集合上非一一变换构成群的条件

利用非空集合A的商集讨论A上一个非——变换f能出现在一个由A上变换构成的乘法群G中的充要条件，并发现G与A的商集上的一个变换群同构．     

4′-乙酰基苯并-15-冠-5缩氨基硫脲的微波合成及晶体结构

硫脲衍生物主要通过氢键与阴离子相互作用达到识别的目的，冠醚和硫脲两个主体分子亚单元之间的协同作用往往使冠醚和硫脲表现出对某些客体更加优越的络合识别能力，我们在以前工作的基础上，微波辐射下合成了标题化合物并用红外光谱、核磁共振氢谱、元素分析、X射线单晶衍射对其结构进行了表征，欲进一步研究其对阳离子和阴离子识别的双重功效。     

1－芳氧基乙酰基－4－邻氯苯甲酰基氨基硫脲衍生物的合成及其生物活性研究

于固－液相转移催化条件下，合成了１０个１－芳氧基乙酰基－４－邻氯苯甲酰基氨基硫脲衍生物，用元素分析、ＩＲ和￣１Ｈ－ＮＭＲ光谱确定了它们的结构。该类化合物对小麦幼苗生长具有明显的促进作用。     

β-环糊精与两性表面活性剂相互作用

用表面张力法研究了β-环糊精与十一烷基酰胺甲酸钠(C₁₁H₂₃CONHCOONa,SF)两性表面活性剂在不同温度下的包结作用。结果表明:SF的表面张力值(β)及表观临界胶束浓度(cmc^*)加入β-CD后增加,β-CD浓度越大,γ和cmc^*增加越多,且SF的cmc^*与β-CD浓度存在线性关系,随温度的升高,两性表面活性剂的表面张力值降低,意味着它们的表面活性随温度升高而增强。利用表面张力测定了β-CD-SF体系在不同温度下的包结形成常数K_a,进而求得了包结过程的焓变和熵变,结果表明,该过程是焓和熵均有利的过程,进一步说明疏水作用是形成包结物最重要的的作用力之一。     

Eu1—xTbxBa2Cu3O7—δ中Tb离子价态的研究

研究了BaTbO_3、Tb_4O_7、TbFeO_3的Tb_(4d)XPS谱,找到了表征Tb~(3+)、Tb~(4+)的特征峰,得出的高、低结合能峰强之比与Tb~(4+)/Tb含量间的依赖关系,可用于确定Eu_(1-x)Tb_xBa_2Cu_3O_(7-δ)中“123”相的Tb离子混合价态,用常压高温烧结法,未能获得纯“123”单相,也不易获得纯利Tb~(3+)价态样品.在Eu_(1-x)Tb_xBa_2Cu_3O_(7-δ)中的Tb以Tb~(3+)、Tb~(4+)混合价态存在;当x=0.3时,Tb~(4+)/Tb=0.61.引入Tb~(4+)后“123”主相Cu(2)-O(2)平面上的O_(2p)空穴数降低,这是Tb~(4+)破坏超导电性的一种可能原因。     

键联聚乙二醇高分子担载锰（Ⅲ）卟啉的合成及催化烯烃环氧化反应性…

本文研究了键联聚乙二醇高分子担载锰（Ⅲ）卟啉的合成，以及在ＣＨ２Ｃｌ２／Ｈ２Ｏ两相体系中催化苯乙烯环氧化反应的性能，探索了催化反应体系中溶液ｐＨ值、ＮａＯＣｌ浓度、轴向配体及相转移催化剂对催化反应的影响。结果说明键联聚乙二醇高分子担载锰（Ⅲ）卟啉是烯烃环氧化反应的一种有效催化剂，其中聚乙二醇链可以络合Ｎａ，使ＯＣｌ富集于金属卟啉周围，起到较好的相转移催化作用。在催化反应的各影响因素中，水相ｐＨ值对     

环糊精诱导室温Ling光法中两种新型简便快速的防氧方法

在环糊精诱导室温Ｌｉｎｇ光法中除氧技术是重要的实验条件。本文首次成功地建立了在反应体系中以Ｚｎ（ｓ）＋ＨＣｌ产生Ｈ２和Ｎａ２ＣＯ３＋ＨＣｌ产生ＣＯ２作除氧剂，α－氯代萘作模型化合物的ＣＤ－ＲＴＰ法。     

超细Mo／Al2O3催化剂（I）：催化及还原性质研究

研究两种不同制方法－浸渍法和超临界流体干燥法制得的超细Ｍｏ／Ａｌ２Ｏ３催化剂的加氢与加氢脱硫催化性质及还原性质，并与以普通Ａｌ２Ｏ３作载体体制得的Ｍｏ／ＡｌＯ３催化剂相比较。结果表明，超细粒子催化剂催化性质较大度的地受制备方法的影响。ＴＰＲ，ＸＲＤ，ＬＲＳ分析结果表明，超细氧化铝载体和超临界流体干燥法的使用均有利于Ｍｏ在Ａｌ２Ｏ３表面的分散。     

唐家河自然保护区扭角羚种群动态及稳定性研究

１９８６年唐家河自然保护区内扭角羚的实际数量为４８０－５２０头,作者通过Ｌｅｓｌｉｅ矩阵的方法,预测了该保护区的内扭角羚种群１９８６－２００４年每隔３年各年份的理论数量分别为７１５,９６４,１３５８,１８４１,２５６４,３５８４头。讨论了该保护区扭角羚最适数量的应控制在１９９２年的９６４头,最大维持量不得超过１９９５年１３５８头。     

AlGaAs／GaAs HBT基区电流的研究

在ALGaAs/GaAs HBT E-M模型直流参数的研究基础上,对HBT的基区电流进行了研究,特别是针对BE结空间电荷区的复合电流和基区表面复合电流,因为在HBT的小偏置情况下,HBT的BE结空间电荷区的复合电流和基区表面复合电流在整个基区电流中占有主导地位。当BE结间外加电压为0.5-1.2V时,ALGaAs HBT的基区电流的计算机模拟值和测试值比较接近,这一研究结果有助于进一步了解HBT的直流特性和1/?噪声特性。