一种二维数字化齿面加工方法研究

利用数字化共轭曲面原理和齿轮啮合原理对数字化齿面加工方法进行研究.研究聚焦于离散表达的数字化齿面与解析表达的刀具面在加工过程中的几何关系与相对运动.求得刀具截形上与数字化齿面每个离散点对应的共轭点及它们相互接触时的对应共轭运动,将所求离散展成运动参数自动排序,插值形成连续共轭运动,实现对数字化齿面的连续加工.二维非标准数字化修形齿面的插削展成加工仿真计算实例,验证了该方法的正确性.     

高职院校助力精准扶贫的路径实践研究——以甘肃卫生职业学院为例

实施精准扶贫、决战决胜脱贫攻坚,是国家重大战略工程,是解决贫困人口“两不愁三保障”问题,全面建成小康社会的重要方略,高职院校主动融入地方扶贫工作,是发挥服务社会的职能的体现。本研究通过探讨甘肃卫生职业学院在精准扶贫工作方面做法和经验,研究探索高职院校在精准扶贫中发挥重要作用的路径。     

自由面对潜艇尾流场流动特性影响研究

潜艇周围绕流场流动特性会影响潜艇的机动性能,特别是近水面航行时,自由面的存在会增大潜艇尾流场的复杂程度.为探究潜艇在近水面航行时自由液面对潜艇尾流场流动特性的影响机理,借助大型水下三维粒子图像测速技术开展潜艇尾流场流动特性研究.首先通过美国泰勒水池标准模型实验结果对试验方法准确性进行验证;随后,用验证后的模型试验方法对...     

相容双有限Domain的几个性质

在相容双有限domain概念及其等价性质的基础上,证明了几个与相容双有限domain相关的结论：相容双有限domain在Scott连续映射下的像仍是相容双有限domain;相容双有限domain的非空Scott闭子集仍是相容双有限domain等.     

潜指纹显现方法研究进展

综合介绍了常用的几种潜指纹显现方法及原理,其中主要综述了指纹的物理化学显现法和化学显现法的进展,包括多金属沉淀法、茚三酮法和荧光材料显现法等。     

河海大学工程力学系、工程力学研究所介绍

河海大学(原华东水利学院)工程力学系建于1960年,根据水电建设和经济发展的需要,60年代设立应用力学专业,70年代设立水工建筑力学专业,1977年设立了工程力学专业,根据系所结合体制的需要,于1982年建立工程力学研究所.工程力学系与工程力学研究所.下设理论力学、材料力学、结构力学、弹塑性力学、计算力学、实验     

贸易开放、人力资本结构高级化与科技创新能力——基于省级面板数据的实证分析

科技创新是提高社会生产力和综合国力的战略支撑,人力资源是第一资源。采用固定效应模型,实证检验了贸易开放和人力资本结构高级化对科技创新的影响,研究发现,贸易开放和人力资本结构高级化是促进科技创新能力的显著因素,其中人力资本结构高级化对科技创新能力的影响更大。异质性分析的结果表明,贸易开放和人力资本结构高级化对科技创新的影响会因地理区域位置的不同而有所差异。因此,我国应该采用更加积极主动的贸易开放政策和人才培养战略,营造良好的科技创新氛围,以提升整体科技创新能力水平,进一步增强综合国力,提升国际地位。     

Interface states in Al_2O_3/AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor structure by frequency dependent conductance technique

Frequency dependent conductance measurements are implemented to investigate the interface states in Al2O3/AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor(MOS) structures. Two types of device structures, namely, the recessed gate structure(RGS) and the normal gate structure(NGS), are studied in the experiment. Interface trap parameters including trap density Dit, trap time constant τit, and trap state energy ETin both devices have been determined. Furthermore,the obtained results demonstrate that the gate recess process can induce extra traps with shallower energy levels at the Al2O3/AlGaN interface due to the damage on the surface of the AlGaN barrier layer resulting from reactive ion etching(RIE).