MOS结构电子、质子辐照感生缺陷的EPR测量

利用电子顺磁共振（EPR）技术测量了（100）晶向硅衬底材料上制作的MOS电容在电子和质子辐照前后缺陷电子顺磁（EPR）吸收谱，对比了电子和质子辐照前后缺陷顺磁中心浓度的变化。结果表明，辐照前后带有单个未成对自旋电子的Pb0中心浓度未发生明显变化，电子与质子辐照均产生了新的中性体缺陷，电子辐照后观察到Pb1中心的出现并随辐照注量增大，质子辐照后则未观察这一现象，当质子辐昭到10^14p/cm^2时，引起部分体缺陷顺磁中心的消失，电子辐照后，产生的体缺陷顺磁中心浓度则随辐照注量增大，表明电子与质子辐照作用机制的差异，质子辐照中位移效应和H^ 的存在最可能是造成晶格缺陷消失和顺磁吸收消失的主要原因。     

电子束和β射线两用外推电离室

电子束辐照在辐射加工、新材料研制、放射治疗和模拟空间辐射环境的各种科学实验中应用日益广泛.实践表明,在上述应用中,被照物体吸收剂量是决定成功与失败的关键.因此,近年来准确测定电子束在各种材料中的剂量分布已成为迫切需要解决的问题. 由于电子束和β射线在物质中的迁移和能量沉积行为十分复杂,所以至今也难以从理论上给出准确的吸收剂量率随深度变化的统一解析式.目前,各种解析、模拟和半经验的计算电子剂量分布的方法已经产生,但具体给出准确的电子剂量分布仍然要靠实验测定.一般来讲,对不同加速器,即使具有相同的标称能量(加速器…     

聚酰胺胺分子和纳米二氧化硅复合过程的从头计算

通过密度泛函理论在气相条件下, 利用UB3LYP/6-311G(d)和HF/6-31G基组水平优化了过渡态的结构并寻找了能量最低点,发现酰胺氮和亚胺氧是最佳结合点,并分析了这些活性点的活化能大小以及≡Si⁺和≡SiO^-基团和这些活性点的反应步骤,得出静电作用和离子配位效应是形成稳定复合物的主要因素,另外在形成稳定复合物过程中,亚胺氧转向作用和支链的大小和转向对降低整个复合物能量也起着重要的作用．     

电子束和β射线两用外推电离室

随着高技术在各个领域中的发展,电子束辐照在辐射加工、新材料研制、放射治疗和模拟空间辐射环境的各种科学实验中应用日益广泛.实践表明,在上述应用和研究中被辐照物体吸收剂量是决定成功与失败的关键.近年来准确测定电子束在各种材料中的吸收剂量分布已成为迫切需要解决的问题. 由于电子束和β射线在物质中的迁移和能量沉积行为十分复杂,所以至今也难以从理论上给出准确的吸收剂量率随深度变化的统一解析式.目前,各种解析、模拟和半经验的计算电子剂量分布的方法已经产生,但具体给出准确的电子剂量分布仍然要靠实验测定.一般来讲,对不同加…     

玻璃微珠在隔热涂料中的隔热性能研究

中空玻璃微珠有增强隔热的作用,其传热性能主要与它的性能和成膜物的组成有关,分析了中空玻璃微珠在弹性隔热涂料中的填充量、涂层厚度对涂料隔热性能的影响,并与膨胀珍珠岩、海泡石、膨胀蛭石等填料进行了比较;分析了隔热原理,在傅里叶传热定律的基础上,简化传热模型。     

相位连续变化型太赫兹波带片

通过对太赫兹波段相位连续变化型波带片的系统研究,分析了特征尺寸与焦距、F数、预设频率、材料折射率等设计参数之间的关系,讨论了影响相位连续变化型波带片效率的几个主要因素。选取太赫兹透过率较高的泡沫聚乙烯和高密度聚乙烯材料,提出了设计方案,对所设计的波带片沿光轴方向太赫兹波强度变化以及焦平面太赫兹波强度变化给出了计算机模拟结果,并给出一组不同频率的波带片的特征参数。     

浅谈多媒体教学在小学语文教学中的运用

进入21世纪以来,以计算机和网络通讯为核心的信息技术在社会各个领域中得到了广泛的应用。多媒体技术在综合处理和控制符号、语言、文字、声音、图像等方面具有高超的能力,可使抽象的难以理解的知识具体化、实物化,从而化难为易。在小学语文教学中,正确合理地应用多媒体技术可以有效地提升课堂教学效果。     

水电厂水轮发电机组增容改造

1.增容改造的必要性某水电厂全厂共3台水轮发电机组,其中1号、2号机为上世纪60年代生产,型号为KO20/6—1870VL,单机容量为4.16MW,3号机为上世纪70年代生产,型号为HL123—LJ—120,单机容量为1.6MW,设计年平均发电量为2000万kW·h1.1机组存在的主要问题1.1.1水轮机1.1.1.1转轮效率过低。对1号、2号机组进行效率实测,在水头21.6m时1号、2号水轮机最高效率分别为83.9%和84.7%,在水头24.2m时1号、2号水轮机最高效率分别为82%和84.1%,而且在绝大部分时间内,水轮机在效率为80%以下的区域内运行。3号机组转轮为整体铸造,叶片型线不符原木模尺…     

半导体InP中次内层分子轨道能级的计算

利用量子力学方法,计算了半导体ＩｎＰ中次的内层分子轨道的级;对不具中心对称的ＩｎＰ半导体,建立了非地称的椭球坐标系;计算出的ＩｎＰ中次内层分子轨道能级与实验结果相符合,同样的方法可以推广到其它半导体能有的计算。     

强脉冲X射线辐照在Si-SiO2中感生的界面态及退火消除

利用强脉冲X射线对Si-SiO2界面进行了辐照,测量了界面态曲线和退火曲线。实验显示,经过强脉冲X射线对Si-SiO2界面进行的辐照,在Si-SiO2界面感生出新的界面态,感生界面态的增加与辐照剂量成正比,并且易出现饱和现象。总结出了感生界面态密度产额Dit随辐照剂量D变化的分布式,并定性分析了Dit随D变化的行为。随后进行的退火实验表明,强脉冲X射线辐照感生出的界面态越多,退火时这些界面态就消除得越快。退火过程显示有滞后现象,即辐照剂量大的阈电压漂移,在退火后恢复的绝对值,要小于辐照剂量小的阈电压漂移。导出了阈电压漂移随退火时间变化的关系,定性解释了滞后现象。