新型直拉式可逆冷轧实验轧机.概要地介绍了直拉式冷轧实验机的设备构成及设备的主要功能和特点,详细说明了控制系统构成及自动控制功能的实现,通过系统测试给出了系统控制精度.测试结果表明冷轧实验工艺过程可以模拟生产工艺过程,进行冷轧钢种开发和工艺研究.     

四川西南紫茎泽兰(Eupatorium adenophorum)入侵生境因子分析

于2003年5月—8月在四川西南部西昌,采用随机布设样地的方法对紫茎泽兰在该区域的入侵格局进行研究.通过量化紫茎泽兰样地的"海拔"等16个生态因子精确描述了该种外来杂草对具不同特征的各种生境的入侵.PCA分析结果表明:描述紫茎泽兰生境的16个生态因子所含的生态信息可由三个综合因子表征,即"生态因子"(第一主成分)、"光湿因子"(第二主成分)和"植物多样性因子"(第三主成分).紫茎泽兰的发生频率与"林型"和"坡度"呈强烈负相关,而和"土壤湿润度"、"海拔"、"灌木数"、"杂草盖度"和"距耕地距离"、"坡向"、"距水源距离"、"样地植物种数"及"样地植物株数"9个生态因子正相关.     

公路工程混凝土外观质量控制浅析

混凝土的外观质量是混凝土质量的一个重要方面,一定程度上也是混凝土内在质量的体现.本文以青银高速济南黄河大桥工程为例,从混凝土配合比设计、模板质量、脱模剂、振捣工艺、养护条件等几个方面对混凝土的外观质量控制措施进行了分析探讨.     

多弧离子镀沉积TiN-Cu复合膜

利用多弧离子镀的方法,分别在不同弧电流和沉积时间下,在不锈钢基体上沉积TiN-Cu复合膜;对薄膜表面形貌、截面形貌、相组成和硬度进行表征.结果表明,复合膜中的Cu含量、沉积条件对薄膜微观结构和硬度有重要的影响.金属Cu的加入,阻止了TiN柱状晶的生长,改变了纯TiN薄膜的择优取向.当沉积时间为2h,脉冲负偏压为200V时,Cu含量为12.96at%,复合膜硬度达到最大值为2976HV.     

含时线性势Gross-Piteavskii方程的孤立波解

首先对双曲函数法进行了扩展,使其可用于求解变系数非线性演化方程,然后用此方法成功得到了Gross-Pitaevskii方程在某含时线性势下的两类精确解.结果表明在吸引势情形下,方程存在钟形包络孤立波解;在排斥势情形下,存在扭结形包络孤立波解.该方程可用来描述重力场中在随时间变化的外磁场作用下的玻色-爱因斯坦凝聚体的演化过程,故所得解具有重要的物理意义.     

酶联免疫吸附分析法测定环境水样中痕量药物吲哚美辛

将吲哚美辛与蛋白质载体结合,制成完全免疫抗原,经过多次动物免疫得到了性能优良的兔抗吲哚美辛抗体,在优化实验条件的基础上,建立了灵敏度高、特异性强、简便、稳定的测定水样中吲哚美辛的酶联免疫吸附分析方法(ELISA).IC50值(标准曲线中吸光度抑制至最大吸光度值的50%时所对应的待测物浓度)为0.09μg/L～0.17 μg/L,最低检出限为 0.005μg/L～0.01 μg/L.真实水样中,均发现含有吲哚美辛,浓度在0.016 μg/L~0.083 μg/L之间,水样的加标回收率在84.4%～127.0%之间.     

KdV方程的同伦分析法求解

利用同伦分析法求解了KdV方程,得到了它的近似周期解.结果表明同伦分析法在求解非线性演化方程的周期解时,仍然是一种行之有效的方法.     

Study on influences of TiN capping layer on time-dependent dielectric breakdown characteristic of ultra-thin EOT high-k metal gate NMOSFET with kMC TDDB simulations

The thickness effect of the TiN capping layer on the time dependent dielectric breakdown(TDDB) characteristic of ultra-thin EOT high-k metal gate NMOSFET is investigated in this paper.Based on experimental results,it is found that the device with a thicker TiN layer has a more promising reliability characteristic than that with a thinner TiN layer.From the charge pumping measurement and secondary ion mass spectroscopy(SIMS) analysis,it is indicated that the sample with the thicker TiN layer introduces more Cl passivation at the IL/Si interface and exhibits a lower interface trap density.In addition,the influences of interface and bulk trap density ratio N_(it)/N_(ot) are studied by TDDB simulations through combining percolation theory and the kinetic Monte Carlo(kMC) method.The lifetime reduction and Weibull slope lowering are explained by interface trap effects for TiN capping layers with different thicknesses.