论贵州民族地区体育产业发展现状及对策

贵州民族地区具有独特的地形地貌和丰富的民族风情旅游优势，挖掘民族地区体育资源，增加民族体育资源储量，促进贵州民族地区体育产业的发展，是贵州省国民经济的一个新的增长点。     

高能h-A碰撞

本文在QCD修正的Drell-Yan机制和矢量介子中间态贡献下,利用NMC组的1-A深度非弹在0.00352<90MeV²/c²测量的结构函数比值R_A(x,Q²),通过重标度模型解释了WA-78组对(π^－,P)+A→μμ+X过程在2m_μ≤m_μμ≤1.5GeV和0.1≤x_F≤0.6内的测量结果.将它们与在不同的m_1l和x_F区间测量的CIP组结果对比,解释了为什么靶核在前者中显示遮蔽效应面在后者中则显示出反遮蔽效应.指出通过重标度模型和其合理假定后,它们都与R_A(x,Q²)直接相关,从而进一步揭示了1-A深度非弹中核效应与h-A ll产生过程中核效应之间的本质联系.     

过程控制中计算机图形信息压缩存贮和图形滚动方法

对工业生产过程控制和管理中的计算机图形显示,提出一种压缩存贮和滚动的新方法。新方法的实施,可使图形数据占用的存贮空间减少约80％,一般地不需使用外存,从而大大提高了显示速度,解决了普通微型机存贮空间和显示速度之间的矛盾,有效地提高了普通微机的功能/价格比。所提出的方法均经工程实践检验过,效果良好。     

BEPCII直线注入器的尾场效应

BEPCII直线注入器中的强流、短束团的尾场效应将损害束流的性能.用分析解和数值模拟计算的方法,系统地研究了尾场对纵向和径向束流动力学的影响,包括单束团的短程尾场和多束团的长程尾场对束流能量、能散、发射度、轨道和初级电子束在正电子产生靶上束斑尺寸的影响等.研究了有效抑制这些尾场效应的措施     

理想微裂纹系统中的随机扩展效应

本文讨论了在理想微裂纹系统中,由于微裂纹的随机性扩展,对微裂纹统计演化产生的效应。文中提供了一般的理论框架,给出了便于处理的转移概率的表达式。最后,用数值计算的例子展示了随机模型的统计演化特征,并比较了与确定性扩展模型下统计演化的异同。     

闭曲面上C0流有伪轨跟踪性质的条件

给出了闭曲面上奇点孤立的C⁰流有伪轨跟踪性质的充分必要条件     

牺牲在东北抗日战场上的两名日本国际主义战士——伊田助男、福健一夫抗日事迹述略

在东北抗日联军中有两名日本士兵为了反对日本法西斯的侵略战争。用自己的生命和鲜血支 持中国人们反对日本帝国主义的正义事业。他们的正义行动尽管至今不为人知,但是历史不会忘记、人 民不会忘记,他们的国际主义精神将与日月同在。     

寒羊业是增加农民收入的首选产业

当前，农牧业增效、农牧民增收不仅是党中央、国务院非常关心的问题，也是社会关注的热点问题。如何解决好这一问题，涉及到许多方面，但最重要的就是立足地区比较优势，选准主导产业。即选择市场前景好、见效快、效益好、人人能干、户户能办、农牧民参与程度高、能够做强做大和创造名牌的产业。     

Synthesis of ZnAl2O4/α-Al2O3 complex substrates and growth of GaN films

With the solid phase reaction between pulsed-laser-deposited (PLD) ZnOfilm and α-Al2O3 substrate, ZnAl2O4/α-Al2O3 complex substrates were synthesized. X-ray diffraction (XRD) spectra show that as the reaction proceeds, ZnAl2O4 changes from the initial (111)-oriented single crystal to poly-crystal, and then to inadequate (111) orientation. Corresponding scanning electron microscope (SEM)images indicate that the surface morphology of ZnAl2O4 transforms from uniform islands to stick structures, and then to bulgy-line structures. In addition, XRDspectra present that ZnAl2O4 prepared at low temperature is unstable at the environment of higher temperature. On the as-obtained ZnAl2O4/α-Al2O3 substrates, GaN films were grown without any nitride buffer using light-radiation heating low-pressure MOCVD (LRH-LP-MOCVD). XRD spectra indicate that GaN film on this kind of complex substrate changes from c-axis single crystal to poly-crystal as ZnAl2O4 layer is thickened. For the single crystal GaN, its full width at half maximum (FWHM) of X-ray rocking curve is 0.4°. Results indicate that islands on thin ZnAl2O4 layer can promote nucleation at initial stage of GaN growth, which leadsto the (0001)-oriented GaN film.