电极活性材料氮化钼的制备与表征

文章通过三氧化钼与氨气的高温反应 ,采用程序升温法开展了氮化钼的制备 ,采用 XRD和表面测定等方法对反应产物进行了表征和研究。探讨了反应条件对产物晶型、比表面积和比电容的影响。研究表明制备条件能显著影响氮化钼的结晶形态、分布和不同晶型的比例 ;反应温度、恒温时间及冷却方式对氮化钼的比表面积和电容特性有重要影响。制备出高比表面积的氮化钼 ,循环伏安测试显示了氮化钼电极具有良好的电容特性。     

锂离子电池正极材料Li1+xMn2-xO4的Jahn-Teller效应

锂离子电池正极材料在循环过程中存在着容量衰减的问题,其中Jahn-Teller效应是锂离子电池正极材料尖晶石LiMn2O4在应用中容量衰减的难点。文章利用溶胶凝胶法制备富锂尖晶石Li1 xMn2-xO4,通过X射线衍射、晶格参数和cMn4 /cMn3 比值等参数,研究尖晶石LiMn2O4的Jahn-Teller效应;结果表明,当煅烧温度t=650℃,x=0.05时,有利于抑制Jahn-Teller效应。     

全光纤型微环谐振器的研制

环形谐振器因体积小、功能强、结构简洁等优点长期以来一直在光无源、有源器件的设计和制作中发挥着重要的作用。对光纤的弯曲损耗特性进行了深入分析,指出只有采用微细光纤才能降低全光纤法所制作的环形谐振器的尺寸,加宽器件的自由光谱范围(FSR)获得更好的精细度和品质因子。然后,在改进熔融拉锥技术的同时,保持慢变、绝热条件拉制出在80 mm长度范围内具有良好均匀性、半径为5μm的高质量微细光纤,在此基础上采用自缠绕法研制出半径仅为500μm,谐振效果明显加强的全光纤型微环谐振器,从而很好地解决了集成型微环谐振器较高的弯曲损耗和连接损耗问题。     

四-(对氨基苯基)钴卟啉-NO配合物的合成及NO释放效能和生物学活性

合成并结构表征meso-5,10,15,20-四(对氨基苯基)钴卟啉-NO配合物(TAPP-Co-NO)作为NO供体. 采用重氮化和偶合反应检测TAPP-Co-NO体外NO的释放效果. 选取家兔离体胸主动脉环测TAPP-Co-NO对家兔离体胸主动脉环舒张作用. 大鼠随机分为两组, 实验组静脉给予0.5 mL二甲基亚砜和TAPP-Co-NO混合液, 对照组静脉给予等量二甲基亚砜, 观察两组大鼠收缩压、舒张压和心率的变化. TAPP-Co-NO的释放效率为63.17%. TAPP-Co-NO能使甲氧胺引起家兔离体胸主动脉收缩的量效关系曲线非平行地右移, 最大反应(E_max)压低(P＜0.01), 压低百分率为55.7%. 实验组大鼠血压在用药后第5 s时开始下降, 第10 s时下降幅度达最大, 以后逐渐回升, 第60 s时接近用药前水平; 对照组大鼠, 血压水平在用药前后没有统计学差异; 实验组和对照组大鼠的心率在用药前后均无统计学差异. 结果表明, TAPP-Co-NO有较高的释放效率, 能明显抑制甲氧胺对家兔离体胸主动脉的收缩, 具有瞬间降压作用.     

牙冠修复体受触压载荷破坏的实验研究

由于陶瓷美观且成本较低,烤瓷熔附金瓷冠和全瓷冠是临床中治疗牙体缺损与牙体缺失最为常用的修复体,但瓷层的脆裂仍然是人造牙冠破坏的主要形式.参照磨牙结构和尺寸,利用独特的工艺制作了磨牙剖面试件,设计了加载装置,利用钨钢球触压模拟了口腔中的咀嚼载荷,在微型实验机准静态触压加载的同时,用CCD电视摄像机实时采集试件受载变化过程序列图;采用了二维数字图象相关法分析了烤瓷熔附金瓷冠和全瓷冠中微裂纹产生、演化及主要的破坏过程,确定了微裂纹产生时临界载荷大小和人造冠的破坏形式.     

晶格热振动对准二维强耦合极化子有效质量的影响

采用Tokuda改变的线性组合算符法和改进的LLP变分法，研究了晶格热振动对无限势垒量子阱中电子与界面光学声子强耦合、与体纵光学声子弱耦合系统的影响，推导出作为阱宽和温度函数的极化子有效质量的表达式. 尤其得到了量子阱中极化子的振动频率及其随阱宽和温度变化的规律. 对KI/AgCl/KI量子阱进行了数值计算，结果表明，极化子的振动频率和有效质量随阱宽的增加而减小、随温度的升高而减小，但不同支声子与电子相互作用对极化子的振动频率和有效质量的贡献以及它们随阱宽和温度的变化情况大不相同. 关键词： 量子阱 强耦合极化子 振动频率 有效质量 温度依赖性     

具有全局收敛性的求解对称非线性方程组的一个修改的信赖域方法

本文给出一个求解非线性对称方程组问题的修改的信赖域方法,在适当的条件下我们将建立此方法的全局收敛性.对给定的问题而言,数值结果表明此方法是有效的.     

pH值对KDP晶体位错结构的影响

在一定的过饱和度下,分别用点状和片状籽晶在不同pH值溶液中生长出了KDP晶体.利用化学腐蚀法对KDP晶体的不同晶面进行了腐蚀,得到了清晰的位错蚀坑.应用光学显微镜对位错蚀坑的分布特点和密度做了观察分析,发现很多位错蚀坑成线状排布.pH值对KDP晶体位错密度有较大影响,低pH值条件下生长出的晶体位错密度较大.测试了KDP晶体样本的透过率,结果表明位错密度对KDP晶体的透过率没有明显的影响.     

闭合状态对磁控溅射Cr镀层生长过程的影响

利用非平衡磁控溅射离子镀技术于不同磁场闭合状态下在单晶硅基体上制备出Cr膜,采用扫描电子显微镜和X射线衍射仪观察并分析了不同闭合状态下镀层的微观形貌和晶体择优生长趋势.结果表明:闭合状态显著影响着Cr膜生长过程中的柱状晶取向和致密度.不闭合状态下,Cr膜截面组织为典型疏松的柱状晶体组织,镀层沿(110)面择优生长;半闭合状态下,Cr膜截面组织为较致密的柱状晶体组织,在不同生长时期,镀层沿(110)或(200)面择优生长;完全闭合状态下,Cr膜截面组织在初始1 μm范围内,为致密纤维状晶体组织,随后呈现致密的无明显柱状晶体形貌,镀层沿(200)面择优生长.     

氧气流量对射频磁控溅射制备Cu2O薄膜性能的影响

通过磁控溅射方法在玻璃衬底上制备Cu2O薄膜,采用X射线衍射(XRD)、分光光度计、原子力显微镜(AFM)和X射线光电子能谱(XPS)等研究了氧气流量对Cu2O薄膜性能的影响.结果表明:氧气流量为4.2 sccm时,薄膜为单相的Cu2O,具有较高的结晶质量和可见光透过率,光学带隙为2.29 eV,薄膜的导电类型是p型且空穴浓度为2×1016 cm-3.通过XPS能谱分析Cu 2p3/2和O 1s结合能,确定了薄膜中Cu以+1价存在.