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101.
双层规划问题是一类具有递阶结构的优化问题.在不确定的双层规划优化问题中,目标函数系数或约束条件系数为区间数的双层规划模型在实际问题中有着广泛的应用.在二次-线性双层规划模型的基础上,提出了上、下层目标函数以及约束条件系数均具有区间系数的二次-线性双层规划模型,给出了求解其最好最优解的方法.首先,通过选取约束条件中不同的基矩阵,求得区间二次-线性双层规划的可能最优解.再比较求得的全部可能最优解,便可得到区间二次-线性双层规划模型的最好最优解.最后给出数值算例验证该方法的有效性. 相似文献
102.
研究一类新的非参数回归模型回归函数的核估计问题,其中误差项为一阶非参数自回归方程.通过重复利用Watson-Nadaraya核估计方法,构造了回归函数及误差回归函数的估计量分别为m(.)和ρ(.),在适当的条件下,证明了估计量m(.)和ρ(.)的渐近正态性. 相似文献
103.
104.
以浙春3号大豆为研究材料,设置了不同的钼、硼浸种对大豆种子的萌发和幼苗生理特性的影响,结果表明:低浓度钼或硼有利于大豆种子的萌发,钼、硼浸种时间以12h最佳,钼浸种或不过量硼浸种将增大豆幼苗的呼吸速率,提高过氧化物酶(POD)、过氧化氢酶(CAT)和超氧化岐化酶(SOD)等抗逆性酶的活性,降低质膜透性(MP)及丙二醛(MDA)和脯氨酸(Pro)的含量,中等浓度的钼、硼浸种效果最显著,而高浓度浸种将产生相反的效果。 相似文献
105.
协方差改进法及其应用 总被引:4,自引:1,他引:4
协方差改进法是构造更好估计的一个有力工具,本文在系统讨论了这个方法及其重要性质基础上,综述了它在许多模型的参数估计中的应用。这包括半相依回归模型,线性回归模型和生长曲线模型。本文还提出了几个未解决的问题。 相似文献
106.
^239Pu的中子数据是堆工设计及实验分析中十分重要的核参数,特别是(n,2n),(n,3n)反应道截面数据的质量对快中子动力学行为的诊断有直接的影响。由于实验上的困难,现有的实验数据稀少而且精度令人怀疑,另外现有的各个评价核数据库(ENDF/B6,IENDL-3,CENDL-3)的(n,2n),(n,3n)反应道截面数据差异很大。为给出高精度的截面数据,需要进行核模型及相关核参数的改进研究。 相似文献
107.
采用新近发展的全势能线性缀加平面波((L)APW) 局域轨道(lo)和广义梯度近似(GGA)密度泛函方法计算了Y(Fe,M)12化合物(M=Nb,Si)的电子结构,得到了相应的总态密度和局域态密度,并分析了替代原子与替代晶位不同引起态密度的变化。根据计算结果预测的居里温度变化与实验结果基本一致。 相似文献
108.
109.
对1560 nm单频光纤激光光源通过一个光学模清洁器后的强度噪声进行了分析研究.实验观察到模清洁器虽然对于激光的高频强度噪声有明显的抑制作用,但强度噪声特性随频率呈一定周期变化,且在低频处模清洁器对强度噪声有放大作用.本文认为这是由于模清洁器具有类似于光纤延迟线的时延效应,将激光源的部分相位噪声转化为强度噪声.通过理论分析,由相位噪声转化的相对强度噪声幅度与激光相干时间、模清洁器的平均延时参数以及分析频率相关.分析结果与实验测量结果符合良好.此外,通过在光路中加入声光调制器进行反馈调制,激光的线宽从26 kHz压窄至16 kHz,模清洁器的锁定质量明显提高,经过模清洁器后的激光强度噪声有所减小,与理论相符.该结果进一步证实了由相位噪声转化而来的强度噪声与模清洁器的锁定质量无直接关系.通过该研究,完善了光学模清洁器对激光的噪声抑制模型. 相似文献
110.
A simple and convenient pressure calibration method is developed for a newly designed portable wide-access 'panoramic' cell. This cell is adapted to angle-dispersive-mode high-pressure in situ neutron diffraction of reactor neutron sources. This pressure calibration method has established a relationship between the cell pressure and the anvil displace- ment (gasket compression) based on the fixed-point calibration technique. By employing TiZr gasket with a thickness of 3 mm and WC anvil with a culet of 4 mm diameter, the average anvil displacements are 1.31 mm and 2.22 mm for Bi phase transitions (2.55 GPa and 7.7 GPa), and 1.85 mm for Ba phase transitions (5.5 GPa), respectively. In this pressure range, the pressure increases quickly with decreasing gasket thickness, and undergoes a linear increase with the anvil displacement. By extrapolating the calibration curve, the cell pressure will achieve 10 GPa when the anvil displacement is around 2.5 ram. 相似文献