Diagnosis of solar chromospheric magnetic field

This paper discusses the measurements of the chromospheric magnetic field and the spatial configuration of the field at the lower solar atmosphere inferred by the distribution of the solar photospheric and chromospheric magnetic fields. Some questions in the study of the chromospheric magnetic field are also presented.     

变频技术在工业水泵和风机应用中的研究

本文根据作者多年的工作经验，详尽阐述了变频技术在工业水泵和风机的调速控制中的应用及分析。     

生命周期评价和管理与建筑业可持续发展

详细介绍了生命周期评价和管理的理论与方法。结合建筑业的实际，将建筑看作产品，提出了基于生命周期方法的建筑业可持续发展的理论框架，分析了框架中若干主体的作用和职责。指出通过这种方法的使用，拓展相关主体的职责，以达到保护资源和最大化建筑绩能的效果，从而使建筑业可持续发展成为可能。     

战略性新兴产业创新生态化效果评价指标体系构建及应用

提出"创新生态化"的发展理念,构建战略性新兴产业创新生态化效果评价指标体系,提出基于模糊层次分析与规则的评估模型。以黑龙江为实证对象,对其战略性新兴产业创新生态化效果进行测评,实证研究结果发现:黑龙江战略性新兴产业研发环节、成果转化环节与产业化环节效果为中等,创新环节间协同效果为较差,创新生态化综合评价结果为中等。     

聚合物/粘土纳米复合材料中的粘土有机化

回顾了聚合物/粘土纳米复合材料中所用粘土的有机化方法与有机粘土的热稳定性,及其对复合材料性能的影响,指出在聚合物/粘土复合材料中粘土片层间距的变化同样有可能受到层间插层剂构象变化的影响、聚合物/粘土纳米材料的长期热氧稳定性与热失重结果可能不一致。     

板材冲压成形变形局部化与动边界摩擦约束

提出适于具有强烈弯曲效应的大应变，大位移与界面摩擦三重非线性空间曲壳有限元列式。给出一种动边界摩擦约束的元级代数消元方法，就板材在方盒型冲头作用中压胀形过程，引入几种现代非经典塑性本构理论以及空单元技术，研究了成形过程中的变形局部化与断裂问题。     

铝原子激发态近阈限光电离截面测量

本文利用激光烧蚀、激光泵浦-探测、共振增强多光子电离和飞行时间质谱相结合的实验技术,根据离子产额和电离激光能量的关系,获取铝原子激发态的光电离截面;并研究了光电离截面与电离富余能的依赖关系.电离富余能0-2.98 e V内光电离截面值范围为15.6±1.7 Mb-2.3±0.9 Mb,激发态的寿命为17.6±1.8,16.9±1.7 ns.在光电离截面的测量中,总的均方根误差上限约为17%.     

集合的$\varOmega$-凸性及其基础性质[英文]

作为集合凸性概念的一种推广以及统一凸性与近似（nearly）凸性等概念的一种尝试, 本文引入集合$\varOmega$-凸性的概念, 并对$\varOmega$-凸集合的性质进行初步的研究. 另外, 本文还研究了一些常见变换与集合运算的保$\varOmega$-凸性质.     

现代教育技术在测量学实践教学中的应用研究

在分析目前测量学实践教学中所存在问题的基础上,提出了现代教育技术在测量学实践环节教学中的应用优势,构建了基于现代教育技术的实践教学模式。现代教育技术与实践教学相结合,促进了实践教学的改革与创新。     

Investigation of chlorine-based etchants in wet and dry etching technology for an InP planar Gunn diode

Mesa etching technology is considerably important in the Gunn diode fabrication process. In this paper we fabricate InP Gunn diodes with two different kinds of chlorine-based etchants for the mesa etching for comparative study. We use two chlorine-based etchants, one is HCl-based solution (HCl/H 3 PO 4 ), and the other is Cl 2 -based gas mixture by utilizing inductively coupled plasma system (ICP). The results show that the wet etching (HCl-based) offers low cost and approximately vertical sidewall, whilst ICP system (Cl 2 -based) offers an excellent and uniform vertical sidewall, and the over-etching is tiny on the top and the bottom of mesa. And the fabricated mesas of Gunn diodes have average etching rates of ～ 0.6 μm/min and ～ 1.2 μm/min, respectively. The measured data show that the current of Gunn diode by wet etching is lower than that by ICP, and the former has a higher threshold voltage. It provides a low-cost and reliable method which is potentially applied to the fabrication of chip terahertz sources.