二维复式晶格完全带隙光子晶体缺陷频率的分析

提出了一种具有完全带隙的二维复式晶格光子晶体,该晶体是在二维正方形格子中,旋转截面为正方形的柱子,同时在每个原胞中心引入圆形截面的柱子而形成的,并在其中引入点缺陷。运用平面波展开法并结合超晶胞理论分析此缺陷态光子晶体的频率特性。仿真结果表明,通过调节缺陷的尺寸、角度等结构参量,可以改变缺陷态频率的位置,使TE和TM模缺陷态频率一致,TE模和TM模同时谐振,处于缺陷态频率的入射光就能够完全耦合进点缺陷,具有较高的耦合效率。这种结构的复式晶格完全带隙光子晶体为制作完全带隙光子晶体谐振腔提供了理论基础。     

一种可隐蔽监视的CCD图像监视系统

为适应某些特殊场合需要 ,研究了一种可隐蔽监视的CCD图像监视系统。在对图像监视系统的CCD摄像镜头研究中 ,设计出一种突破传统CCD摄像镜头的视场角局限、不需要旋转云台、结构短小轻便的小型针孔广角CCD摄像镜头 ,它更有利于隐蔽监控 ,还扩大了监视的视场范围。本系统还设计有微机图像处理自动报警功能。     

单轴[110]应力硅电子迁移率

基于k·p微扰法研究单轴[110]应力作用下硅的导带结构,获得单轴[110]应力硅的导带底能量及电子有效质量.在此基础上,考虑电子谷间、谷内及电离杂质散射,采用弛豫时间近似计算单轴[110]应力硅沿不同晶向的电子迁移率.结果表明：单轴[110]应力作用下硅的电子迁移率具有明显的各向异性.在[001]、[110]及[110]输运晶向中,张应力作用下电子沿[110]晶向输运时迁移率有较大的增强,由未受应力时的1 450 cm²·Vs^-1提高到2 GPa应力作用下的2 500 cm²·Vs^-1.迁移率增强的主要原因是电子有效质量的减小,而应力作用下硅导带能谷分裂导致的谷间散射几率的减小对电子迁移率的影响并不显著.     

基于铝制品平均使用寿命的中国铝的流动分析

以交通工具为例,给出了其使用寿命的正态、Weibull及Beta三种概率分布.结合各类含铝制品的使用寿命分布和我国铝制品的消费构成,采用加权平均法计算了我国2003～2007年投入使用的铝制品平均使用寿命为15～19年;采用物质流分析的跟踪观察法,从铝的生产、铝制品的加工制造、铝制品的使用和报废铝制品的回收等4个阶段分析了我国2007年铝产品生命周期中铝的流动状况.给出了铝工业的物流指标,得到了我国2003～2007年原料自给率和废杂铝使用比例的变化,总的废杂铝使用比例在13%～17%范围内;分析了我国2003～2007年间废杂铝回收数量和铝产品生命周期铝损失量的变化;提出了促进我国铝工业可持续发展的政策建议.     

有效高斯分量通用背景模型下耳语音声道系统转换研究

为了改善耳语音转换中声道系统的转换性能,针对定值转换方法在非特定人耳语音转换系统中效果不理想的情况,提出使用通用背景模型建立独立于说话人的声道系统转换模型。进一步针对在通用背景模型中由于较大分量数产生的声学概率密度统计模型的误差问题,提出基于最小谱失真度的后验概率和有效高斯分量选择方法优化特征矢量的转换性能。定义了板仓一斋田谱失真测度的性能指标对该模型进行分析比较,实验表明,基于通用背景模型的转换特征矢量平均谱失真度性能指标优于定值偏移方法,且稳定性明显好于定值偏移方法。通用背景模型基础上有效高斯分量选择方法可进一步将性能指标提高5.11%,主观听觉测试表明本文方法可改善转换语音的清晰度和准确度。     

