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制备了纯的、掺0.005、0.01、0.2和0.5wt%Cr2O3的钛酸锶单晶.测量了不同退火条件下的室温透射光谱及6.5K以上的荧光光谱.对晶体的氧化和还原热处理诱导吸收及退火和掺杂浓度对晶体发光的影响进行了较为详细的研究. 相似文献
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二硅烯及其相关分子的量子化学计算研究 总被引:1,自引:1,他引:0
使用密度泛函法、MP2法和考虑组态相关作用的QCISD和CCD法,对重主族双键化合物二硅烯、二锗烯等进行了优化构型的量子化学计算.计算结果表明,H2X=XH2(X=Si,Ge,Sn,Pb)型分子均为非平面反式弯曲几何构型,亚甲基XH2的基态为单线态.利用计算的"单线态-三线态"能量差ΔEST和双键键能Eσ π分析并解释了非平面反式弯曲几何构型的形成条件和标题物中双键的相对强度. 相似文献
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本文介绍测量绝缘介质二次电子发射系数的双枪方法,并在动态系统中进行测量。应用该方法,测量了典型样品MgF_2薄膜的二次发射特性。对于影响测量结果的诸多因素进行了定量的实验研究,并对实验结果作了初步分析和讨论。实验误差不超过6%。 相似文献
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针对磷化铟(InP)复合沟道高电子迁移率晶体管(HEMT)的特点,对常规单沟道HEMT的小信号物理模型进行了修正,提出了一种新的用于复合沟道HEMT的小信号物理模型,用商用器件模拟软件ISE(integrated systems engineering)对其进行了仿真验证,对比了实测和仿真的I-V特性及转移特性曲线,重点研究了在InGaAs/InP双层沟道中考虑量子效应后的电场和电流密度随着不同栅电压的变化趋势,研究结果表明,由于在沟道中存在量子效应,在栅下靠源端低电场区域,电流主要分布在InGaAs沟道
关键词:
高电子迁移率晶体管
复合沟道
物理模型
磷化铟 相似文献
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40.
用密度泛函B3LYP方法研究了过渡金属钐类卡宾与乙烯的环丙烷化反应的机理。对三种不同的钐的SS试剂CH_3SmCH_2X(其中X=Cl、Br和Ⅰ)分别和CH_2CH_2反应的各反应物、中间体、过渡态和产物构型的全部结构几何参数进行了优化,用内禀反应坐标(IRC)计算和频率分析方法,对过渡态进行了验证。结果表明:CH_3SmCH_2X(其中X=Cl、Br和Ⅰ)与CH_2CH_2环丙烷化反应按亚甲基转移通道(通道A)和卡宾金属化通道(通道B)都可以进行,与锂类卡宾的反应机理相同,只是按亚甲基转移通道(通道A)进行反应较容易一些,而且此反应在较低的温度下就可以发生。 相似文献