锑化铟单晶中杂质的反常分凝

借助于电学及质谱分析方法测定了掺Te,及未掺杂InSb晶体横截面上的杂质浓度分布。结果指出,杂质在小平面上具有明显的反常分凝现象,对于小平面效应的机制进行了讨论,并根据热力学理论给出了一个能满意解释实验结果的具体表式。 关键词：     

Hopf代数的扭曲余积和H^R型Hopf代数

本文引进了Ｈｏｐｆ代数的扭曲余积，推广了广义偶交叉积，使得一般的右Ｓｍａｓｈ余积也是这里的特殊情况，讨论了Ｈ＾Ｒ型Ｈｏｐｆ代数与扭曲余积的关系。     

基于DMF的Rake接收机的捕获性能分析

对数字匹配滤波器(DMF)的Rake接收机的捕获性能进行了深入讨论,利用状态转移图推导出频率选择性信道下Rake接收机的平均捕获时间的表达式,并进行了数值分析.得出的主要结论是:DMF的Rake接收机具有很快的捕获速度;对于频率选择性信道,接收信号存在可以分离的多径分量,采用Rake接收机的检测性能要比常规接收机的检测性能好;Rake接收机的抽头数越多,平均捕获时间就越长,捕获性能就越差; Rake接收机的抽头数越多,门限取值范围就越宽.     

周期结构薄膜在折射率色散下反射区特性研究

周期性结构是光学薄膜设计的基本物理模型,给出了反射区中心波长的一般性条件,研究了在膜层材料存在折射率色散情况下,等厚周期结构和非等厚周期结构的薄膜反射区中心波长与带宽特性.研究结果表明:在等厚和非等厚周期结构中,考虑膜层材料折射率色散与忽略色散情况相比,中心波长向长波方向移动,反射级次与相对波数的线性关系偏离;在薄膜光学厚度一定的非等厚周期结构中,高折射率层光学厚度大于低折射率层时,反射级次与相对波数的线性关系偏离度高;非等厚周期结构薄膜的带宽在低反射级次上小于等厚周期结构,同时膜层的色散对反射带宽影响不大.     

金属氧化物薄膜在中波红外光谱区内光学常数色散特性

基于金属氧化物薄膜材料在中波红外波段应用的需求,研究了含水状态的TiO2、HfO2、Ta2O5和Y2O34种金属氧化物薄膜在中波红外波段内(2.5~5μm)光学常数的色散特性。利用电子束蒸发沉积技术,在超光滑的硅表面制备了4种氧化物薄膜,基于洛仑兹振子介电常数色散模型,通过透射率光谱反演计算了4种氧化物薄膜的光学常数。研究结果表明:4种氧化物均有少量的水分子、羟基,水含量从少到多的薄膜依次为TiO2、HfO2、Ta2O5和Y2O3,在远离水吸收的位置,消光系数从小到大的薄膜分别为TiO2、HfO2、Ta2O5和Y2O3;在电子束蒸发沉积工艺条件下,为了降低水的影响,TiO2和HfO2是中红外波段较为理想的金属氧化物薄膜材料。     

A description of pseudorapidity distributions in p-p collisions at center-of-mass energy from 23.6 to 900 GeV

In the context of the combined model of evolution-dominated hydrodynamics + leading particles, we discuss the pseudorapidity distributions of charged particles produced in p-p collisions. A comparison is made between the theoretical predictions and experimental measurements. The combined model works well in p-p collisions in the whole available energy region from √s=23.6 to 900 GeV.     

兰州市大气降尘中多环芳烃的研究

为了解兰州市大气降尘中16种优控多环芳烃的来源及存在的健康风险,采集兰州市大气降尘样品,对降尘中多环芳烃进行了因子分析,判断了降尘中多环芳烃的来源,并对大气降尘中的多环芳烃进行了风险分析。结果表明兰州市大气降尘中16种优控多环芳烃的总量为28.9mg/kg,其主要组分为苊和苊烯,二者占多环芳烃总量59.6%,7种致癌芳烃占多环芳烃总量的26.9%。因子分析的结果认为尾气排放和化石燃料的燃烧是兰州市大气降尘中多环芳烃的主要来源。兰州市大气降尘中PAHs的毒性当量浓度TEQBaP为2.57mg/kg,其主要贡献者为环数更高、毒性更大的5环苯并[a]芘,占TEQBaP的82.1%。     

脉冲变压器驱动SiC MOSFET型Marx同步特性

为实现全固态Marx发生器中多个SiC MOSFET开关的同步驱动，设计了一种基于脉冲变压器的驱动控制电路。多路驱动信号的同步性会影响到Marx发生器的输出波形参数，因此要求驱动信号具有快脉冲前沿、低抖动特点。根据SiC MOSFET驱动原理及要求，分析了SiC MOSFET驱动电路脉冲前沿的影响因素，分析计算其相关参数，进行仿真模拟验证。设计了共初级穿芯10级串联的脉冲变压器，初次级的匝数分别为1匝和9匝，次级经正负脉冲信号调理电路后驱动10级Marx电路。实测结果表明利用脉冲变压器原边漏感与谐振电容构成的谐振电路在断续模式下，驱动功率越大，脉冲前沿越快且同步性越好。该同步驱动电路的脉冲前沿为112 ns，脉宽1～10μs可调，频率10～25 kHz可调，满足固态Marx发生器参数调整需求。