XML数据流小枝匹配算法

针对XML数据流可能具有复杂的递归层次结构,提出一种XML数据流小枝匹配算法TwigPM.通过获取查询节点的结构关系,进行有效的剪枝操作,减少了处理时间和数据所占用的内存空间.实验结果表明,算法具有高效性.     

面向中小型机械制造企业CAPP系统研究与实现

在分析中小型加工制造企业特点的基础上,结合企业的实际调研,设计并实现了适合于机械制造企业的CAPP系统·从分析企业工艺文件的特点入手,采用IDEF0方法对CAPP系统进行了功能分析,从工艺设计、管理、集成等几个方面来确定CAPP系统的功能需求,进而确定了CAPP系统的组成·设计和实现了适合于中小型机械制造企业的CAPP系统总体方案和各个功能模块·探讨了CAPP与PDM的数据交换、产品结构树和特殊符号处理等关键技术·最后给出了系统的实现方法·系统在某阀门制造有限责任公司得到了实际应用,并取得了很好的应用效果·     

高速船碰撞危险模型

利用船舶避碰几何的数学方法,建立高速船碰撞危险范围数学模型,并对高速船的碰撞危险范围进行预测,得出高速船碰撞危险范围与船速比及dCPA之间的关系及变化规律,使船舶驾驶人员迅速了解与高速船舶可能发生碰撞的区域,提高判断碰撞危险的效率.     

中国酱油发酵酱醪中嗜盐四联球菌的鉴定

从采用传统露天酿造工艺的中国酱油发酵酱醪中分离筛选嗜盐乳酸球菌,对其进行形态、生理生化特性研究及16S rDNA序列分析,在此基础上确定其分类地位,为研究其在酱油酿造中的作用奠定基础.研究结果表明,筛选菌株为四联球型,革兰氏染色阳性,不运动;接触酶反应阴性,能从葡萄糖产酸而不产气;NaC l含量为18%的培养环境下乳酸产量达2.2%;基于16S rDNA序列的系统发育分析表明筛选菌株与嗜盐四联球菌的亲缘关系最近,从而初步确定其为嗜盐四联球菌.     

硅胶破碎法抽提真菌染色体DNA

在进行基因组步行PCR克隆真菌木聚糖酶基因的研究中,探索并建立了一套可在普通分子生物学实验室采用的高得率、高质量真菌染色体DNA的抽提方法.采用液氮研磨和硅胶破碎相结合提高染色体DNA得率,采用亚精胺法纯化提高DNA的纯度.抽提的染色体DNA用琼脂糖凝胶电泳、限制酶切、PCR反应及紫外吸收光谱等方法进行了鉴定,结果显示此方法可以获得分子量大、样品纯的染色体DNA,可有效地用于PCR扩增,并能被限制酶有效地消化.     

饱和消费者的经济均衡存在定理

研究当消费者处于饱和状态时经济均衡的存在性问题,利用角谷不动点定理,给出了一个均衡存在性定理.     

用于双光子激发荧光寿命显微成像的高重复频率皮秒扫描相机

建立了一台基于新研制的高重复频率皮秒扫描相机的双光子激发荧光寿命显微成像系统,重点介绍所研制的高重复频率皮秒扫描相机。为了在高时间分辨力的同时扩大时间测量范围,实现大面积两维空间高时间分辨取样测量,从而提高采样速率和更有效地发挥扫描相机的作用,设计和研制了一种大面积、高时间分辨力扫描变像管和一种重复频率高达1MHz的斜坡电压扫描电路。基于上述关键部件所研制的扫描相机具有重复频率高、扫描速度可调、时间分辨力高、工作面积大、非线性低、触发晃动小等优点。用钛宝石飞秒激光器作为激光脉冲源,通过脉冲提取器将76MHz的高重复频率降低为1MHz,采用可调延时器和标准具对扫描相机的时间分辨力、扫描速度和非线性进行标定。该系统的时间分辨力达到6.5ps,非线性为2.60%,可测量的时间范围从十几皮秒到几十纳秒。测量了若丹明6G和香豆素314两种标准荧光染料的荧光寿命,取得了与参考文献一致的实验结果。     

显微镜法中物体高度对折射率的影响

分析了用显微镜测物体折射率的实验中物体的高度与测量精度的关系,讨论了物体的高度对物像清晰度和测量误差的影响.结果表明待测物体的高度满足Ｈ≈ｎｈ时,测量误差最小,物像最清晰.     

一种基于序贯估计的直达声区水面舰船 被动测距方法 *

该文利用基于射线的盲解卷积方法,从直达声区的水面舰船噪声中提取出船和锚系于海底的垂直接收阵之间的时域信道响应,并利用直达波在不同阵元相对于参考阵元的到达时间差,通过序贯方法,利用射线模型和声速剖面信息,对水面舰船距接收阵的距离进行了估计。通过处理海深约为580 m的2016年美国圣巴巴拉海峡的实验数据,对1.6~3.5 km直达声区范围内Anna Maersk商船与垂直阵之间的距离进行了估计,验证了测距方法的有效性,并将结果与系统测量值和几何方法的估计值进行了比较。由于该方法不需要对海底参数进行估计,所以在海底参数未知时要优于传统匹配场方法;在声速剖面存在跃层且海底为多层分布的复杂信道条件下,该方法仍能对距离进行有效估计,且与测量值的相对误差在6%以内,小于几何方法的估计误差,测距结果精度较高。     

In-situ SiN combined with etch-stop barrier structure for high-frequency AlGaN/GaN HEMT

The etch-stop structure including the in-situ SiN and AlGaN/GaN barrier is proposed for high frequency applications.The etch-stop process is realized by placing an in-situ SiN layer on the top of the thin AlGaN barrier.F-based etching can be self-terminated after removing SiN,leaving the AlGaN barrier in the gate region.With this in-situ SiN and thin barrier etch-stop structure,the short channel effect can be suppressed,meanwhile achieving highly precisely controlled and low damage etching process.The device shows a maximum drain current of 1022 mA/mm,a peak transconductance of 459 mS/mm,and a maximum oscillation frequency(fmax)of 248 GHz.