全文获取类型
收费全文 | 522篇 |
免费 | 39篇 |
国内免费 | 51篇 |
专业分类
化学 | 78篇 |
晶体学 | 7篇 |
力学 | 16篇 |
综合类 | 7篇 |
数学 | 29篇 |
物理学 | 86篇 |
综合类 | 389篇 |
出版年
2024年 | 2篇 |
2023年 | 11篇 |
2022年 | 24篇 |
2021年 | 21篇 |
2020年 | 18篇 |
2019年 | 19篇 |
2018年 | 25篇 |
2017年 | 9篇 |
2016年 | 10篇 |
2015年 | 16篇 |
2014年 | 32篇 |
2013年 | 21篇 |
2012年 | 36篇 |
2011年 | 29篇 |
2010年 | 35篇 |
2009年 | 22篇 |
2008年 | 26篇 |
2007年 | 38篇 |
2006年 | 31篇 |
2005年 | 39篇 |
2004年 | 28篇 |
2003年 | 19篇 |
2002年 | 15篇 |
2001年 | 20篇 |
2000年 | 11篇 |
1999年 | 9篇 |
1998年 | 6篇 |
1997年 | 2篇 |
1996年 | 10篇 |
1995年 | 3篇 |
1994年 | 11篇 |
1993年 | 3篇 |
1992年 | 1篇 |
1990年 | 2篇 |
1989年 | 3篇 |
1988年 | 1篇 |
1987年 | 2篇 |
1978年 | 1篇 |
1977年 | 1篇 |
排序方式: 共有612条查询结果,搜索用时 203 毫秒
121.
122.
Ge/SiO_2 and Si/SiO_2 films were deposited using the two-target alternation magnetron sputtering technique. The Au/Ge/SiO_2/p-Si and Au/Si/SiO_2/p-Si structures were fabricated and their electroluminescence (EL) characteristics were comparatively studied. Both Au/Ge/SiO_2/p-Si and Au/Si/SiO_2/p-Si structures have rectifying property. All the EL spectra from the two types of the structure have peak positions around 650-660 nm. The EL mechanisms of the structures are discussed. 相似文献
123.
124.
为评估混合稀土常乐对人体胚胎的潜在危害, 在光镜和电镜下观察了混合稀土常乐染毒后的胎盘组织, 以了解其在胎盘组织中的存在形式和分布情况, 同时应用电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS)检测染毒后的孕鼠血清、胚胎组织提取液和羊水中的稀土含量以确定其能否通过胎盘屏障. 染毒于雌鼠妊娠第六天开始, 每天分别以0.3, 2, 5和20 mg·kg-1混合稀土常乐灌胃, 直至妊娠第十八天. 结果显示: 光镜下, 染毒组胎盘绒毛中毛细血管周围合体细胞滋养层胞质内积聚有许多圆形黑色细小颗粒, 颗粒的多少与染毒剂量呈正相关; 电镜下, 染毒组胎盘绒毛中可见有膜包裹的致密体及合体细胞滋养层细胞内线粒体有不同程度的空泡变和嵴断裂; ICP-MS检测: 孕鼠血清铈的含量随染毒剂量的增加而递增, 染毒组胎儿羊水和孕鼠血清中稀土总量, 只有20 mg·kg-1组与对照组相比有显著增加, 其余各组均无显著差异. 胚胎组织提取液中各组的稀土总含量没有变化. 由此得出结论: 胎盘膜对混合稀土常乐进入胚体有很大的限制作用, 但是, 当混合稀土常乐在胎盘膜中积累增加到一定程度时, 可少量透过胎盘屏障, 进入胚体. 相似文献
125.
126.
中二南注聚初期调剖及效果分析 总被引:4,自引:0,他引:4
]为了扩大聚合物驱的波及体积,提高聚合物区块整体开发效果。注聚驱调剖时机应在注聚前或注聚初期,调剖可封堵大孔道改善吸聚剖面,有利于后续聚合物驱动作用。在中二南Na^3-4注聚区块的注聚初期,运用RE油藏工程调剖决策技术,实施调剖工艺10井次,平均注入压力上升5.31MPa,和其它区块同期相比见聚井数下降20.6%,取得了良好的应用效果。 相似文献
127.
128.
针对中学化学教学中存在的问题,组织学生设计化学实验,探究和检测豆腐的主要成分。进行了豆腐滤液类型探究,钙离子检验、豆腐中蛋白质检验等实验活动,促进了学生创新意识和实践能力的培养提高。 相似文献
129.
Zhi-Li Zhu 《中国物理 B》2022,31(7):77101-077101
Charge density wave (CDW) strongly affects the electronic properties of two-dimensional (2D) materials and can be tuned by phase engineering. Among 2D transitional metal dichalcogenides (TMDs), VTe$_{2}$ was predicted to require small energy for its phase transition and shows unexpected CDW states in its T-phase. However, the CDW state of H-VTe$_{2}$ has been barely reported. Here, we investigate the CDW states in monolayer (ML) H-VTe$_{2}$, induced by phase-engineering from T-phase VTe$_{2}$. The phase transition between T- and H-VTe$_{2}$ is revealed with x-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and scanning transmission electron microscopy (STEM) measurements. For H-VTe$_{2}$, scanning tunneling microscope (STM) and low-energy electron diffraction (LEED) results show a robust $2\sqrt 3 \times 2\sqrt 3 $ CDW superlattice with a transition temperature above 450 K. Our findings provide a promising way for manipulating the CDWs in 2D materials and show great potential in its application of nanoelectronics. 相似文献
130.
讨论采用一种新的电路设计方法,以半导体热敏电阻器作为温度传感元件,利用LM324集成运算放大器对测温数据信号放大和精确处理,三极管3DG12A、继电器J9V210Ω、双向可控硅BCR3AM与负载在控制电路中的有机结合,借以实现对温度的可调控制并得到成功的应用.该方法易于实现、成本低、精确度高、稳定性好、拓展应用较为广泛,不失为温度检测控制电路的一种较为理想的选择. 相似文献