浅析园林绿化施工中的技术管理

园林工程是城市生态绿化以及我国现代化城市建设的重要组成部分,不仅让城市景观更加具有魅力,而且在促使城市的热岛效应降低的基础上为城市居民创设了更加健康、清新的生活空间。时代的发展以及社会的进步,给园林绿化施工中的技术管理带来了更多的新任务与新挑战,本文将针对如何进行良好的技术管理做比较具体性的分析,以期为园林绿化工作的可持续发展提供良好的参考。     

8英寸导电型4H-SiC单晶的生长

采用物理气相传输(PVT)法扩径获得了8英寸(1英寸=2.54 cm)4H-SiC籽晶,用于8英寸导电型4H-SiC晶体生长,并加工出厚度520 μm的8英寸4H-SiC衬底。使用拉曼光谱、全自动显微镜面扫描、非接触电阻率测试仪面扫描和高分辨X射线衍射仪对衬底的晶型、微管、电阻率和结晶质量进行了表征。衬底颜色均一并结合拉曼光谱表明衬底4H-SiC晶型面积比例为100%;衬底微管密度小于0.3 cm^-2;衬底电阻率范围20~23 mΩ·cm,平均值为22 mΩ·cm;(004)面高分辨X射线摇摆曲线半峰全宽为32.7″,表明衬底良好的结晶质量。     

Comparison of Different Crucible Materials for the Growth of AlN Crystals

Choice of crucible material is a key issue during the growth of AlN crystal. The stabilities at high temperature and life-spans of boron nitride (BN) crucible,tantalum (Ta) crucible and tungsten (W) crucible were compared. Tantalum crucible behaved worse at high temperature and life-span was shortened as compared with the other two crucible materials. It was very crisp and easy to crack. In contrast,self-seeded AlN crystals with different morphologies could be obtained at different high temperatures using BN crucible. The boron nitride crucible was stable below 2200 ℃,above which it would decompose. Thus it was unsuitable for the bulky AlN crystal growth. Tungsten crucible could endure the temperatures higher than 2200℃. Unfortunately we could only get AlN polycrystallines using tungsten crucible. After 50～100 hours’ run,the crucible was destroyed completely due to the multiple deep cracks. XRD results of destroyed tungsten crucible indicated that the main phases are tungsten carbide and tungsten nitride.     

离子交换法在废水处理中的应用

随着离子交换树脂的发展，离子交换法在废水处理中的应用越来越广泛。介绍了离子交换技术在化肥废水、含铬废水、含酚废水处理中的应用，阐述了在废水金属离子的回收过程中离子交换的原理及应用。     

汽车用热镀锌板Fe-Al过渡层相结合能的计算

应用固体与分子经验电子理论（ＥＥＴ）对汽车用热镀锌过渡层中可能存在的Ｆｅ３Ａｌ,ＦｅＡｌ,Ｆｅ２Ａｌ５和Ｆｅ４Ａｌ１３等金属间化合物相的结合能进行了计算,其值分别为－１４１６．５３０６,－７９７．７３１９,－３１４８．０２３５和－１９５０．６０９２ｋＪ／ｍｏｌ,可见Ｆｅ３Ａｌ５的结合能最大,说明其本身的结合强度最好,该方法对某些无法通过实验得到其结合能值的情况具有参考意义。     

论企业的财务风险管理

企业的发展过程并非一帆风顺，因为风险无时不在，无处不有，而财务风险是企业面临的主要风险。本文从财务风险的来源、财务风险的概念、财务风险的分类、如何正确预测、分析财务风险以及如何有效的防范和控制财务风险来论述财务风险管理。     

高质量N型SiC单晶生长及其器件应用

采用物理气相传输法在(0001)面偏向<11-20>方向4°的籽晶上生长了掺氮低电阻率碳化硅(SiC)单晶.结合碳化硅邻位面生长机制,通过优化温场设计,在近平温场下生长出了晶型稳定、微管密度低、高结晶质量的低电阻率4H-SiC单晶.在加工的“epi-ready”SiC衬底上进行了同质外延,获得了光滑的外延层表面.利用该外延材料研制了600V/10 A SiC肖特基二极管,器件的直流性能与进口衬底结果相当,反向漏电成品率高达67;.另外研制了600 V/50 A SiC肖特基二极管,器件的直流性能也达到了进口衬底水平.     

4H-SiC的强氧化液化学机械抛光

研究了一种新型的化学机械抛光方法,使用以KMnO4作为氧化剂的强氧化性化学机械抛光液(SOAS)进行化学机械抛光.研究了在4H-SiC硅面和碳面的化学机械抛光过程中,SOAS溶液中KMnO4的浓度对抛光质量的影响.使用原子力显微镜(AFM)和精密电子天平,分别测试了表面粗糙度和去除率.结果表明,适量的KMnO4可以大幅度提高4H-SiC的化学机械抛光去除率,同时可提高4H-SiC衬底的表面抛光质量.     

物理气相传输法制备SiC单晶中碳包裹物研究

使用物理气相传输方法(PVT)生长出3英寸4H-SiC单晶.在生长过程中通过在粉料表面放置分布有多个贯穿孔的石墨片,在粉料表面有意引入具有一定分布规律的碳颗粒.在生长后的单晶中能够观察到与石墨片贯穿孔分布相似的包裹物分布.通过对实验结果分析,提出了碳包裹物的形成机制,作者认为生长过程中生长腔内产生的碳颗粒是单晶中碳包裹物的重要来源.并根据该分析进一步提出了减少PVT方法制备SiC单晶中碳包裹物的方法.     

SiC衬底上近自由态石墨烯制备及表征的研究进展

石墨烯材料自问世以来,一直处于学界研究的焦点,在微电子器件领域,通过SiC衬底制备的近自由态石墨烯具有较大的应用潜力.本文介绍了SiC热解法制备石墨烯的优势与劣势,说明了近自由态石墨烯制备的原因.综合阐述了目前制备近自由态石墨烯的常用方法,并对比了各种制备方法的特点.最后,概述了近自由态石墨烯的常用表征手段.