表面活性剂强化PAC-Pd/Fe纳米颗粒降解四溴双酚A的研究

Pd/Fe纳米材料对卤代有机污染物有较强的降解能力,但四溴双酚A的强疏水性会阻碍污染物与Pd/Fe的有效接触.为促进四溴双酚A的降解,考察了不同表面活性剂对PAC-Pd/Fe纳米颗粒降解四溴双酚A的影响,结果表明:少量阴离子表面活性剂SDS对四溴双酚A的降解有明显的促进作用,反应速率可提高1.7~2.5倍;非离子表面活性剂TX-100对四溴双酚A降解的促进效果不明显,当其质量浓度超过临界胶束浓度时,甚至表现出抑制作用;阳离子表面活性剂CTAB对四溴双酚A的降解起抑制作用,且质量浓度越大,其抑制效果越明显;PAC-Pd/Fe纳米颗粒对四溴双酚A的降解是连续脱溴反应,四溴双酚A和其中间产物三溴双酚A、二溴双酚A和一溴双酚A的表观降解速率常数分别为0.466 2、0.435 6、0.338 0和0.271 1 min-1,与苯环上溴原子的数目成正比.     

Si衬底上NiCo2O4薄膜的外延生长和电学性质

改变沉积温度,在Si(100)衬底上制备了NiCo_2O_4外延薄膜,探究其结构和电学性质的变化.研究发现,衬底对薄膜有压应力作用,晶体结构产生压缩效果,使样品导电性增强;变程和近程跃迁在整个测试温区同时作用,低温以变程跃迁为主,高温以近程跃迁为主.     

N掺杂SiC薄膜的制备及磁有序

采用磁控溅射技术制备了N掺杂SiC薄膜,利用X线衍射仪、傅里叶红外光谱仪、物理特性测试系统对薄膜成分、结构、磁性进行了表征.结果表明,N掺杂SiC薄膜具有室温铁磁性,N掺杂含量对薄膜的室温铁磁性具有很大的影响,薄膜室温铁磁性可能是由于N替代C来控制Si空位缺陷的电荷态和自旋极化产生的.     

一种多分类的微博垃圾用户检测方法

针对微博多类垃圾用户的检测问题,设计了一种基于模糊多类支持向量机的垃圾用户检测方法。首先,采用一对多SVM(support vector machines)的构造思想来构造多分类器,并针对每类用户的分类器重新选择训练集;然后,利用构造好的训练集来训练多分类器,经过反复调整参数,得到5个用户分类器;最后,针对多分类器的不可分样本,采用模糊聚类来进行模糊处理,即在垂直于SVM的最优分类面上定义一个改进的隶属度函数,选择最大隶属度对样本进行再分类。实验结果表明,该方法在保证垃圾用户检测效果的前提下,可以解决多分类中存在的混分和漏分问题。     

通过水循环控制饮用水中亚硝酸盐的研究

以含有亚硝酸盐的自来水为研究对象,稳压泵为动力对水样进行水循环处理,考察循环水和静置水中亚硝酸盐的变化.实验结果表明,循环自来水与静置自来水中亚硝酸盐的质量浓度差值随着时间延长而增加,循环360 h后循环水中亚硝酸盐质量浓度为静置水质量浓度的112%.循环水的亚硝酸盐和硝酸盐之间存在着显著负线性相关性.另外,净水器出水后的循环水和静置水中亚硝酸盐的质量浓度均会增加,但循环水中亚硝酸盐增加量小于静置水中亚硝酸盐增加量,且质量浓度控制在002 mg/L以下.因此,将水循环应用到净水器中可解决出水中存在的亚硝酸盐含量超标的问题,提高水质安全,具有广阔的应用前景.     

甲苯催化氧化催化剂的研究进展

从甲苯催化氧化催化剂种类、制备方法及性能等方面,总结概述了近年来对此类催化剂的研究,发现对贵金属催化剂的研究主要集中于载体选择及负载方式,对非贵金属氧化物催化剂的研究则集中于金属间复合、元素掺杂、制备方法等方面,均旨在提高催化活性和稳定性。未来研究需注重催化剂抗中毒性能的提高,并考虑混合气体的高效催化氧化。     

高密度磁记录用FePt/Ta多层膜微结构与磁性

采用直流对靶磁控溅射方法生长了FePt/Ta多层膜.X射线衍射(XRD)分析表明[FePt(2.5.nm)/Ta(2.5 nm)]5样品经过650℃退火实现了从无序到有序的转变.磁测量表明当Ta层厚度为2.5 nm时,FePt的磁特性达到最好,矫顽力为543.4 kA·m-1,矩形比也达到最大(0.805 59).原子力显微图观察发现,650℃退火后的样品纳米晶粒分布比较均匀,粒径大约为10～20 nm.磁力显微图观察说明大量粒子取向一致.计算得到激活体积远大于晶粒体积的事实说明薄膜的磁化反转过程主要是由磁矩转动控制的.     

Si_(1-x-y)Ge_xC_y合金薄膜电学性能的研究

采用射频共溅射复合靶(Si Ge 石墨C)技术制备Si1-x-yGexCy三元合金薄膜.Si,Ge和C的含量用其靶的相对面积来表示,对样品的后退火处理是在N2气保护下恒温30min后自然降温到室温.通过IR,Raman和XPS的测量结果表明,所制备的薄膜中含有Si,Ge,C3种元素,有较明显的Si-C,Si-Ge,Ge-C键合.通过电阻率—温度谱ρ-T的测量研究薄膜的电学性能,测量了不同C含量和不同温度退火后薄膜ρ-T关系的变化,发现随C含量的增加电阻率增大,激活能也增大;450℃退火后电阻率普遍变小,激活能也变小,对这一规律性的结果作了解释     

低维半导体器件电阻率的测试理论与实验研究

针对二维和三维半导体器件的电阻率测试进行了详细的理论分析和实验研究．阐述了常规四探针法、改进的四探针法以及两探针法的使用范围,重点讨论了范德堡方法在低维半导体材料电阻率测试中的应用．以NiCo2O4外延薄膜为例,具体分析了材料的导电机理．