长寿与遗传

<正> 为了长寿,人们在从事各种社会活动时,必须跟各种疾病与危害进行斗争。如在壮年期就有感染性疾病、体质性疾病和老年期的恶性肿瘤、脑血管异常,心脏病等。这些疾病均与复杂的遗传因素和变化的环境条件有关,一般单纯受某一因素影响的却很少。例如心肌梗塞在发病因素中,血压值的遗传力(遗传力=遗传率)约占0.5,血糖值为0.5,尿酸值占0.3,胆     

辐射交联双出口防水帽的研制

采用辐射交联技术制造双出口防水帽的工艺,研究了一种适宜注塑且机械性能和物理性能俱佳的材料配方,在注塑机上注塑成型,用电子加速器辐照交联,加热后在自制扩张机上扩张、冷却定型,涂上性能优异的热熔胶成为辐射交联双出口热收缩性防水帽.结果表明:材料配方适宜注塑,采用倾斜15°辐照方法,辐照剂量为80 kGy时制造出性能优异的辐射交联双出口防水帽.     

晏阳初平民教育思想对我们的启示

阳初是20世纪三四十年代中国平民教育和乡村改造事业的代表人物之一,他所从事的定县实验特别注重对农民的技能培训和综合素质的提高。在建设新农村的今天,仍有借鉴意义。     

Optical Potential Calculation for Positron Collision with Helium

The positron-helium system is studied with the momentum-space coupled-channel optical method. The posltronium formation cross sections from the positronium formation threshold to 400 eV and total cross sections from 17 to 3000 eV are calculated. Ionization continuum and positronium formation channels are included via a complex equivalent-local optical potential in the present calculations. The results are compared with the available experimental and theoretical data.     

追踪百变大盗

正从前,有一位与众不同的国王,他不仅是国王,也是侦探。一天,国王打开报纸,看到头条新闻,顿时惊呆啦!来自超级盗贼——百变大盗的挑战书挑战书我将于今天下午三点拿下金灿灿的女神像!百变大盗敬上国王向他的老朋友新哲警长了解百变大盗的情况,警长看过报纸后说:"百变大盗是乔装高手,他能装扮成各种各样的人,掩饰自己的真实面目。"他掏出一张照片给国王看,"这上面就有百变大盗,虽然他擅长乔装打     

X射线相衬成像

本文介绍了近年来X射线位相衬度成像技术的发展状况,详细论述了X射线干涉相衬、衍射增强相衬,类同轴相衬和数字位相重构等几种典型的成像原理,讨论了影响成像衬度与分辨率的若干因素,并对位相成像的发展趋势作了展望。     

温室效应模拟实验装置

根据温室效应的产生原理设计制作了温室效应模拟实验装置.装置由温室、模拟地面、模拟太阳、温室保温层以及隔热水槽等部分组成.用数字温度计来测定温室温度变化值.当HFC-134a(四氟乙烷)当作与空气对比的温室气体时,在25～30 min内出现了0.5～0.6℃的温差,在1 h出现了约1℃的温差.该装置具有使用方便、实验操作简单、实验现象明显等特点,能够较好地展示温室效应现象.     

不同基底对TiO2和SiO2薄膜的光学性能的影响

采用溶胶-凝胶法分别在K9玻璃、单晶硅和石英玻璃基底上制备了纳米TiO₂和SiO₂薄膜。利用SEM、UV-Vis及反射式椭圆偏振光谱仪对薄膜的微观结构及光学特性进行了表征和分析。结果表明：3种基底中, 单晶硅基底上TiO₂和SiO₂薄膜折射率最大;在非晶态K9玻璃和石英玻璃基底上TiO₂薄膜折射率和透光率差异较大;SiO₂薄膜在非晶态基底上折射率、透光率相近;3种基底上薄膜的折射率和消光系数都有随波长增大而减小的趋势, 同时Cauchy模型能较好的描述单晶硅基底上两种薄膜在400~800 nm波段的光学性能。     

纤锌矿GaN/AlxGa1-xN量子阱中极化子能量

采用LLP变分方法研究了纤锌矿GaN/Al_xGa_1-xN量子阱材料中极化子的能级,给出极化子基态能量、第一激发态能量和第一激发态到基态的跃迁能量与量子阱宽度和量子阱深度变化的函数关系。研究结果表明,极化子基态能量、第一激发态能量和跃迁能量随着阱宽L的增大而开始急剧减小,然后缓慢下降,最后接近于体材料GaN中的相应值。基态能量和第一激发态到基态的跃迁能量随着量子阱深度的增加而逐渐增加,窄阱时这一趋势更明显。纤锌矿氮化物量子阱中电子-声子相互作用对能量的贡献比较大,这一值(约40meV)远远大于闪锌矿(GaAs/Al_xGa_1-xAs)量子阱中相应的值(约3meV)。因此讨论GaN/Al_xGa_1-xN量子阱中电子态问题时应考虑电子-声子相互作用。