ZnTe(110)表面电子态及其弛豫对表面电子态的影响

给出了Ⅱ-Ⅵ族半导体化合物ZnTe(110)表面电子特性的理论研究.考虑最近邻的sp³s模型描述体态电子结构，使用散射理论方法，给出了理想和弛豫ZnTe(110)表面的波矢分辨的电子态密度和表面投影带结构.结果表明：弛豫的ZnTe(110)表面在带隙中没有表面态存在.在价带中的表面态及表面共振态和其他弛豫的Ⅲ-Ⅴ族及Ⅱ-Ⅵ族半导体的(110)表面具有相似的特征.与实验结果及第一性原理的自洽赝势计算结果相比，计算的结果符合得很好. 关键词：     

不同温度下Si(001)表面各种亚稳态结构的分子动力学模拟

采用Stillinger-Weber势对不同温度下解理Si(001)表面的原子几何结构进行等温分子动力 学模拟.模拟结果表明Si(001)表面除主要的p(2×1)结构之外，较低温度下还会有双悬挂键 的单原子结构存在；较高温度下表面还会存在c(2×2)和三聚体等亚稳态结构；接近表面熔 化温度时，双悬挂键单原子、c(2×2)和三聚体等亚稳态结构都消失，表面只存在稳定的p(2 ×1)结构. 关键词： 分子动力学模拟 表面结构 Si(001)表面 Stillinger-Weber势     

BN(110)弛豫表面电子结构的理论研究

本文利用形式散射理论的格林函数方法，采用考虑最紧邻的sp^3s^*模型描述体带，计算了BN（110）面的电子结构，分别给出了理想表面和驰豫表面的投影带结构和波矢分辨的层态密度，并进行了较详细的讨论。结果表明：BN（110）DM面的电子结构与大多数Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族半导体的（110）面的电子结构定性上是类似的，但在各表面态的能级位置、色散特性和轨道特性等方面均有较大的差别。这与它的反常弛豫有一定的关系。     

氮气流量对氮化碳薄膜场致发射特性的影响

采用直流磁控溅射的方法,以镀Ti瓷片为衬底,改变N\-2和Ar的流量比,在衬底温度为400℃条件下制备了氮化碳薄膜,并对其场致发射特性进行研究,样品的开启电压为2.67V/μm,最大电流密度为17.31μA/cm2,比在同一系统制备的碳膜和用阴极电弧技术制备的氮化碳薄膜有更好的场发射特性.结果表明溅射气体中氮气含量对氮化碳薄膜的场发射特性有较大的影响.     

ELECTRONIC STRUCTURE OF THE ZnTe/CdSe(100) INTERFACES WITH ATOM INTERCHANGE

By using the combination of the first-nearest neighbor tight-binding model sp³s^* and Green function method in the frame of the scattering theory, we studied the electronic structure of ZnTe/CdSe(100) heterojunction with cation layers interchange across ZnSe-like or CdTe-like interface, and presented the interface band structures and wavevector-resolved interface layer densities of states. By comparing with the electronic states of ideal interfaces, we analyzed the nature and origins of all interface states, and discussed the influence of atom layers interchange on interface electronic structure.     

沉积工艺参数对碳纳米管薄膜场发射性能的影响

利用微波等离子体化学气相沉积(MWPCVD)方法,在不锈钢衬底上直接沉积碳纳米管膜。通过SEM、拉曼光谱和XRD表征,讨论了制备温度和甲烷浓度对碳纳米管膜场发射的影响。结果表明:不同条件下制备的碳纳米管膜的场发射性能有很大差异,保持氢气的流量(100sccm)、生长时间(10min)、反应室压力不变,当甲烷流量为8sccm、温度为700~800℃时,场发射性能最好,开启场强仅为0.8V/μm,发射点分布密集、均匀。     

原子位置驰豫对ZnS（110）表面电子结构的影响

用总能量最小方法，确定了ＺｎＳ（１１０）表面的原子几何结构，得到与弹性低能电子衍射实验相符的结果，利用格林函数的散射理论方法，计算了ＺｎＳ（１１０）表面的电子结构，在此基础上，讨论了晶格驰豫对表电子特性的影响。     

Si（313）表面电子结构特性的理论研究

利用形式散射理论的格林函数方法及紧束缚最近邻近似下的sp3s模型，首次计算了半导体Si的（313）高指数表面的表面电子结构.采用层轨道表象及表面投影技术，给出了（313）表面在二维布里渊区高对称点的波矢可分辨的电子态密度和表面投影能带结构.计算结果表明（313）表面在-10eV到+2eV的能区内存在6个主要的表面态.在此基础上讨论了各表面态的色散特性、轨道特性和局域特性等.     

InSb(211)A,B表面电子结构特性

采用散射理论的格林函数方法计算了InSb(211)A,B两类表面的电子结构,分别给出了两类表面的表面投影能带结构,分析了各表面态的轨道特性和色散特性;并在此基础上讨论了两类表面的稳定性;计算结果和实验结果定性的相符合. 关键词：