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81.
针对暗挖隧道施工过程中对既有地铁车站的影响,笔者结合实际隧道暗挖工程模拟其施工全过程.结果显示:呈现狭长特性的隧道,其基坑周围地表的最大竖向位移出现在隧道南、北两侧且呈对称分布;基坑地表变形最严重的一层其沉降曲线呈现明显的"凹陷状";随着开挖深度的逐渐增加,隧道北侧地表竖向位移的增加值与其呈现非线性的变化趋势.结论:暗... 相似文献
82.
83.
为了分析基于应力/应变效应的体声波(BAW)力传感器的敏感机理、准确计算其灵敏度,提出了一种用于BAW力传感器灵敏度分析的微分-综合分析法。该方法借鉴了微积分的原理,在Mason等效电路模型中将一个完整的BAW谐振器替换为多个谐振器微元的并联,从而将谐振器有源区面积A上应力/应变场的有限元计算结果与压电薄膜材料的力学特性、谐振器微元的电声学特性关联起来;最后,在射频电路仿真软件中进行等效电路的综合,得到整个BAW谐振器在应力/应变场作用下的阻抗特性曲线及其串/并联谐振频率。当BAW谐振器微元的划分足够细密时,获得的灵敏度分析结果将足够精确。为了论证该方法的原理,给出了一个直观的校核案例。以一个嵌入式FBAR结构的四梁BAW加速度计表头为例,介绍了该方法用于BAW力传感器灵敏度分析的详细过程。虽然案例中只讨论了一种应力/应变型BAW力传感器的单一力敏机理,但该方法具有普适性。并且,当谐振器微元小到接近其压电材料晶格的尺度时,就能与压电薄膜的力-声-电特性的第一性原理计算结果关联起来,实现从微观材料特性到介观器件物理的多尺度计算。 相似文献
84.
以Ag2 WO4为电化学活性材料,采用压片法制备超级电容器电极材料.通过X射线衍射仪、扫描电镜、电化学工作站等实验方法,辅以密度函数理论(DFT)计算,对Ag2 WO4电极材料进行表征.K+离子嵌入Ag2 WO4晶体在循环伏安模式下比电容最大能够达到1344.7 F·g-1;在恒流充放电模式下最大可达到182.0 F·... 相似文献
85.
采用固相合成方法,以Rink Amide树脂为载体,Fmoc保护氨基酸为原料,经苯并三唑-1-四甲基六氟磷酸酯(HBTU)/N,N-二异丙基乙胺(DIEA)缩合,三氟乙酸/苯甲硫醚/乙二硫醇/苯甲醚裂解体系脱除保护基制得IB-367线性肽(4); 4经双氧水氧化制得IB-367一环肽(5); 5经碘乙醇溶液氧化合成抗菌肽IB-367(6),收率34.1%,纯度>95.0%,其结构经MS(ESI)和氨基酸组成分析确证。抑菌活性研究结果表明:6对大肠杆菌和金黄色葡萄球菌的最小抑菌浓度为5.0 μg·mL-1。 相似文献
86.
本文给出了几类偏微分方程的一种解法——泰勒公式法,并用此方法求解了三维时变系数波动方程、非线性偏微分方程、分数阶偏微分方程. 相似文献
87.
针对目前微机电系统密码锁中的鉴别器结构复杂、智能电子密码锁可靠性不高的问题,设计了一种N bit的原位溅射型单次试开密码鉴别电路。N bit的密码鉴别电路,由2N(N级、每级2个)个原位溅射型OFF-ON开关按照每级二选一的逻辑、N级级联的形式构成;将原位溅射型OFF-ON开关(OFF态到ON态的单向切换具有不可逆特性)与具有熔断特性的保险丝按照装定密码对应的电路关系进行连接,构成了原位溅射型单次试开固态密码锁,可将此密码锁用于对安全性要求高的要害系统、设施中。为了获得原位溅射型OFF-ON开关中金属爆炸箔与叉指电极之间的间隙,给出了三种固态密码鉴别电路的微加工工艺方案。 相似文献
88.
为了获得高保真的电容式RF MEMS开关自驱动失效阈值功率模型,必须弄清开关膜片上电场分布的边缘场效应。由于受到边缘场效应的影响,在计算开关自驱动失效阈值功率时,不能使用开关与中心导体的正对面积(A)取代受到射频信号频率的开关膜片面积(ARF)。否则,会出现射频信号功率等效电压(Veq)的计算偏差。因此,使用Veq的计算值与开关膜片上的均方根电压值(VRMS)来表征ARF。从而构建一个优值(ARF/A)来表征开关膜片上电场分布的边缘场效应强度。采用HFSS软件构建开关自驱动失效3D电磁模型,针对同一种开关构型,通过仿真得到不同射频信号功率下和不同开关气隙高度下膜片上边缘电场的分布。并与优值计算结果进行比较,初步验证了使用该优值表征开关膜片上电场分布的边缘场效应强度的合理性。 相似文献
89.
薄膜体声波谐振器(FBAR)的谐振频率会受到外界环境温度的影响而产生漂移,对于FBAR滤波器而言,这种温度-频率漂移特性会导致其中心频率、插入损耗、带内纹波等性能发生变化,降低其在电学应用中的可靠性。应用ANSYS有限元分析软件,对一个典型Mo-AlN-Mo三层结构的FBAR进行了温度-频率漂移特性的仿真,得到其在[-50 ℃, 150 ℃]温度范围内的频率温度系数(TCF)约为-3510-6/℃。在FBAR叠层薄膜结构中添加了一层具有正温度系数的二氧化硅温度补偿层,分析了该补偿层厚度对FBAR的温度-频率漂移特性、谐振频率和机电耦合特性的影响。设计了具有一层二氧化硅温度补偿层的FBAR叠层,由Mo/AlN/SiO2/Mo多层薄膜构成,仿真得到其频率温度系数为0.87210-6/℃;与没有温度补偿层的FBAR相比,温度稳定性得以显著改善。关键词: Abstract: Key words: 相似文献
90.
抗干涉齿轮集(CMG)机构是一种精巧的密码鉴别机构,可用于确保要害系统保证性的机械组合锁中。CMG机构的密码鉴别功能取决于两个配对的、多层密码齿轮固定堆叠而成的编码复合齿轮。复合齿轮层数的最小化有利于工程应用优化;对复合齿轮最小层数问题的认识,也是基于CMG机构的机械组合锁的关键科学问题之一。此前已证明第一类CMG机构复合齿轮的最小层数为3;对于有一个独特的指纹特征的第二类CMG机构,其最小层数的问题更为复杂。由于任意一个"NA+NB"的解锁符号序列都可以简并为"MAB"(M≤N)的形式且保持编码二维迷宫映射图中关键陷阱格点(CTG)的色数不变,且CTG互斥约束关系随着"MAB"持续增/减任意数量的"3AB"呈现出周期性,因此首先应用二维迷宫映射变换和CTG互斥的"十字叉"判据,将第二类CMG机构"3AB"(或"6AB"),"4AB"和"5AB"三种基本模式中复合齿轮最小层数的证明过程转换为求解无向图G(V,E)顶点着色的色数,得到其色数分别为3,5和6。进一步得到最终结论,第二类CMG机构必须细分为与简并解锁符号序列对应的三种模式"(3n)AB","(3n+1)AB"和"(3n+2)AB"(n是自然数1,2,…),最小齿轮层数分别为3,5和6。这意味着第二类CMG机构复合齿轮的最小层数受控于解锁符号序列结构的周期性。最后还给出了最小层数第二类CMG机构快捷编码的"三模板着色方法"。 相似文献