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481.
482.
Weak avalanche multiplication in SiGe heterojunction bipolar transistors on thin film silicon-on-insulator
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In this paper, we propose an analytical avalanche multiplication model for the next generation of SiGe silicon-on-insulator (SOI) heterojunction bipolar transistors (HBTs) and consider their vertical and lateral impact ionizations for the first time. Supported by experimental data, the analytical model predicts that the avalanche multiplication governed by impact ionization shows kinks and the impact ionization effect is small compared with that of the bulk HBT, resulting in a larger base-collector breakdown voltage. The model presented in the paper is significant and has useful applications in the design and simulation of the next generation of SiGe SOI BiCMOS technology. 相似文献
483.
色素是烟草中的重要组成成分,烟草的外观质量和内在品质都与色素相关。色素主要分为绿色素、黄色素和黑色素。在生长期,烟草中的绿色素主要是叶绿素,成熟期的烟草中黄色素则主要为叶黄素和胡萝卜素,黑色素则存在于成熟的烟叶中,或在调制和发酵的过程中产生。色素的检测对于烟草原料评价和成品质量都非常重要。鉴于烟草色素基于液相色谱的传统检测方法耗时较长、样品制备过程复杂,以及拉曼光谱操作简单、测定时间短、能提供有关分子官能团信息的特点,开发了一种应用拉曼光谱同时定量检测烟草中叶黄素和β-胡萝卜素的快检方法。烟草样品的有机溶剂提取物,密封在透明玻璃瓶中,将激光聚焦于瓶内溶液样品直接测定拉曼光谱。研究发现,不同于常见的514和785 nm激发波长,在短波455 nm激光作用下,可获得更理想的拉曼信号,光谱强度较高,荧光干扰较低。对色素萃取溶剂、焦平面与光学平台间的距离等实验条件进行了优化。考虑到不同检测日期仪器操作条件的变化可对拉曼光谱产生影响,以溶剂峰为内标峰,对光谱进行归一化处理,以校正因测定条件不稳定而引起的物理干扰。为了解决荧光干扰,以及色素分子之间的拉曼光谱干扰问题,采用偏最小二乘法(PLS)建立光谱分析的多元校正模型。建模中对波长区域以及光谱预处理方法进行了优化。研究结果表明,光谱归一化处理显著降低了因物理因素产生的光谱干扰,光谱求导运算对建模影响不大,而波长选择能明显改善模型的预测能力。利用798.2~1 752.8 cm-1波段建立叶黄素的PLS定量模型时,预测效果最佳,预测集的均方根误差(RMSEP)为6.68 μg·g-1;对于β-胡萝卜素,798.2~1 752.8 cm-1组合2 254.2~2 784.5 cm-1用来建模时得到的RMSEP最小,为2.56 μg·g-1。该方法操作简便、耗时少、结果准确可靠,为烟草样本中色素的定量分析提供了一种切实有效的新途径。 相似文献
484.
CL-20/HMX共晶及其为基PBX界面作用和力学性能的MD模拟研究 总被引:4,自引:0,他引:4
为提高共晶炸药的实际使用价值, 改善其安全性和力学性能, 以CL-20/HMX共晶炸药为基, 分别添加2种高聚物粘结剂Estane 5703(聚氨基甲酸乙酯)和HTPB(端羟基聚丁二烯), 共构建两种共晶基高聚物粘结炸药(PBX)模型, 进行细致的295 K NPT分子动力学(MD)模拟研究. 通过两种PBX模型及其与该共晶炸药的MD模拟结果比较表明, 与基炸药之间的结合能Estane 5703大于HTPB, 预示含少量Estane 5703的PBX稳定性和相容性更佳; 对相关函数g(r)揭示粘结剂与基炸药界面相互作用的方式, 以基炸药中H分别与Estane 5703中羰基O和HTPB中端羟基O之间的氢键较强. 与CL-20/HMX共晶炸药相比, 少量粘结剂Estane 5703或HTPB的加入, 使弹性系数Cij下降, 拉伸模量(E)、体积模量(K)和剪切模量(G)均显著减小, 而泊松比(ν), 柯西压(C12-C44)和K/G值明显增大, 表明PBXs体系刚性减小, 延展性增强, 力学性能大为改善. 少量粘结剂包覆使PBXs致钝, 主要归因于其隔热、吸热并使体系变“软”的缓冲作用, 而界面作用造成的分子结构引发键键长变化变为次要因素. 相似文献
485.
486.
以6种固体颗粒和3种液体颗粒作为混合两相体,研究了它们在直流电压下的放电规律.由于直流电压下空间电荷的积累和漂移不能忽略不计,其放电规律与雷电冲击电压下的两相体放电有区别.通过试验研究发现了气固、气液两相体在直流电压下击穿电压和放电路径选择存在不同空气中的变化,介质颗粒的粒径大小对两相体放电路径的选择具有明显的影响规律.当颗粒粒径小于0.01mm时,放电路径选择两相体的概率明显小于选择空气的概率,并且在两相体中击穿放电的电压比空气中要高;当介质颗粒粒径大于0.1mm时,结论与介质颗粒粒径小于0.01mm时相反;但当介质颗粒粒径在0.01mm和0.1mm之间时,放电路径的选择和两相体中击穿电压的大小与直流电压的极性有关. 相似文献
487.
Two-dimensional threshold voltage model of nanoscale silicon-on-insulator tunneling field-effect transistor
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The tunneling field-effect transistor (TFET) is a potential candidate for the post-CMOS era. In this paper, a threshold voltage model is developed for this new kind of device. First, two-dimensional (2D) models are used to describe the distributions of potential and electric field in the channel and two depletion regions. Then based on the physical definition of threshold voltage for the nanoscale TFET, the threshold voltage model is developed. The accuracy of the proposed model is verified by comparing the calculated results with the 2D device simulation data. It has been demonstrated that the effects of varying the device parameters can easily be investigated using the model presented in this paper. This threshold voltage model provides a valuable reference to the TFET device design, simulation, and fabrication. 相似文献
488.
489.
本文提出了对藏文编码字符集基本集的几点修改建议;修改字元■(U 0FB2)与■(U 0FBC)的属性值;修改字元■(U 0F6A)的属性值;修改组合用下加字元U 0F90—U 0FBC的组合定位(Caonical_Combining_Class)字段的值;增加组合用的上加字元■(RAGU);建议增加36个复元音.通过这些修改藏文编码字符集基本集将更加完善. 相似文献
490.
为指导果农合理悬挂粘虫板,提高高温季节诱杀实蝇的效果,减少实蝇为害,研究了粘虫板颜色、悬挂时间和悬挂方位对实蝇诱集效果的影响.结果表明:黄色粘虫板的诱集效果优于蓝色粘虫板,悬挂高度为120 cm、14:00-17:00悬挂在南方的黄色诱虫板诱集实蝇数量最多.研究结果可为高温季节实蝇类害虫理化诱控等提供科学依据. 相似文献