基于IGWO-LSSVM的弹体侵彻地下洞室毁伤效应预测

侵彻的巨大动能会对结构造成毁伤,准确预测弹体侵彻地下洞室的毁伤效应,对地下防护工程的设计具有重要意义。针对当前方法存在的问题,提出了改进型灰狼算法优化最小二乘法支持向量机(IGWOLSSVM)模型,通过对训练样本的训练,形成输入量到输出量之间的映射关系,根据输入量可以得出相对应的拱顶峰值压力,实现了对弹体侵彻下不同跨度、不同埋深的地下洞室毁伤效应的预测。并利用ANSYS/LS-DYNA数值仿真结果对预测结果进行验证,表明该模型对弹体侵彻地下洞室毁伤效应具有良好的预测效果,可以满足工程需要。     

浅谈配电线路降损措施

通过对影响线损的不利因素,降低线损的管理措施进行论述,充分反映低压线损管理是供电企业经营管理中关键环节,直接影响企业的经济效益.     

刺山柑果实的化学成分

为阐明野西瓜的活性成分,为开发利用药效成分提供科学依据,对其果实进行了较系统的化学成分研究.方法:采用溶剂萃取和柱色谱方法分离纯化,根据理化性质和波谱学数据鉴定化合物结构.结果:从野西瓜果实乙醇提取物中分离鉴定了7个化合物:胡萝卜苷(I),邻羟基苯甲酸(II),芦丁(III),蔗糖(IV),没食子酸(V),山奈酚(VI),异鼠李素(VII).结论:化合物(II)、(III)、(V)、(VII)均为首次从该植物中获得.     

多壁碳纳米管对异甘草素和甘草素的选择性吸附

利用结构相似的异甘草素和甘草素在多壁碳纳米管(MWNTs)上的吸附差别研究了MWNTs的吸附选择性,通过吸附速率试验和等温吸附试验比较了MWNTs对异甘草素和甘草素吸附能力。结果显示,异甘草素和甘草素在MWNTs上的吸附行为符合Langmuir模型,接近于均匀表面上的单层吸附;MWNTs对异甘草素的吸附能力强于对甘草素的吸附。结果表明:多壁碳纳米管对结构相似的异甘草素和甘草素的吸附具有选择性。     

没食子多酚与FeⅢ通过层层自组装法制备薄膜

目的 制备没食子多酚和FeⅢ的复合薄膜并评估其体外抗氧化活性.方法 通过纳米包封技术-层层自组装法,将没食子多酚和FeⅢ制备薄膜,利用紫外-可见分光光度计(UV-Vis)、傅里叶变换红外光谱仪(FTIR)和扫描电子显微镜(SEM)对薄膜进行表征;采用控制变量法讨论温度、pH和离子强度对薄膜形成过程的影响;使用DPPH·...     

宁夏发展低碳经济对策研究

剖析了低碳经济的概念、本质和内涵,提出了低碳经济发展指标,评价了宁夏发展低碳经济的现状,基于统计年鉴数据,分析了宁夏能源消费情况,从5个方面提出了对宁夏发展低碳经济的对策建议.     

可压缩轴对称冲击射流流场的数值模拟

数值模拟一种可压缩轴对称冲击射流。所构造的数值模拟方法是:直接求解柱坐标系下的二维可压缩Navier-Stokes方程的差分离散方程,其中对流项采用基于非等距网格上的五阶精度迎风紧致型差分格式,黏性项采用基于非等距网格上的六阶精度对称紧致型差分格式,时间项采用3步三阶精度Runge-Kutta方法。模拟不同雷诺数、马赫数条件下冲击射流大尺度涡结构的演化过程。结果表明:流体从喷嘴射出后卷起形成一个独立的大尺度负涡,即初生漩涡,它会在壁面处逐渐激发出一个具有正涡量的壁面二次生成涡;初生漩涡和二次生成涡互相旋转挤压,壁面二次生成涡的力量很快占优势,带动初生漩涡向流场内部发展;随马赫数的增大,初生漩涡具有更强的力量,抑制了壁面二次生成涡和其他小尺度负涡的发展;随雷诺数的增大,初生漩涡的力量有所减弱,促进了壁面二次生成涡和其他小尺度负涡的发展。     

宁夏国家火炬特色产业基地发展现状及对策建议——基于2020年度全区火炬统计调查数据分析

近年来,特色产业基地作为产业升级的重要抓手、产业集聚的重要途径和新兴产业发展的重要载体,在优化工业空间布局、整合各类要素资源等方面取得了显著成效,但目前特色产业基地建设依旧存在企业规模小、科技人才短缺、创新能力不强等问题.为加强特色产业基地建设,充分发挥特色产业基地对宁夏优势特色产业的引领和带动作用,深入分析了宁夏火炬...     

离轴椭圆柱面镜测量方法及调整误差分析

为了实现对离轴椭圆柱面镜面形的高精度检测,提出一种无像差点法和计算全息法相结合的混合式干涉测量方法.针对离轴椭圆柱面镜的特殊面形,将由平面镜与计算全息图(CGH)高度集合而成的标准柱面镜(TC)的出射柱面波作为检测光,并将光轴移至入射一侧的椭圆焦点与离轴椭圆柱面镜中心的连线方向,以减少测量光路的相对口径.再利用椭圆的一对无像差共轭点,实现干涉测量.将离轴椭圆柱面镜作为光轴上具有6个自由度的空间刚体,推导出误差分离矩阵.从波像差理论出发,推算出调整量引起的调整误差的各部分参数,确定了干涉测量方法中的调整量.实验结果表明,该测量方法可以有效地实现离轴椭圆柱面镜形貌的测量,利用误差分离矩阵可以推导出调整误差参数,便于进一步的系统误差分析与校正.