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21.
Analysis of Cr atom focusing deposition properties in the double half Gaussian standing wave field 下载免费PDF全文
The use of the dipole force on atoms is a new technology that is used to build nanostructures. In this way, a high quality standard nano-grating can be obtained. Based on the semi-classical model, the motion equation is investigated and the trajectories of atoms in double half Gaussian standing wave field are simulated. Compared with the Gaussian standing wave field, the double half Gaussian standing wave can well focus the Cr atoms. In order to obtain this kind of beam, a prism is designed and the experimental result shows that the beam is well generated. 相似文献
22.
Structured mirror array for two-dimensional collimation of a chromium beam in atom lithography 总被引:1,自引:0,他引:1 下载免费PDF全文
Direct-write atom lithography,one of the potential nanofabrication techniques,is restricted by some difficulties in producing optical masks for the deposition of complex structures.In order to make further progress,a structured mirror array is developed to transversely collimate the chromium atomic beam in two dimensions.The best collimation is obtained when the laser red detunes by natural line-width of transition 7S3 → 7P40 of the chromium atom.The collimation ratio is 0.45 vertically(in x axis),and it is 0.55 horizontally(in y axis).The theoretical model is also simulated,and success of our structured mirror array is achieved. 相似文献
23.
采用臭氧氧化技术处理2,4,6-三氯酚(2,4,6-TCP),研究其反应动力学,同时研究2,4,6-TCP的初始质量浓度、臭氧发生量、pH、水中常见阴离子对降解速率的影响.研究结果表明:臭氧氧化能有效降解2,4,6-TCP,且降解规律符合准一级动力学模型;2,4,6-TCP初始质量浓度由3 mg/L增加到l0 mg/L,降解速率k由0.134 1 min-1降低到0.058 1 min-1;同定初始质量浓度5 mg/L,当臭氧发生量由0.68 mg/min增加到2.34 mg/min时,降解速率常数由0.087 7 min-1提高到0.328 4 min-1;当pH由2.96逐步增加至11.00时,2,4,6-TCP 的降解速率常数由0.050 3 min-1提高到0.168 1 min-1,且对于相同的pH增幅对降解反应速率的影响,酸性条件较碱性条件更大;SO42-对降解速率的影响不明显,HCO3-,CO32-,NO3-和C1-均有利于2,4,6-TCP的降解,反应速率常数由大至小依次为:HCO3-,CO32-,NO3-,Cl-和SO42-. 相似文献
24.
中药透皮吸收促进剂具有起效快、效果好、副作用小、无污染等优点,本文根据有关文献,总结了近十年来常用中药透皮吸收促进剂的研究进展,为中药透皮吸收促进剂的开发提出了一些新思路。 相似文献
25.
高铁酸钾去除水中磺胺嘧啶 总被引:1,自引:0,他引:1
采用高铁酸钾去除水中磺胺嘧啶,探讨高铁酸钾投加量和反应液pH值对磺胺嘧啶去除效果的影响,并利用LC-HESI-MS-MS分析高铁酸钾氧化磺胺嘧啶的降解机理.结果表明:高铁酸钾对磺胺嘧啶具有很好的去除效果,当反应液pH值为7.0且高铁酸钾投加量为0.100 0 mmol·L-1时,反应10 min后0.02 mmol·L-1的磺胺嘧啶去除率达到86.2%,而反应液TOC浓度下降率不超过10%;在试验条件范围内,随着高铁酸钾投加量的增加,磺胺嘧啶的去除率提高;中性和弱酸性条件下,磺胺嘧啶反应速率及去除率明显高于碱性条件;LC-HESI-MS-MS产物检测发现大部分的磺胺嘧啶仅转化为大分子产物,未得到彻底矿化,这与TOC浓度检测结果一致. 相似文献
26.
采用铬原子束激光感生荧光激光稳频技术解决铬原子光刻实验中激光频率随时间漂移的问题.从理论和实验两个方面对铬原子束激光感生荧光强度随激光功率和坩埚温度的变化情况进行了研究.结果显示,在坩埚温度一定的情况下,由于铬原子的饱和效应,当激光功率增大到6 mW左右时,荧光斑点的中心强度会达到饱和然后随激光功率的增加变化不大.另外,随着激光功率的增加,荧光斑点轮廓曲线的半高宽在变大的同时,对比度减小.在激光功率一定的情况下,由于铬原子喷射的个数与坩埚温度成正比,荧光斑点的中心强度随坩埚温度的增加而增加,并且不出现饱和效应;随着坩埚温度的升高,荧光斑点轮廓曲线的半高宽基本不变,而对比度增大.这些变化趋势和理论结果符合地很好. 相似文献
27.
28.
This paper presents the experimental progress of laser-focused Cr atomic deposition and the experimental condition.The result is an accurate array of lines with a periodicity of 212.8±0.2 nm and mean full-width at half maximum as approximately 95 nm.Surface growth in laser-focused Cr atomic deposition is modeled and studied by kinetic Monte Carlo simulation including two events:the one is that atom trajectories in laser standing wave are simulated with the semiclassical equations of motion to obtain the deposition position;the other is that adatom diffuses by considering two major diffusion processes,namely,terrace diffusion and step-edge descending.Comparing with experimental results(Anderson W R,Bradley C C,McClelland J J and Celotta R J 1999 Phys.Rev.A 59 2476),it finds that the simulated trend of dependence on feature width is in agreement with the power of standing wave,the other two simulated trends are the same in the initial stage.These results demonstrate that some surface diffusion processes play important role in feature width broadening.Numerical result also shows that high incoming beam flux of atoms deposited redounds to decrease the distance between adatoms which can diffuse to minimize the feature width and enhance the contrast. 相似文献
29.
980nm单模运转未镀增透膜光纤光栅激光器 总被引:1,自引:0,他引:1
提出了一种工艺简单的980nm未镀增透膜的光纤光栅外腔半导体激光器。首先从理论上分析了边模抑制比(SMSR)与激光二极管前表面反射率R2、外腔长Lext和激光二极管一光纤耦合效率之间的关系,得出边模抑制比随R2和Lext的增大而减小,而随着激光二极管一光纤的耦合效率的提高而增大。从计算结果中还可以看出,即使半导体激光器不镀增透膜(R2=0.3时)。在其它参量合适的情况下,边模抑制比仍可大于40dB。然后,对其进行实验验证。在半导体激光器未镀模的情况下,选择光纤光栅发射率为0.5,外腔长为12.5cm,输人电流为28.8mA(约为阈值电流的2.4倍)时,通过仔细调节恒温、恒流电路,实现了边模抑制比高于40dB的稳定的单纵模输出,外腔激光器的线宽优于1.6MHz。 相似文献
30.