High Performance P-Channel Schottky Barrier MOSFETs with Self-Aligned PtSi Source／Drain on Thin Film SOI Substrate

P-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) with PtSi Schottky barrier source/drain, high-k gate dielectric and metal gate electrode were fabricated on a thin p-type silicon-on-insulator (SOl) substrate using a simplified low temperature process. The device works on a fully-depleted accumulation-mode and has an excellent electrical performance. It reaches Ion/Ioff ratio of about 10^7, subthreshold swing of 65 m V/decade and saturation drain current of Ids = 8.8 μA/μm at |Vg - Vth| = |Vd| = 1V for devices with the channel length 4.0μm and the equivalent oxide thickness 2.Onto. Compared to the corresponding bulk-Si counterparts, SOI p-SBMOSFETs have smaller off-state current due to reduction of the PtSi/Si contact area.     

Synthesis and Crystal Structure of a One-Dimensional Coordination Polymer Containing Unusual Na_2Cu_2 Tetrametallacyclic Units

ＩｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎＳｅｌｆ ａｓｓｅｍｂｌｅｄｉｎｆｉｎｉｔｅｃｏｏｒｄｉｎａｔｉｏｎｐｏｌｙｍｅｒｓａｎｄｓｕｐｒａｍｏｌｅｃｕｌｅｓｗｉｔｈｓｐｅｃｉｆｉｃｎｅｔｗｏｒｋｔｏｐｏｌｏｇｉｅｓｈａｖｅａｔｔｒａｃｔｅｄｃｏｎｓｉｄｅｒａｂｌｅａｔｔｅｎｔｉｏｎｄｕｅｔｏｔｈｅｉｒｐｏｔｅｎｔｉａｌａｐ ｐｌｉｃａｔｉｏｎｓａｓｆｕｎｃｔｉｏｎａｌｍａｔｅｒｉａｌｓａｓｗｅｌｌａｓｆａｓｃｉｎａｔｉｎｇｍｏｌｅｃｕｌａｒａｎｄｃｒｙｓｔａｌｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ .Ｗｈｉｌｅｔｈｅｖａｓｔｍａｊ…     

台湾大型真菌长期生态之研究

作者在台湾中部关刀溪长期生态研究站从事大型担子菌多样性与分布之调查研究,并且将研究站之地理环境、植物族群和生态特性予以描述记录.为了研究上的需要,我们在生态研究站中设置了八个实验样区专供大型真菌生态调查研究用.实验样区经过全面调查之后发现优势植物族群为野牡丹科、樟科、里百科、山龙眼科、桃金娘科和胡桃科等.实验样区中主要的大型真菌有小菇属、小皮伞属、趋木菌属、栓菌属、红菇属、革盖菌属、乳菇属、鹅膏属和韧革菌属等.大多数大型真菌的子实体在七月间出现,只有少量子实体在三月间发现.小菇属和小皮伞属是最常见的大型真菌,不论在夏季和冬季都可发现它们的子实体.在夏季出现子实体的真菌有红菇、革盖菌、乳菇、鹅膏、蜜环菌、拟层孔菌、灵芝、小孔菌和赤褶菇等;然而,在冬季出现子实体的真菌则是趋木菌、栓菌、韧革菌和笋毡菌等.实验样区中大型真菌的分布显示富有变化,子实体出现频率与真菌之多样性和伴生植物植群具有相关性.真菌子实体出现多的样区主要的伴生植物有柏拉木、香桂、倒卵叶山龙眼、小叶赤楠、台湾黄杞、菝契、杉木、肾蕨和倒叶瘤足蕨.然而,真菌子实体出现少的样区常见的伴生植物为红花八角和中华里.依据研究结果推论森林生态系中植物族群是影响真菌族群的建立与分布的主要因子之一.     

