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991.
负载型钴-钼氮化物的制备及吡啶加氢脱氮活性的研究 总被引:4,自引:1,他引:3
以钼磷酸+硝酸钴、仲钼酸铵+硝酸钴、仲钼酸铵为前体活性相组元及γ-Al2O3为载体,制备了负载型双(单)组元过渡金属氮化物[(CoMoN-(Ⅰ,Ⅱ,Ⅲ),MoN-Ⅳ],并利用BET、XPS、H2-TPD及Raman等手段进行了表征;以正己烷+环己烷+吡啶为模型底物考察了上述催化剂的吡啶加氢脱氮活性.与CoMoN-Ⅱ、CoMoN-Ⅲ和MoN-Ⅳ相比,CoMoN-Ⅰ具有较高的吡啶加氢脱氮活性. 相似文献
992.
一种CORBA组件应用服务器的体系结构 总被引:5,自引:0,他引:5
介绍了多层应用程序在开发Interent/Intranet环境下复杂信息系统的中作用;在分析了以应用程序的原理,应用服务器的功能以及CORBA技术特点的基础上,提出了一种基于ORB的应用服务器的体系结构,利用了CORBA对分布式对象和软件组件的支持以及它所提供的系统服务,实现了应用服务器的组件管理、等功能。 相似文献
993.
采用一种含二酯类内给电子体的氯化镁负载Ziegler-Natta催化剂和三异丁基铝(TIBA)助催化剂,在同一反应器中经常压丙烯预聚和加压下的乙烯与少量丙烯淤浆共聚合两步反应,高效地合成了外径为0.4~3 mm的中空球形聚乙烯粒子,其球形粒子的外表面和内部空腔的内表面均较为平滑,壳层厚度均匀.聚合反应的催化剂效率最高达到7.49 kg/g Ti·h·MPa(6.5 kg PE/g Cat.).研究了助催化剂种类、助催化剂浓度(Al/Ti摩尔比)和乙烯聚合阶段的丙烯共单体添加量对聚合物粒子形貌的影响,发现采用三乙基铝(TEA)或TEA/TIBA混合物为助催化剂时,虽然聚合物粒子仍呈中空球形形态,但其内部空腔的形状极不规则.以TIBA为助催化剂时,在一定范围内提高Al/Ti比和丙烯添加量均可显著提高催化效率,聚合反应动力学曲线由衰减型变为增长型,但聚合物粒子的中空形貌得以保持.对比丙烯预聚产物的粒子形貌发现,助催化剂含TEA时所得预聚物粒子结构较松散,内部有较多孔隙和裂纹,而改为TIBA后预聚物粒子内部相对致密. 相似文献
994.
用本征模积分方程研究了环形等离子体中的电子温度梯度不稳定性,在接近不稳定性阈值的参数区域内对模和输运的特征进行了研究。文中引入了一个新的积分参数,将实平面的积分解析延拓到复平面。这样可以同时对增长模和阻尼模进行研究。对被积函数的奇点进行了处理,给出了临界梯度的拟合公式,与有关的实验进行了比较,计算结果接近实验测量值。 相似文献
995.
本文简述了环形等离子体中电子温度梯度不稳定性的动力学特征粒子模拟的数学方程。给出了计算程序框图以及输入数据变量说明等;计算方法部分和数值模拟结果可参阅文献。在编码中,我们采用四阶自动变步长积分方法。该方法通过每积分一步计算的误差估计公式来帮助编制自动调整积分步长。 相似文献
996.
高校体育是学校体育的最后阶段,是形成终身体育意识的重要时期。学校体育是终身体育的基础,如何在高校体育教学中培养学生的体育意识和兴趣,已经成为体育教育工作者关心的主要问题。对高校女生对体育课兴趣不高的现状及成因进行了分析和研究,并在此基础上系统阐述了解决这一问题的措施和方案,以求为提高高校女生体育课的教学质量提供科学的参考依据。 相似文献
997.
断弯褶皱和断展褶皱中的油气运移聚集行为 总被引:1,自引:0,他引:1
断弯褶皱和断展褶皱是前陆冲断带中的两种典型构造形式.运用有关断层中流体运移和封堵理论及方法,结合塔里木盆地库车前陆冲断带的油气勘探实例,对断弯褶皱和断展褶皱中油气运移和聚集行为进行分析讨论.初步认为断展褶皱中的油气运移与聚集能力优于断弯褶皱。具体特征表现在断弯褶皱中是:1)台阶状逆断层具有较强的封堵能力,使得其上、下盘构造被隔离为两个不同的油气运移与聚集体系;2)上盘背斜圈闭中的油气主要来自于褶皱后翼的向斜凹陷;3)背斜圈闭中的储层有可能被轴面变形条带分隔为3个隔离油气舱;在断展褶皱中其特征是1)断层端点的扩展作用过程,就是在断层阀机制作用下,油气沿断层带从下部地层向上部背斜核部运移输送的过程.2)断层上、下盘及背斜两翼可以构成一个统一的油气运移聚集体系.3)背斜储层中的油气往往处于异常流体压力状态. 相似文献
998.
在广泛pH范围内对林可霉素的化学稳定性进行了研究,测定了不同温度,不同pH的林可霉素分解的速度常数,按Arrhenius方程计算了不同pH的分解活化能及不同温度下最稳定的pH。 相似文献
999.
自旋转移矩辅助电压调控磁各向异性磁隧道结(STT辅助VCMA-MTJ)作为非易失性全加器(NV-FA)中的核心部件,具有切换速度快、功耗低,稳定性好等优点,将在物联网、人工智能等领域具有良好的发展前景.然而随着磁隧道结(MTJ)尺寸的不断缩小以及芯片集成度的不断提高,工艺偏差对MTJ及NV-FA电路性能的影响将变得越来越显著.本文基于STT辅助VCMA-MTJ磁化动力学,在充分考虑薄膜生长工艺偏差以及刻蚀工艺偏差影响的情况下,建立了更为精确的STT辅助VCMA-MTJ电学模型,研究了上述两种工艺偏差对MTJ及NV-FA电路性能的影响.结果表明,当自由层厚度偏差γtf≥6%或氧化层厚度偏差γtox≥0.7%时,MTJ将无法实现状态切换;当隧穿磁阻率偏差β增大到30%时,读取裕度SM将下降高达17.6%.对于NV-FA电路,通过增大电压Vb1以及写‘0’时增大电压Vb2或写‘1’时减小Vb2,可有效降低非易失性加数写入错误率;通过增大逻辑运算驱动电压Vdd,可... 相似文献
1000.
传统CFD方法在振动钝体绕流计算中常借助动网格技术,网格再生任务繁重。针对于此,本文利用可在静止网格中计算动边界绕流问题的浸入边界算法(IBM),编写数值模拟程序,分别对竖向强迫正弦振动方柱(Re=UD/v=103、振幅恒定、振动频率变化)以及桥梁断面(Re=UB/v=7.5×103、振幅、振动频率均变化)展开气动特性和流场特征结构分析。初步研究结果表明,振幅恒定为方柱高度的14%时,其涡脱锁定区长度为0.06~0.2,锁定区后端(Stc0.2)振动方柱涡脱频率回归静止涡脱频率;不同振幅下的桥梁断面阻力系数均在静止涡脱频率处产生峰值,桥梁断面升力系数则在此处均出现归零效应,且振幅越大,归零效应愈明显。 相似文献