氘化锆的XRD与TG-DSC分析

利用钨杆发热的电阻镀膜机对锆进行蒸发成膜，衬底选择金属钼。蒸镀之前，衬底经950℃的高温氢气还原后置于10^-5Pa的真空中1000℃脱气1h。氘化时，样品先在10^-4Pa真空中升温至550℃脱气，而后根据对样品的吸氘浓度要求，向氘化反应系统中充入理论计算的氘量，样品在降温过程中与充入的氘气进行反应。用于TG-DSC分析的体材氘化锆氘化时的初始氘气压强为2000Pa，其余的工艺参数与锆膜的氘化过程相同。实验所用金属材料的纯度均大于99．9％，气体纯度大于99％。     

纳米晶钛膜中氦注入的保持剂量

在从室温到500℃的温度范围内，用卢瑟福质子背散射技术分别测量了不同能量、不同剂量注入的纳米晶钛膜中氦的浓度分布，不同温度时的保持剂量及其释放浓度.发现氦在这种纳米晶粒膜中其氦-钛原子浓度比达到41%—52%时能在室温到100℃的温度下长期稳定保持，若其原子浓度达52%—74%时也能在室温环境有效保持.文中对这种具有大的界面体积比的膜能有效保持氦这种惰性元素的可能机理从能量观点进行了初步探讨. 关键词： 离子注入 纳米晶粒钛膜 氦 保持剂量     

Ab initio Study of He Stability in hcp-Ti

Tile stability of He in hep-Ti is studied using the a5 initio method based on the density functional theory. The results indicate that a single He atom prefers to occupy the tetrahedral site rather than the octahedral site. The interaction of He defects with Ti atoms is employed to explain the relative stabilities of He point defects in hcp-Ti. The relative stability of He defects in hcp-Ti is useful for He clustering and bubble nucleation in metal tritides, which provides the basis for development of improved atomistic models.     

金属氢化物力学性能的第一性原理研究

采用第一性原理方法详细研究了氟化钙结构的多种金属氢化物MH₂ (M= La, Nd, Gd, Tb, Y, Dy, Ho, Er, Lu, Sc, Ti, Zr, Hf)的力学性质(弹性常数、体弹模量、剪切模量、杨氏模量).计算结果表明, MH₂ (M= La, Nd, Gd, Tb, Y, Dy, Ho, Er, Lu, Sc)在低温下具有稳定的氟化钙结构,其抵抗体积形变, 切应变和拉伸(或压缩)形变的能力从LaH₂, NdH₂, GdH₂, TbH₂, YH₂, DyH₂, HoH₂, ErH₂, LuH₂到ScH₂逐次递增, 而MH₂ (M= Ti, Zr, Hf)在低温下的氟化钙结构不稳定.通过对两种稳定的氢化物(TbH₂, ErH₂) 和两种不稳定的氢化物(TiH₂, HfH₂)的电子态密度以及差分电荷密度进行对比, 发现它们的稳定性与金属和氢之间的相互作用有密切关系.     

放射性洗涤废水的SDBS光催化降解研究

光催化氧化是处理含表面活性剂放射性洗涤废水的新途径。本文采用臭氧/纳米二氧化钛光催化的方法,对十二烷基苯磺酸钠(SDBS)进行降解研究,考察了SDBS溶液初始浓度、溶液pH、光照时间、臭氧通入量、反应温度等因素对其降解效果的影响。并添加裂片核素~(90)Sr~(2+)和~(137)Cs~+,评价本方法对含SDBS的放射性洗涤废水的降解效果。结果表明,采用臭氧/纳米二氧化钛光催化系统对于300mg·L~(-1)的SDBS溶液进行降解,30分钟SDBS的去除率可达99. 95%,且放射性核素~(90)Sr~(2+)、~(137)Cs~+的同时存在对O_3/纳米TiO_2光催化降解SDBS的性能几乎不影响; FT-IR测试结果表明不同浓度的SDBS的去除率,皆与反应时间正相关关系。     

P—D背散射截面及质子在固体中的多次散射

报道了由质子束轰击Ｍｏ厚衬底上的氘化钛薄膜的背散射谱得出的Ｐ－Ｄ背散射的截面数据。由于－ＰＤ散射谱是叠加在Ｐ－Ｍｏ背散射谱上的，所以通过对服从卢瑟福塔面公式的Ｐ－Ｍｏ背散射谱进行理论合而间接得出Ｐ－Ｄ背散射产额。     

金属Ti中He泡引起的缺陷行为

对金属Ti中He泡的长大行为进行分子动力学模拟，研究He泡周围的缺陷行为及其压力变化，分析He泡的生长机制。     

六角相ErAx (A=H,He)体系弹性性质的第一性原理研究

本文采用第一性原理研究了六角相ErA_x (A=H, He)的弹性性质, 其中x=0, 0.0313, 0.125, 0.25, 分别讨论了体系中不同浓度的氢和氦对体系弹性性质的影响. 计算结果表明, 六角相铒-氢体系晶体的弹性常数、体弹模量、剪切模量、杨氏模量基本上随着晶体中氢的浓度增加而增加, 然而, 铒-氦体系的弹性常数、体弹模量、剪切模量和杨氏模量几乎随着氦浓度的增加而降低. 从电荷转移方面分析了氢和氦与Er的相互作用, 发现六角相ErH_x的弹性性质随H浓度的变化机理与ErHe_x随He浓度的变化机理不同. 关键词： 第一性原理 弹性性质 x')" href="#">六角相ErH_x x')" href="#">六角相ErHe_x     

Fabrication processing effects on microstructure and morphology of erbium film

The effects of substrate temperature on the microstructure and the morphology of erbium film are systematically investigated by using X-ray diffraction (XRD) and scanning electron microscopy (SEM). All the erbium films are grown by the electron-beam vapor deposition (EBVD). A novel preparation method for observing the cross-section morphology of the erbium film is developed. The films deposited at 200 ℃ have (002) preferred orientation, and the films deposited at 450 ℃ have mixed (100) and (101) texture, which are due to the different growth mechanisms of surface energy minimization and recrystallization, respectively. The peak positions and the full widths at half maximum (FWHMs) of erbium diffraction lines (100), (002), and (101) shift towards higher angles and decrease with the increasing substrate temperature in a largely uniform manner, respectively. Also, the lattice constants decrease with the increasing temperature. The transition in the film stresses can be used to interpret the changes in peak positions, FWHMs, and lattice constants. The stress is compressive for the as-growth films, and is counteracted by the tensile stress formed during the process of temperature cooling down to room temperature. The tensile stress mainly originates from the difference in the coefficients of thermal expansion of substrate--film couple.     

铒、钪膜中离子注入氦的热解析行为

采用热解析法初步研究了铒、钪膜中离子注入氦的热解析行为。研究结果表明:同种元素铒中离子注入氦的热释放峰位相同,但膜的致密性将影响氦的释放量,结构疏松的膜中存在的孔洞是氦的快速释放通道;在相同注入剂量和能量条件下,铒、钪膜中注入氦的热释放峰位不同,这可能与氦在铒、钪膜中的深度分布及膜的致密性有关,利用质子增强背散射法测量出能量为60 keV的4He+在铒、钪膜中的注入深度分别为210,308 nm。