感知听觉场景分析的说话人识别

针对低信噪比说话人识别中缺失数据特征方法鲁棒性下降的问题,提出了一种采用感知听觉场景分析的缺失数据特征提取方法。首先求取语音的缺失数据特征谱,并由语音的感知特性求出感知特性的语音含量。含噪语音经过感知特性的语音增强和对其语谱的二维增强后求解出语音的分布,联合感知特性语音含量和缺失强度参数提取出感知听觉因子。再结合缺失数据特征谱把特征的提取过程分解为不同听觉场景进行区分地分析和处理,以增强说话人识别系统的鲁棒性能。实验结果表明,在-10 dB到10 dB的低信噪比环境下,对于4种不同的噪声,提出的方法比5种对比方法的鲁棒性均有提高,平均识别率分别提高26.0%,19.6%,12.7%,4.6%和6.5%。论文提出的方法,是一种在时-频域中寻找语音鲁棒特征的方法,更适合于低信噪比环境下的说话人识别。     

基于多带解调分析和瞬时频率估计的耳语音话者识别

为了改善耳语音话者识别的稳健性,提出了一种基于调幅-调频(AM-FM)模型的耳语音特征参数,瞬时频率估计(IFE)。根据语音产生的共振峰调制理论,采用多带解调分析(MDA)获得语音的瞬时包络和频率;然后根据包络幅度和频率的加权估计,得到语音的特征IFE来描绘语音的频率结构。将该特征用于耳语话者识别并和传统的Mel倒谱系数(MFCC)进行了比较。实验结果表明,随着测试人数的增加,IFE的识别效果略好于MFCC;在测试信道改变的情况下,与MFCC相比IFE的稳健性得到了有效的提高。     

小尺寸应变Si金属氧化物半导体场效应晶体管栅隧穿电流预测模型

小尺寸金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件由于具有超薄的氧化层、关态栅隧穿漏电流的存在严重地影响了器件的性能,应变硅MOSFET器件也存在同样的问题.为了说明漏电流对新型应变硅器件性能的影响,文中利用积分方法从准二维表面势分析开始,提出了小尺寸应变硅MOSFET栅隧穿电流的理论预测模型,并在此基础上使用二维器件仿真软件ISE进行了仔细的比对研究,定量分析了在不同栅压、栅氧化层厚度下MOSFET器件的性能.仿真结果很好地与理论分析相符合,为超大规模集成电路的设计提供了有价值的参考. 关键词： 应变硅 准二维表面势 栅隧穿电流 预测模型     

面向实用化的片上光阱传感单元

提出并实现了一种片式光阱传感单元.利用基片上的V型槽保证双光纤光阱的对准,利用压电元件振动使微球与基片脱离,实现了空气环境中对10μm微球的捕获,捕获后的微球位置稳定性达到0.12μm.在此基础上,设计制作了可预置少量微球的封闭微型腔,实现了光阱传感结构的微型化和集成化,解决了光阱中单微球的高效可重复起振难题,为实现实用化的光阱传感器奠定了基础.     

基于光子晶体自准直效应的太赫兹偏振分束器设计

提出了一种新型、紧凑的光子晶体太赫兹(THz)偏振分束器,利用自准直效应实现横电(TE)模和横磁(TM)模的无衍射传输,利用禁带特性实现TE模和TM模的分离。基于平面波展开法和时域有限差分法对太赫兹偏振分束器的性质进行仿真建模分析,结果表明,该偏振分束器在2.9~3.01THz频率范围内可实现偏振分离;频率为3THz时,TE模的反射率和TM模的透射率均高于90%,TE模和TM模的消光比分别高达19.9dB和26.24dB。此外,与以往的光子晶体太赫兹偏振分束器相比,所提出的偏振分束器设计简单,更易于实现(无需引入缺陷),尺寸更微小(650μm×650μm),带宽更宽(2.9~3.01THz)。