新闻报道与美学

新闻美学内涵的主要内容的阶级性、真实性、时效性、重要性、可读性，新闻工作者应具备美学意识，进行新闻报道创新，从而推动新闻报道的改革深。     

Ru(bpy)2(NCS)2染料敏化CdS/Zn2+TiO2复合半导体纳米多孔膜的光电化学

采用水热法合成了Zn²⁺离子掺杂的TiO₂纳米粒子[Zn²⁺掺杂量0.5%(物质的量的比)],并用光电化学方法研究了经Ru(bpy)₂(NCS)₂(bpy=2,2′bipyridine₄,4′dicarboxylicacid)分别敏化的掺杂Zn²⁺的TiO₂电极(简写为Zn²⁺-TiO₂)和CdS/Zn²⁺-TiO₂复合半导体纳米多孔膜电极的光电化学行为.实验证明Ru(bpy)₂(NCS)₂敏化CdS/Zn²⁺-TiO₂复合半导体纳米多孔膜电极比单独敏化Zn²⁺-TiO₂电极的光电转换效率高,且敏化Zn²⁺TiO₂电极和敏化CdS/Zn²⁺TiO₂复合半导体纳米多孔膜电极比Zn²⁺-TiO₂电极的光电流产生的起始波长都向长波方向移动.在360600nm范围内,Ru(bpy)₂(NCS)₂敏化CdS/Zn²⁺-TiO₂复合半导体纳米多孔膜电极光电转换效率最好.     

PbS/Ru(Ⅱ)配合物敏化Cd(Ⅱ)掺杂TiO_2纳米晶电极的光电化学

合成了Ｃｄ（Ⅱ）掺杂ＴｉＯ２纳米粒子（掺杂５％Ｃｄ（Ⅱ））,用光电化学方法测定了ＰｂＳ、ＲｕＬ２（ＮＣＳ）２（Ｌ＝２,２′联吡啶４,４′二羧酸）分别敏化及ＰｂＳ／ＲｕＬ２（ＮＣＳ）２复合敏化该纳米晶膜电极的光电化学行为,实验证明,ＰｂＳ、ＲｕＬ２（ＮＣＳ）２单独敏化和ＰｂＳ／ＲｕＬ２（ＮＣＳ）２复合敏化的Ｃｄ掺杂电极比纯的ＴｉＯ２电极的光电流产生的起始波长都向长波方向移动;在３８０～６００ｎｍ范围内,ＰｂＳ／ＲｕＬ２（ＮＣＳ）２复合敏化Ｃｄ掺杂电极的效果比ＰｂＳ和ＲｕＬ２（ＮＣＳ）２单独敏化的效果更好     

PMC敏化SnO2纳米结构多孔膜电极的光电化学特性

研究了五甲川菁（PMC）敏化SnO2纳米结构电极的光电化学行为．结合循环伏安曲线及五甲川菁的光吸收阈值,初步确定了五甲川菁染料电子基态和激发态能级．结果表明,五甲川菁染料电子激发态能级能与SnO2纳米粒子导带边位置相匹配,因而使用该染料敏化可以显著地提高SnO2纳米结构电极的光电流,使SnO2纳米结构电极吸收波长红移至可见光区和近红外区,光电转换效率（IPCE）得到明显改善,其值最高可达45．7％．     

PMC敏化SnO2纳米结构多孔膜电极的光电化学特性

研究了五甲川菁(PMC)敏化SnO2纳米结构电极的光电化学行为.结合循环伏安曲线及五甲川菁的光吸收阈值,初步确定了五甲川菁染料电子基态和激发态能级.结果表明,五甲川菁染料电子激发态能级能与SnO2纳米粒子导带边位置相匹配,因而使用该染料敏化可以显著地提高SnO2纳米结构电极的光电流,使SnO2纳米结构电极吸收波长红移至可见光区和近红外区,光电转换效率(IPCE)得到明显改善,其值最高可达45.7%.     

用于等离子体诊断的磁探针矩形分布线圈注释

将傅里叶级数分析用于等离子体诊断的磁探针矩形分布线圈,表明关于它能代替正弦、余弦线圈的论述是无疑的。     

三甲川菁染料敏化TiO2纳米 结构电极的光电化学

The photoelectrochemical behaviors of the TiO₂ nanostructured porous film sensitized by cyanine dye were investigated in this paper.The results showed that the excitaed state level matched the conduction band edge of TiO₂ nanoparticle.Therefore the sensitization of the dye can increase the photocurrent intensity of the TiO₂ nanostructured electrode obviously and results in a red-shift of optical absorption from the ultra-violet region to the visible.As a result,the light-to-electricity conversion efficiency was improved evidently,the maximum value of IPCE has reached 12.1%.