耦合同轴磁绝缘传输线的低阻抗大面积轫致辐射二极管设计北大核心CSCD

为了设计与前端低阻抗同轴磁绝缘传输线耦合的大面积轫致辐射二极管,提出了一种利用锥形磁绝缘传输线(MITL)结合阴极开孔结构来对电子输运进行调节的二极管设计方案。该结构的主要特点是在不外加电子输运调控装置的前提下,利用大角度的入射电子产生轫致辐射,在靠近二极管出射窗附近形成大面积准均匀辐射区。采用二维粒子模拟与蒙特卡罗模拟(MCNP 4C)相结合的数值模拟方法对二极管进行了模拟和分析,对于如何构建更好反映角向均匀的MCNP源提出了新的想法。模拟结果表明,该设计方案可以实现在不外加电子输运调控装置的情况下,在二极管后端得到均匀大面积轫致辐射区。     

光学学习困难的调查与分析

通过调查得出了大学生光学学习困难的表现为:前概念的不科学、语词上机械地理解物理概念、几何叠加与物理光学叠加区别不明.以课程论、学习理论为依据从教材、课程特点及思维定势等方面分析了造成大学生光学学习困难的原因.     

L1∩LP(P＞1)函数类的Fourier变换的乘子

该文讨论了L1∩LP(P＞1)函数类的Fourier变换的乘子,给出了一个复函数为L1∩LP(P＞1)函数和实直线上的相关函数的Fourier变换乘子的充分必要条件.     

RD-7距離繼電器改爲低阻抗起動的研究報告

RP—7距離機電器是德意志民主共和國EAW工廠出品的具有四段階梯型特性的高速度距離保護裝置,在我國電力系統中得到了廣泛的應用谀畴娏ο到y中更担負著系統基本保護的任務。BD—7有用過電流起動元件者(SJ_ox型     

实系数多变数二次多項式的因式分解問題

一、引言多項式的因式分解,往往是根据不同情况采取不同的分解方法。在中学里所使用的一些方法,基本上是提取公因式法、利用乘法公式法和分組分解法等,很少有一般的分解方法。对中学生要求到这样程度也就可以了。但对中学教师来說,口掌握特殊方法还是不够的,应尽可能掌握一些一般的分解方法。一个变数的有理数系数任意次多項式的因式分解,在个別的高等代数里已經提到它在有理数体上的一般分解方法。这个方法是此較麻煩的,但它有一个好处,能分解或不能分解通过它我們都能知道,而且能分解时能把它分解出来。我这里所写的实系数多变数二次多項式的因式分解問題是来研究实系数多变数的二次多項式在实数体上的一般分解方法。作起来虽然也比較麻煩,但能分解或不能分解它都能給以肯定的解答。这篇文章是我个人的点滴体会,可能有缺点和錯誤,請讀者給以指正。     

获得快速取样定理的一个新方法

本文通过卷积来构造可表为初等函数的尺度函数，其形式简单，在光滑性、局部性等性质上优于其他构造方式所得结果，且其收敛于零的阶数可达到Ｏ（／ｘ／＾－Ｎ）此外Ｎ是任意正整数，从而由此尺度函数所建立的取样定理有更高的收敛速度。     

土石坝模型平稳随机振动试验及数值计算

为检验作者所提数值分析法的可靠性和探讨土石坝随机振动试验的可能性，在 大型振动台上进行了一系列散粒体土石坝模型平稳随机振动试验．试验结果和数值计 算结果互相印证表明所提数值分析方法可靠，动力模型试验可行．     

对于一类复合函数单调区间的探讨

关于寻求复合函数的单调区间,我们通常接触到的函数只是由两个单调函数复合而成,如lg(2-x),或由单调函数与一个非单调函数复合而成,如log_(0.5)(x~2 4x 4)等。而对于由两个非单调函数组成的复合函数来说,其单调区间的确定,显得比较复杂且缺乏统一模式。然而,对于由某些特殊类型非单调函数组成的复合函数单调区间却可得出具有一般性的结论。在本文,先对由两个一元二次函数复合而成的一类函数的单调区     

金属卟啉的合成及其对细胞色素P-450的模拟 12.μ-氧-双铁(Ⅲ) 卟啉系列化合物对环已烷的单充氧催化物作用

研究了九种μ-氧-双[四苯基卟吩合铁(Ⅲ)]衍生物[TXPPPe^Ⅲ]~O 在温和条件下PHIO环已烷氧化成环以醇和环已酮的反应,结果表明,该反应的产率和速率与卟啉环上取代基的特性常数之间存在的线性关系, 反应的产物分布和动力学性质与反应温度,溶剂型质以及空气有关,还考察了这一反应过程的另一竞争反应-氧化剂对[ TXPPEeⅢ[~O的破坏反应,根据文献报道和实验结果,本文对μ-氧-双铁(Ⅲ)卟啉催化环已烷羟基化反应的可能途径进行了探讨.     

Zn2GeO4纳米棒的制备及发光性质

采用水热合成法制备了纯菱形相的Zn₂GeO₄纳米棒,研究了水热制备前驱体溶液的pH值对材料尺寸及形貌的影响以及Zn₂GeO₄纳米棒的光学性质。扫描电子显微镜（SEM）测试结果表明,随着前驱体溶液pH值的变化样品逐渐由微米级块状结构生长成为纳米颗粒,并且进一步形成纳米棒结构。纳米棒的尺寸由长200 nm变化到500 nm。室温光致发光（PL）光谱中观察到位于450和530 nm两个不同的发光峰,其分别源于Zn₂GeO₄的不同缺陷能级。