直肠灌注安定抗惊厥及镇静的疗效观察

我们于1996年6月至1997年11月.采用直肠灌注安定观察其止痉疗效及镇静催眠后做CT检查,现报告如下:     

粳型黑糯93新品种的选育及栽培技术

黑糯93(原代号9—3)系我所粳糯育种组1991年育成的高产优质梗型黑糯新品种。1993—1994年通过省区试，1995—1996年通过全省生产示范，表现中熟，高产适应性广，1998年通过省审定。     

助熔法生长的PbFe_(12)O_(19)单晶体的表面形态和生长机制

应用金相显微镜对助熔法生长的PbFe_(12)O_1,单晶体的表面形态进行了观察,结果表明,结晶是以层生长的形式进行的,生长层发源于生长丘、邻位面中心等表面生长中心并向周围扩展。经过50％HCl浸蚀后,发现体内有线缺陷与每一生长中心相连接、这些线缺陷与(0001)面斜交、把对应于生长中心的蚀斑与一对解理面上的蚀斑进行比较后,证实了这些蚀斑是被缀饰了的位错在(0001)面上的露头点处形成的,从而支持了Frank所提出的晶体生长的螺位错机制、     

探究电压互感器反充电的原因及防范措施

电压互感器是变电站内的重要电力设备,它与继电保护、测量、计量功能的实现密切相关。若电压互感器出现反充电将可能导致二次失去电压。将会导致计量电量减少、测控数据异常甚至保护装置拒动等后果。因此,采取防止电压互感器发生反充电的措施对保证电网正常运行有着重要的意义。该文分析了电压互感器反充电的原因以及危害,提出了几点防护措施,提醒相关工作人员,在现场的工作中应当严格遵守相关规程,重视试验方法,切实将现场的安全把控好。     

外延层质量与恒流器体特性关系的研究

目前国内外普遍采用水平沟道结构制造CRD(Current Regulator Diode)即在P型硅衬底上,外延生长3～5μm,电阻率为1～2Ω.cm的一个n型薄层,然后硼扩散在外延层上制作顶栅,底栅结是由n型外延层和P型衬底构成,参图1.为了减小导通电阻,在顶栅扩散后光刻 .源、漏接触窗口,通过浓磷扩散形成n~+区最后制作欧姆接触电极.工艺中关键是外延层生长和顶栅结制备.     

浙江省委人才工作会议召开加快打造世界重要人才中心和创新高地的战略支点

12月7日至8日,浙江省委人才工作会议召开,对新时代人才强省建设进行部署.省委书记、省委人才工作领导小组组长袁家军出席会议并讲话.会议要求,要深入学习贯彻党的十九届六中全会精神和习近平总书记关于新时代人才工作的新理念新战略新举措,进一步增强做好人才工作的使命感.加强党对人才工作的全面领导,全面落实人才强省、创新强省首位战略,全方位培养、引进、用好人才,着力打造战略人才力量,在高能级创新平台建设、关键核心技术攻关、产学研深度融合等方面取得重大标志性成果,推动人才工作全面进步、整体跃升,加快打造世界重要人才中心和创新高地的战略支点.