锕系金属结合能的计算

应用固体与分子经验电子理论给出了锕系金属结合能的计算公式:计算了9种已知晶体结构的锕系金属的结合能,其值与实验值基本符合;预测了6种未知结构锕系金属的结合能。     

规范高校会计工作的关键性问题—学习新《会计法》的一点体会

新《会计法》于２０００年７月１日起实施，其中心思想是明确单位负责人是本单位会计行为的责任主体。高校财会工作应当实行校长负责制，建立内部、社会、国家三位一体的会计监督制度，并加强对会计人员的培训，提高职业道德和业务素质。     

汽车用热镀锌板镀层结构

利用金相、电子探针、Ｘ射线衍射、萃取碳复型、金属薄膜等方法，对汽车用热镀锌板的镀层结构进行了形貌观察和相分析．结果表明，镀层可分为三层：紧贴着基体是Ｆｅ－Ａｌ层，它是由Ｆｅ－Ａｌ金属间化合物组成；中间层是Ｆｅ－Ｚｎ层，它是由Ｆｅ－Ｚｎ金属间化合物及Ｆｅ－Ａｌ－Ｚｎ三元系金属间化合物组成．最外层是Ｚｎ层，但混有Ｆｅ－Ｚｎ金属间化合物．     

金刚石微粉对SiC机械抛光的影响研究

研究了金刚石微粉对碳化硅晶片表面机械抛光质量及去除率的影响.选取粒径均为W0.5～1μm、粒径分布和形貌不同的3种金刚石微粉,配置3种SiC单晶片机械抛光液.通过纳米粒度仪和扫描电镜分别测试了金刚石微粉的粒度分布和微观形貌.使用原子力显微镜测试了SiC晶片机械抛光后表面粗糙度.金刚石微粉的微观形貌越圆滑,粒径分布越集中,抛光后晶片的表面质量越好.金刚石微粉中单个颗粒的表面棱角有利于提高材料去除率.     

Ti掺杂6H-SiC电学性质研究

使用物理气相传输方法(PVT)制备了2英寸Ti掺杂与非故意掺杂6H-SiC衬底,并对衬底进行热处理.使用拉曼光谱仪、低温光致发光谱(LTPL)和非接触电阻率测试对衬底晶型、掺杂元素和电阻率进行了表征.结果表明,Ti元素有效掺入6H-SiC中,Ti掺杂对PVT方法生长的6H-SiC衬底晶型稳定性无影响,Ti掺杂衬底与非故意掺杂衬底均为6H-SiC,热处理后Ti掺杂衬底电阻率达到1010～1011Ω·cm.初步认为Ti掺杂衬底热处理过程中产生的大浓度碳空位Vc是引起Ti掺杂样品电阻率上升的主要原因.     

古陶瓷研究中的模糊聚类分析算法

介绍一种具体的模糊聚类分析数学模型和程序设计方法,对古钧瓷胎和釉的36种微量元素进行了分析,得到了古钧瓷胎和釉的原料产地和分类的信息。     

浅论成本控制

企业只有不断加强成本控制,采取各种措施降低成本,以低于竞争对手的成本进行生产经营,才能提高企业的市场竞争能力和获利水平,才能在竞争中立于不败之地。本文就现代企业管理如何更加关注成本控制,更加科学有效的降低成本进行了论述。     

6H-SiC晶片的退火处理

本文在背景Ar气压力为8×104Pa、温度为1800～2000℃的条件下,对升华法生长SiC单晶的籽晶进行了原位退火处理,利用原子力显微镜和光学显微镜对退火后的6H-SiC晶片表面进行了观察,研究了退火温度和时间对晶片表面的影响.发现经过退火处理后的籽晶表面存在规则的生长台阶,有助于侧面生长模式的发展,进一步有助于台阶流生长模式的发展.通过对籽晶的退火处理,降低了螺旋生长中心的密度,从而减少多型夹杂、小角度晶界和微管等缺陷的出现,提高了晶体质量.     

碳化硅单晶位错研究进展

SiC作为代表性的第三代半导体材料,具有优异的物理化学性能。随着材料及应用的发展,SiC衬底在航天电源、电动汽车、智能电网、轨道交通、工业电机等领域的应用日益重要。相比第一代半导体材料如Si和第二代半导体材料如GaAs而言,SiC衬底质量还有很大的改善空间,是现阶段研发和产业的热点。其中SiC单晶缺陷,特别是一维位错缺陷的检测和降低,是近10年内重要的研究内容。本文重点对SiC中位错的形成原因、位错检测技术、位错密度降低方法及近年来SiC单晶中位错的优化水平进行总结归纳,并提出了SiC需要继续突破和发展的方向。     

情感教学在小学语文教学中的培养

几千年前,《论语》开篇就载有孔子对情感教学的认识:“学而时习之,不亦悦乎?”揭示了学习过程本身应该充满乐趣而让学生从中获得情感的满足.孔子这时已经认识到学习者的兴趣和爱好对学习效果有着不同程度的影响.